HF etching of as-synthesized wafers

HF etching of
as-synthesized
wafers containing
TPA resulted in formation of sharp, uniformly wide
slits between neighboring crystals (Fig. 2a). This
could be explained by the presence of an amorphous
silica layer filling these slits before etching. It can be
expected that such amorphous layer would dissolve

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

HF กัดของ สังเคราะห์เป็น เวเฟอร์ที่ประกอบด้วยTPA ส่งผลให้เกิดความคมชัด กว้างอย่างสม่ำเสมอสลิตระหว่างผลึกใกล้เคียง (รูป 2a) นี้สามารถอธิบายความเป็นไปของซิลิกาชั้นที่ไส้ผ่าเหล่านี้ก่อนที่จะแกะสลัก มันสามารถคาดว่า จะละลายชั้นดังกล่าวไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยภาพเป็นสังเคราะห์เวเฟอร์ที่มีส่งผลให้เกิดการก่อตัวของ สสท. คมโดยกว้างรอยแยกระหว่างเพื่อนบ้านผลึก ( รูปที่ 2A ) นี้สามารถอธิบายได้ด้วยการมีอยู่ของอสัณฐานซิลิกาเติมช่องเหล่านี้ก่อนที่จะกัดชั้น . มันสามารถคาดว่า เช่นไปชั้นจะละลาย