The diode used in this design is sh

The diode used in this design is shown in Figure 2 and its equivalent model is shown in Figure 3. The special features of HSMS-2850 diode is that it provides a low forward voltage, low substrate leakage and uses the non symmetric properties of a diode that allows unidirec- tional flow of current under ideal condition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอดที่ใช้ในการออกแบบนี้จะแสดงในรูปที่ 2 และรุ่นเทียบเท่าจะแสดงในรูปที่ 3 คุณสมบัติพิเศษของไดโอด HSMS โมคือ มันช่วยให้แรงดันต่ำไปข้างหน้า พื้นผิวต่ำรั่ว และใช้สมมาตรไม่ใช่คุณสมบัติของไดโอดที่อนุญาตให้กระแส unidirec tional ของปัจจุบันภายใต้เงื่อนไขที่เหมาะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไดโอดที่ใช้ในการออกแบบนี้จะแสดงในรูปที่ 2 และรูปแบบเทียบเท่าจะแสดงในรูปที่ 3 คุณสมบัติพิเศษของไดโอด HSMs-2850 ก็คือว่ามันมีแรงดันไปข้างหน้าต่ำการรั่วไหลของสารตั้งต้นที่ต่ำและใช้คุณสมบัติที่ไม่สมมาตรของไดโอด ที่ช่วยให้การไหลเวียนของ unidirec- tional ปัจจุบันภายใต้เงื่อนไขที่เหมาะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไดโอดที่ใช้ในการออกแบบนี้แสดงไว้ในรูปที่ 2 และ แบบเทียบเท่าจะแสดงในรูปที่ 3 คุณลักษณะพิเศษของ hsms-2850 ไดโอดมันมีแรงดันข้างหน้าต่ำ รั่ว ( ไม่สมมาตรต่ำ และใช้คุณสมบัติของไดโอดที่ช่วยให้ unidirec - ไหลระหว่างประเทศ ในปัจจุบัน ภายใต้เงื่อนไขที่เหมาะสมที่สุด