This paper reports on the structura

This paper reports on the structural and optical properties of Al doped ZnO nanoparticles prepared through a sol–gel method. Different atomic ratio's of Al were doped into ZnO ranging from 1 at% to 6 at%. X-ray diffraction (XRD) and FE-SEM results showed that the average crystallite size of ZnO nanoparticles decreased with increasing Al concentration. A compressive strain induced in ZnO with Al doping was calculated using W–H plot analysis. The band gap increased monotonously as Al concentration was increased from 1 at% to 6 at%. ZnO nanocrystals showed an emission peak positioned at 396 nm. The intensity of this peak decreases with Al doping for all concentrations. The decrease of the intensity of 396 nm emission peak is due to the worsening of the crystal quality due to Al doping. In addition to this, another peak at 437 nm is developed with Al doping and it is speculated to be due to the zinc interstitial defects

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระดาษนี้รายงานการโครงสร้าง และคุณสมบัติแสงของอัล doped เก็บกัก ZnO ที่เตรียม โดยวิธีโซลเจล แตกต่างกันอะตอมอัตราส่วนของอัลถูก doped ใน ZnO ตั้งแต่ 1% ถึง 6% การเลี้ยวเบนการเอ็กซ์เรย์ (XRD) และ FE SEM ผลพบว่า ZnO เก็บกักขนาดเฉลี่ย crystallite ลดลง ด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของอัล ต้องใช้ compressive เกิดใน ZnO กับอัลโดปปิงค์ถูกคำนวณโดยใช้การวิเคราะห์แผน W-H ช่องว่างของวงเพิ่มขึ้นเป็นความเข้มข้นของอัล monotonously ขึ้นจาก 1% ถึง 6% ZnO nanocrystals พบสูงสุดเล็ดรอดการวางที่ 396 nm ลดความเข้มของช่วงนี้กับอัลโดปปิงค์สำหรับความเข้มข้นทั้งหมด ลดความเข้มของ 396 nm ปล่อยก๊าซสูงสุดเนื่องจากการกำเริบของคริสตัลคุณภาพจากอัลโดปปิงค์ได้ นอกจากนี้ ช่วงอื่นที่ 437 nm จะพัฒนากับอัลโดปปิงค์ และมันเป็นที่คาดการณ์จะเนื่องจากข้อบกพร่องหลากสังกะสี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รายงานบทความนี้เกี่ยวกับโครงสร้างและคุณสมบัติทางแสงของอัลนาโนซิงค์ออกไซด์เจือเตรียมโดยวิธีโซลเจล อัตราส่วนของอะตอมที่แตกต่างกันของอัลถูกเจือลงใน ZnO ตั้งแต่ 1% ถึง 6% ที่ X-ray diffraction (XRD) และผล FE-SEM แสดงให้เห็นว่าขนาดผลึกเฉลี่ยของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ลดลงด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของอัล ความเครียดอัดเหนี่ยวนำให้เกิดในซิงค์ออกไซด์กับอัลยาสลบที่คำนวณโดยใช้การวิเคราะห์พล็อต W-H ช่องว่างวงเบื่อหน่ายเพิ่มขึ้นเป็นความเข้มข้นอัลเพิ่มขึ้นจาก 1% ถึง 6% ที่ ซิงค์ออกไซด์นาโนคริสตัลแสดงให้เห็นว่ายอดการปล่อยก๊าซในตำแหน่งที่ 396 นาโนเมตร ความเข้มของจุดสูงสุดนี้ลดลงด้วยอัลยาสลบสำหรับทุกความเข้มข้น ลดความรุนแรงของการปล่อยก๊าซสูงสุด 396 นาโนเมตรเกิดจากการถดถอยของคุณภาพคริสตัลเนื่องจากอัลยาสลบ นอกจากนี้สูงสุดที่ 437 นาโนเมตรอีกพัฒนาด้วยยาสลบอัลและเป็นที่คาดการณ์ว่าจะเกิดจากข้อบกพร่องสิ่งของสังกะสี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทความนี้รายงานต่อโครงสร้างและคุณสมบัติทางแสงของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมด้วยอัลผ่านโซล - เจลวิธี อัตราส่วนอะตอมของอัลยังแตกต่างกันในซิงค์ออกไซด์เจือตั้งแต่ 1 ที่ ( 6 ) เครื่อง X-ray diffraction ( XRD ) และผลการศึกษาพบว่าค่าเฉลี่ย fe-sem ขนาดผลึกนาโนซิงค์ออกไซด์เพิ่มขึ้น เมื่อล สมาธิสายพันธุ์ที่มีซิงค์ออกไซด์โด๊ปด้วยนำอัลถูกคำนวณโดยใช้การวิเคราะห์พล็อต w ) H . ช่องว่างแถบเพิ่มขึ้นน่าเบื่อหน่ายเป็น อัล มีค่าเพิ่มขึ้นจาก 1 ล้าน 6 % ซิงค์ออกไซด์ nanocrystals แสดงยอดการวางตําแหน่งที่ 396 นาโนเมตร ความเข้มของยอดเขานี้จะล เติมทุกความเข้มข้นการลดลงของความเข้มของรังสีสูงสุด 396 nm เนื่องจากการถดถอยของคริสตัลที่มีคุณภาพ เนื่องจากอัล โด๊ป นอกจากนี้ อีกหนึ่งยอดที่เราพัฒนาขึ้นด้วยการเติม อัลนาโนเมตรและเป็นสันนิษฐานว่าจะเป็นเนื่องจากสังกะสีดูข้อบกพร่อง