The main luminescence at 80 K is du

The main luminescence at 80 K is due to STEs created in the
structure of α-quartz . The UV luminescence at 250 nm
(4.95 eV) was observed only in P-doped part of the sample. The
Fig. 3 demonstrates influence of annealing to 550 °C and 660 °C as
for IR spectra in Fig. 1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Luminescence หลักที่ 80 K มีเนื่องจาก STEs สร้างในโครงสร้างของด้วยกองทัพ Luminescence UV ที่ 250 nm(4.95 eV) ที่พบเฉพาะในส่วน P doped ของตัวอย่าง ที่Fig. 3 แสดงให้เห็นถึงอิทธิพลของการอบเหนียว 550 ° C และ 660 ° C เป็นสำหรับแรมสเป็คตรา IR ใน Fig. 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรืองแสงหลักที่ 80 K เป็นเพราะ Stes
สร้างขึ้นในโครงสร้างของα-ควอทซ์ เรืองแสงยูวีที่ 250 นาโนเมตร
(4.95 eV) พบว่าเฉพาะในส่วน P-เจือของกลุ่มตัวอย่าง
รูป 3 แสดงให้เห็นถึงอิทธิพลของการอบ 550 องศาเซลเซียสและ 660
องศาเซลเซียสเป็นสำหรับIR สเปกตรัมในรูป 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเรืองแสงในหลัก 80 K เนื่องจากสร้างขึ้นใน stes
โครงสร้างของแอลฟาควอตซ์ แสงยูวีที่ 250 nm
( 4.95 EV ) พบเฉพาะใน p-doped ส่วนหนึ่งของตัวอย่าง
รูปที่ 3 แสดงให้เห็นถึงอิทธิพลของการอบ 550 องศา C และ 660 องศา C
สำหรับ IR spectra ในรูปที่ 1