(h) 29.8 m thick Ni and 0.2 m thi

(h) 29.8 m thick Ni and 0.2 m thick Au are electroplated consecutively, the composition is the same as step (d).
(i) Removing the exposed photoresist by soaking the glass substrate in very clean acetone, and removing the exposed seed
layer by using lift-off process.
(j) Removing the photoresist between fixed plate and floating plate by soaking in very clean acetone a longer time to obtain the released inertia micro capacitive sensor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(h) 29.8 m Ni และ 0.2 m หนาหนา Au มี electroplated ติดต่อกัน องค์ประกอบเหมือนกันคือเป็นขั้นตอน (d)(i) เอา photoresist สัมผัส ทางชมพื้นผิวแก้วอะซิโตนมาก เอาเมล็ดสัมผัสชั้น โดยใช้กระบวนการ lift-off(j) เอา photoresist ระหว่างคงจานและจานลอยโดย soaking ในอะซีโตนมากเวลานานรับเซนเซอร์ควบคุมไมโครออกแรงเฉื่อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ซ) 29.8? m หนา Ni และ 0.2? m Au หนาจะ electroplated ติดต่อกันองค์ประกอบเป็นเช่นเดียวกับขั้นตอน (ง).
(i) การถอด photoresist สัมผัสโดยการแช่พื้นผิวแก้วในอะซีโตนสะอาดมากและลบสัมผัส
เมล็ดพันธุ์ชั้นโดยใช้กระบวนการยกออก.
(ญ) การถอด photoresist ระหว่างแผ่นและแผ่นคงลอยโดยการแช่ในอะซีโตนสะอาดมากเป็นเวลานานที่จะได้รับการปล่อยตัวออกมาแรงเฉื่อยเซ็นเซอร์ capacitive ขนาดเล็ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( H ) 29.8  M หนาและหนา 0.2 เมตร ผม  AU จะชุบตามลำดับ องค์ประกอบเป็นเช่นเดียวกับขั้นตอน ( D )
( i ) การถอดระบบสัมผัสโดยแช่แผ่นแก้วในสะอาดมาก ) และการตากเมล็ด
ชั้นโดยใช้ลิฟท์ปิดกระบวนการ .
( I ) การเอาระบบระหว่างจานและจานลอยถาวรโดยการแช่ในสะอาดมาก ) นานเพื่อให้ได้ออกความเฉื่อยไมโคร capacitive sensor