We demonstrate a novel innovative a

We demonstrate a novel innovative approach to obtain crystalline GOI structure on Si by introducing MLG template for the first time.Orientation controlled large and wide(111)Ge single-
crystal strip was obtained on graphene on insulator platform.The possible growth mechanism was proposed. This innovative technique will open up new vistas for developing Ge-based transfer-able devices by utilizing the flexibility of atomically thin graphene layers to facilitate the next-generation ultra-large-scale integrated circuits (ULSIs) with multifunctionalities

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราแสดงให้เห็นถึงนวัตกรรมในนวนิยายรับโกอีโครงสร้างผลึกในซี โดยการนำแม่แบบ MLG เป็นครั้งแรก แนวควบคุมขนาดใหญ่ และกว้าง (111) เดียว Ge -แถบคริสตัลได้รับบน graphene บนแพลตฟอร์มฉนวน มีเสนอกลไกการเจริญเติบโตได้ เทคนิคใหม่นี้จะเปิดทัศนียภาพใหม่สำหรับพัฒนา Ge สามารถโอนย้ายอุปกรณ์ โดยการใช้ความยืดหยุ่นของ graphene atomically บางชั้นเพื่ออำนวยความสะดวกเนอ ultra-large-scale วงจรรวม (ULSIs) กับ multifunctionalities

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราแสดงให้เห็นถึงนวนิยายเรื่องวิธีการใหม่เพื่อให้ได้โครงสร้างผลึกก้อยในศรีโดยการแนะนำ MLG แม่แบบสำหรับ time.Orientation แรกควบคุมขนาดใหญ่และกว้าง (111) Ge เดียว
แถบคริสตัลที่ได้รับใน graphene กับกลไกการเจริญเติบโตของฉนวนกันความร้อนแพลตฟอร์มที่เป็นไปได้ถูกเสนอ เทคนิคนี้เป็นนวัตกรรมใหม่ที่จะเปิดโฉมหน้าใหม่สำหรับการพัฒนา GE-based อุปกรณ์การถ่ายโอนความสามารถโดยการใช้ความยืดหยุ่นของ graphene ชั้นบางอะตอมเพื่ออำนวยความสะดวกกับวงจรรวมรุ่นต่อไปอัลตร้าขนาดใหญ่ (ULSIs) กับ multifunctionalities

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราแสดงให้เห็นถึงนวัตกรรมใหม่ เพื่อให้ได้โครงสร้างโกยผลึกในจังหวัดโดยการแนะนำแม่แบบ mlg ครั้งแรก มุ่งควบคุมขนาดใหญ่และกว้าง ( 111 ) โดยเดียวแถบคริสตัลได้บนกราฟีนสำหรับแพลตฟอร์ม กลไกที่เป็นไปได้ คือ การเสนอ เทคนิคนวัตกรรมนี้จะเปิด Vistas ใหม่เพื่อการพัฒนา GE ใช้อุปกรณ์สามารถโอนโดยการใช้ความยืดหยุ่นของ atomically บาง graphene ชั้น เพื่อความสะดวกในการทำงานเป็นพิเศษวงจรรวมขนาดใหญ่ ( ulsis ) กับ multifunctionalities