The red-shift of the Eg edge is the

The red-shift of the Eg edge is the commonly observed results in the transition-metal-doped II–IV semiconductor. It has been attributed to the sp–d spin-exchange interactions between the band electrons and the localized d electrons of the transitionmetal ion substituting the cation, in which the s–d and p–d exchange interactions could give rise to a negative and a positive correction to the conduction-band and the valence-band edges, respectively leading to a band gap narrowing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กะสีแดงของขอบเช่นเป็นผลที่มักพบในการเปลี่ยนโลหะ-เจือ II-IV เซมิคอนดักเตอร์ มันได้รับการบันทึกให้ SP-d ปฏิสัมพันธ์หมุนแลกเปลี่ยนระหว่างอิเล็กตรอนวงดนตรีและอิเล็กตรอน d ท้องถิ่นของไอออน transitionmetal แทนไอออนบวก,ซึ่งใน s-D และ P-d ปฏิสัมพันธ์แลกเปลี่ยนอาจก่อให้เกิดผลลบและการแก้ไขในเชิงบวกต่อการนำวงดนตรีและวงดนตรีขอบจุตามลำดับที่นำไปสู่​​การลดช่องว่างวงดนตรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กะสีแดงของขอบ Eg เป็นผลปกติที่พบในสารกึ่งตัวนำที่ II–IV เปลี่ยนโลหะ-doped การบันทึกการโต้ตอบแลกเปลี่ยนหมุน sp–d ระหว่างวงอิเล็กตรอนและอิเล็กตรอน d ภาษาท้องถิ่นของไอออน transitionmetal ที่แทนที่ cation ซึ่งโต้ตอบแลกเปลี่ยน s–d และ p–d สามารถให้สูงขึ้นเพื่อการลบและการแก้ไขบวกการนำวงขอบวงเวเลนซ์ ตามลำดับชั้นนำเพื่อจำกัดให้แคบเป็นแถบช่องว่างลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สีแดง - การเปลี่ยนแปลงของลักษณะเป็นเส้นขอบที่ต่อกันเช่นที่เป็นผลโดยทั่วไปที่กำหนดในการเปลี่ยนผ่านที่เป็นโลหะ - doped II - IV เซมิคอนดักเตอร์ โรงแรมได้รับการอธิบายถึงการโต้ตอบการติดตั้ง SP - D หมุน - แลกเปลี่ยนระหว่างอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอคลื่นความถี่และอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอ D แปล ภาษา ของไอออนประจุลบ transitionmetal แทนที่ที่ S - D และการปฏิสัมพันธ์ระหว่างแลกเปลี่ยน P - D จะช่วยให้เพิ่มขึ้นเพื่อลบและการแก้ไขในเชิงบวกที่ขอบนำคลื่นความถี่และที่ valence - คลื่นความถี่ตามลำดับที่นำไปสู่การจำกัดช่องว่างคลื่นความถี่ที่.