FREQUENCY TUNABLEOSCILLATORSWideban

FREQUENCY TUNABLE
OSCILLATORS
Wideband tunable oscillators are
necessary components for ECM, ESM
and test instrumentation, as well as
many communication systems. These
are characterized by the tuning bandwidth
and linearity, phase noise, settling
time and post tuning drift. The
needs for the specific characteristics
depend upon the application. Compromises
are called for in view of the
fact that all of these parameters cannot
be achieved using a single technology
or technique. In order to achieve
oscillations over a wideband the active
device needs to possess negative resistance
over the band and the frequency
tuning element needs to tune over the
band. Design techniques are then
used to satisfy oscillation conditions
over the band while optimizing one or
more desired parameters. Phase noise
being a function of the carrier frequency
and tuning bandwidth, care
should be taken while comparing frequency
tunable oscillators.
Varactor-tuned oscillators are voltage-tuned
oscillators utilizing Si or
GaAs varactors, typically a metal ntype
schottky barrier, in association
with the active device to generate signals
over a wideband. With the available
technology a little more than octave
band oscillators have been reported
up to Ku-band using multiple
varactors.10 At lower frequencies it is
more practical to achieve an octave
band. VCOs based on discrete devices
have demonstrated more than octave
bands with excellent phase noise up to
4 GHz. Silicon bipolar devices are the
devices of choice due to their lower 1/f
noise and corner frequency and are
commonly used for VCOs up to
X-band. Using a low noise silicon
bipolar transistor with a 10 GHz ft and
40 GHz fmax process and a silicon hyperabrupt
varactor diode, a narrowband
VCO was reported at 10 GHz
with phase noise of –112 dBc/Hz at
100 kHz offset.12 GaAs FET devices
offer wideband oscillations up to mmwave
frequencies with degraded phase
noise. Another technique to achieve
low noise wideband signal generation
at higher frequencies is the use of
push-push oscillators. VCOs covering
9 to 18 GHz have been demonstrated
using silicon bipolar devices.10 VCOs
exceeding octave bandwidth have
been recently developed using coupled
push-push technology. Phase
noise of –118 dBc/Hz at 100 kHz offset
was reported at 4 GHz in a 3 to 6
GHz VCO.11
Frequency settling time is another
important characteristic required in
certain military systems as well as in
test instruments. This represents the
speed and accuracy with which the os

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความถี่ TUNABLEOSCILLATORSWideband tunable oscillators จะส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ ECM, ESMและทดสอบเครื่องมือวัด เป็นระบบการสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะ โดยแบนด์วิดท์ที่ปรับแต่งและแบบดอกไม้ ระยะเสียง ชำระเวลาและลงปรับดริฟท์ ที่ความต้องการคุณลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับโปรแกรมประยุกต์ รับเรียกว่าสำหรับในมุมมองของการความจริงที่ว่า ทั้งหมดของพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแกว่งผ่าน wideband ใช้งานอยู่อุปกรณ์ที่จำเป็นต้องมีความต้านทานเชิงลบวงและความถี่ปรับแต่งองค์ประกอบต้องปรับไปวงดนตรี เทคนิคการออกแบบอยู่แล้วใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขสั่นกว่าวงในขณะที่เพิ่มประสิทธิภาพหนึ่ง หรือเพิ่มเติมต้องพารามิเตอร์ ระยะเสียงเป็นฟังก์ชันของความถี่ในการขนส่งและปรับค่าแบนด์วิดธ์ การดูแลควรดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่tunable oscillatorsปรับ varactor oscillators จะปรับแรงดันไฟฟ้าใช้ซี oscillators หรือGaAs varactors โดยทั่วไปโลหะชนิดอุปสรรค schottky เชื่อมโยงกับอุปกรณ์ที่ใช้งานอยู่เพื่อสร้างสัญญาณกว่าแบบ wideband มีที่ว่างเทคโนโลยีได้น้อยกว่าอ็อกเทฟรายงาน oscillators วงถึงเคยูแบนด์โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำที่เป็นปฏิบัติเพิ่มเติมเพื่อให้บรรลุการอ็อกเทฟวงดนตรี VCOs ตามอุปกรณ์ที่แยกกันมีแสดงมากกว่าอ็อกเทฟวง มีเสียงระยะดีขึ้น4 GHz. ซิลิคอนไฟที่ไบโพลาร์อุปกรณ์อุปกรณ์ที่เลือกจากตัวล่าง 1/fเสียง และความถี่มุม และมีโดยทั่วไปใช้สำหรับ VCOs ถึงวง X ใช้ซิลิคอนเสียงรบกวนต่ำไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์กับฟุต 10 GHz และกระบวนการ fmax 40 GHz และ hyperabrupt ซิลิคอนไดโอด varactor, narrowband เป็นรายงาน VCO ที่ 10 GHzมีระยะเสียงของ dBc/Hz ที่ –112อุปกรณ์ GaAs FET offset.12 100 kHzมีแกว่ง wideband ถึง mmwaveความถี่ ด้วยระยะเสื่อมโทรมเสียงรบกวน เทคนิคอื่นเพื่อให้บรรลุสร้างสัญญาณ wideband เสียงรบกวนต่ำที่ความถี่สูงเป็นการใช้oscillators ผลักดันผลักดัน VCOs ครอบคลุมมีการแสดง 9-18 GHzใช้ devices.10 ไฟที่ไบโพลาร์ซิลิคอน VCOsเกินแบนด์วิดท์อ็อกเทฟได้การพัฒนาเมื่อเร็ว ๆ นี้ใช้ควบคู่ผลักดันเทคโนโลยี ขั้นตอนการเสียงของ –118 dBc/Hz ที่ออฟเซต 100 kHzรายงานที่ 4 GHz ใน 3 ถึง 6GHz VCO.11ความถี่ในการชำระเวลาอยู่ลักษณะสำคัญที่จำเป็นในบางกองทัพระบบเป็นอย่างดีในเครื่องมือทดสอบ นี้แสดงถึงการความเร็วและความแม่นยำซึ่งระบบปฏิบัติการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความถี่พริ้ง
Oscillators
Wideband oscillators
พริ้งเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับECM, ESM และเครื่องมือการทดสอบเช่นเดียวกับระบบการสื่อสารจำนวนมาก เหล่านี้มีลักษณะแบนด์วิดธ์ปรับและเชิงเส้นเสียงเฟสปักหลักเวลาและจูนโพสต์ดริฟท์ ความต้องการสำหรับลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับการประยุกต์ใช้ การประนีประนอมจะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของความจริงที่ว่าทุกพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแนบแน่นกว่า wideband ใช้งานอุปกรณ์ที่ต้องการที่จะมีความต้านทานเชิงลบมากกว่าวงดนตรีและความถี่องค์ประกอบการปรับแต่งความต้องการที่จะปรับในช่วงวง เทคนิคการออกแบบแล้วนำมาใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขการสั่นมากกว่าวงในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือพารามิเตอร์ที่ต้องการมากขึ้น เฟสเสียงเป็นหน้าที่ของความถี่ที่และแบนด์วิดธ์จูน, การดูแลจะต้องดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่oscillators พริ้ง. oscillators Varactor ปรับเป็นแรงดันปรับoscillators ใช้ศรีหรือGaAs varactors มักจะเป็นโลหะ ntype อุปสรรค Schottky ในการเชื่อมโยงกับการใช้งานอุปกรณ์ในการสร้างสัญญาณมากกว่า wideband ด้วยการที่มีเทคโนโลยีน้อยกว่าคู่oscillators วงดนตรีที่ได้รับรายงานถึงKu-band โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำมันเป็นจริงมากขึ้นเพื่อให้บรรลุแหลมวง VCOs ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ไม่ต่อเนื่องได้แสดงให้เห็นมากกว่าคู่วงดนตรีกับเสียงเฟสที่ดีเยี่ยมถึง4 GHz อุปกรณ์สองขั้วซิลิกอนเป็นอุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดของพวกเขา 1 / f เสียงและความถี่ในมุมและมีการใช้กันทั่วไปสำหรับ VCOs ถึง X-band การใช้เสียงต่ำซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ GHz 10 ฟุตและ 40 GHz กระบวนการ fmax และซิลิกอน hyperabrupt varactor ไดโอดเป็น narrowband VCO มีรายงานที่ 10 GHz กับเสียงขั้นตอนของการ -112 dBc / Hz ที่100 เฮิร์ทซ์ offset.12 อุปกรณ์ GaAs FET ให้แนบแน่น wideband ถึง mmwave ความถี่ที่มีขั้นตอนการเสื่อมโทรมเสียง อีกเทคนิคหนึ่งที่จะบรรลุเสียงต่ำ wideband รุ่นสัญญาณที่ความถี่สูงคือการใช้oscillators ผลักดันผลักดัน VCOs ครอบคลุม9-18 GHz ได้รับการแสดงให้เห็นถึงการใช้VCOs devices.10 สองขั้วซิลิกอนเกินแบนด์วิดธ์คู่ได้รับการพัฒนาเมื่อเร็วๆ นี้โดยใช้ควบคู่เทคโนโลยีการผลักดันการผลักดัน เฟสเสียง -118 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ชดเชยมีรายงานที่4 GHz ใน 3-6 GHz VCO.11 ความถี่ปักหลักเวลาเป็นอีกหนึ่งลักษณะที่สำคัญจำเป็นต้องใช้ในระบบทหารบางอย่างเช่นเดียวกับในใช้ในการทดสอบ นี้แสดงให้เห็นถึงความเร็วและความถูกต้องกับที่ระบบปฏิบัติการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความถี่สัญญาณ oscillators ที่สุด


เป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ oscillators วงจร ECM ESM
, เครื่องมือวัดและทดสอบ ตลอดจน
ระบบสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะโดยปรับแบนด์วิดธ์

และเป็นเส้นตรง , เสียงเฟสตกตะกอน
เวลาและปรับแต่งดริฟ โพสต์

ลักษณะความต้องการเฉพาะเจาะจงขึ้นอยู่กับโปรแกรม การประนีประนอม
จะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของ
ข้อเท็จจริงทั้งหมดของตัวแปรเหล่านี้จะประสบความสำเร็จในการใช้เทคโนโลยีเดียว

หรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุ
การสั่นผ่านสัญญาณ อุปกรณ์ที่ใช้งานต้องมีความต้านทาน

ลบผ่านวงดนตรีและความถี่
ปรับองค์ประกอบต้องปรับมากกว่า
วงดนตรี เทคนิคการออกแบบจะใช้ตามสภาพ

สั่นกว่าวงดนตรีในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือ
เพิ่มเติมที่ต้องการค่า
เสียงเฟสเป็นฟังก์ชันของความถี่และปรับแบนด์วิดธ์

ดูแลควรเมื่อเปรียบเทียบความถี่ใน Oscillators ที่สุด
.
วาแรกเตอร์ปรับแรงดันไฟฟ้า oscillators จะติดตาม

6 oscillators ใช้ศรี หรือ varactors มักจะเป็นโลหะธรรมดา

ท์อุปสรรคในความสัมพันธ์กับอุปกรณ์ที่ใช้งานในการสร้างสัญญาณ
กว่า สัญญาณ . กับใช้ได้
เทคโนโลยีมากกว่าหวะ

วง oscillators ได้รับรายงานถึงวงดนตรี KU ใช้หลาย
varactors.10 ลดความถี่มัน
เป็นประโยชน์มากเพื่อให้ได้แถบความถี่

VCOs ตาม
อุปกรณ์ต่อเนื่องแสดงให้เห็นมากกว่าวงออกเทปเสียงที่ดีขึ้น


เฟส 4 GHz ซิลิคอน ขั้วอุปกรณ์
อุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดลง 1 / f