We can further explain in the phenomena of absorption edge shift from  การแปล - We can further explain in the phenomena of absorption edge shift from  ไทย วิธีการพูด

We can further explain in the pheno

We can further explain in the phenomena of absorption edge shift from the (αhν)2 vs. hν plot according to the following relation [18], since ZnGa2O4 belongs to direct-gap material [19],
(Ahv)2 = A(hv - Eg)
where hν is the photon energy. The absorption coefficient α can be calculated from the transmittance T shown in Fig. 4 by use of α=ln(1/T)/d. The thickness of films (d) grown on quartz substrates at oxygen pressure of 0 and 1 Pa is estimated to be 200 nm and 150 nm by using ellipsometry, respectively. The corresponding plots of (αhν)2 vs. hν are shown in Fig. 5.
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
เราสามารถอธิบายเพิ่มเติมในปรากฏการณ์ของกะขอบดูดซึมจากความสัมพันธ์ (αhν) 2 เทียบกับพล็อต hν ตามต่อไปนี้ [18], เนื่องจาก ZnGa2O4 เป็นช่องว่างตรงวัสดุ [19],(Ahv) 2 = A(hv-Eg)ที่ hν เป็นพลังงานเรา ด้วยกองทัพสัมประสิทธิ์การดูดซึมสามารถคำนวณได้จาก transmittance T แสดงใน Fig. 4 โดยใช้ด้วยกองทัพ = ln(1/T)/d ความหนาของฟิล์ม (d) ที่เติบโตบนพื้นผิวควอตซ์ที่ความดันออกซิเจนของ Pa 0 และ 1 คือประมาณ 200 นาโนเมตรและ 150 nm โดยใช้ ellipsometry ตามลำดับ (Αhν) 2 ผืนตรงเทียบกับ hν จะแสดงใน Fig. 5
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
เรายังสามารถอธิบายปรากฏการณ์ในการดูดซึมของขอบเปลี่ยนจาก (αhν) 2 เมื่อเทียบกับพล็อตhνตามความสัมพันธ์ต่อไปนี้ [18] ตั้งแต่ ZnGa2O4 เป็นวัสดุที่ตรงช่องว่าง [19]
(AHV) 2 = (HV - เช่น)
ที่hνพลังงานโฟตอน ค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมαสามารถคำนวณได้จากการส่งผ่าน T แสดงในรูป 4 โดยการใช้α = LN (1 / T) / วัน ความหนาของฟิล์ม (ง) ที่ปลูกในพื้นผิวผลึกที่ความดันของออกซิเจน 0 และ 1 ป่าประมาณ 200 นาโนเมตรและ 150 นาโนเมตรโดยใช้ ellipsometry ตามลำดับ แปลงที่สอดคล้องกันของ (αhν) 2 เทียบกับhνจะแสดงในรูป 5
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
เราสามารถอธิบายปรากฏการณ์ของการดูดซึมขอบเปลี่ยนจาก ( α H ν ) 2 กับพล็อตν H ตามความสัมพันธ์ [ 18 ] เนื่องจาก znga2o4 เป็นของตรงช่องว่างวัสดุ [ 19 ] ,
( ahv ) 2 = ( HV - เช่นที่ H )
νเป็นโฟตอนพลังงาน สัมประสิทธิ์การดูดกลืนαสามารถคำนวณได้จากการไม่แสดงในรูปที่ 4 โดยใช้α = ln ( 1 / t ) Dเราสามารถอธิบายปรากฏการณ์ของการดูดซึมขอบเปลี่ยนจาก ( α H ν ) 2 กับพล็อตν H ตามความสัมพันธ์ [ 18 ] เนื่องจาก znga2o4 เป็นของตรงช่องว่างวัสดุ [ 19 ] ,
( ahv ) 2 = ( HV - เช่นที่ H )
νเป็นโฟตอนพลังงาน สัมประสิทธิ์การดูดกลืนαสามารถคำนวณได้จากการไม่แสดงในรูปที่ 4 โดยใช้α = ln ( 1 / t ) D
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: