Fourier transform infrared (FT-IR)

Fourier transform infrared (FT-IR) and Raman spectroscopy were employed to study the hydrothermal
stability and the influence of surface functional groups on the surface wettability of methyl-modified
silica films. The surface free energy parameters of the silica films were determined using the Lifshitz-van
der Waals/acid–base approach. The thermal decomposition mechanisms of the CH3 groups in the methylmodified
silica material are proposed. The results show that with the increase of methyltriethoxysilane
(MTES)/tetraethylorthosilicate (TEOS) ratio, the surface free energy and surface wettability of the silica
films decrease greatly. This is mainly because of the contribution of the acid–base term; the intensity of
Si–CH3 groups increases at the expense of the intensity of O–H groups in the samples. The surfaces of the
methyl-modified silica films exhibited predominantly monopolar electron-donicity. The contact angle on
the silica film surface reaches its maximum value when calcination is performed at 350 8C.
Thermogravimetric analysis implies that some low molecular weight species, such as H2, CH4, and C,
are eliminated upon thermal decomposition of the –CH3 groups. The Si–CH3 and –CH3 vibrational bands
diminish in intensity as the calcination temperature is increased, disappearing completely when the
calcination temperature is increased to 600 8C. When the calcination temperature is increased to 750 8C,
the free carbon and CSi4 species will be formed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แปลงฟูริเยอินฟราเรด (ฟุต-ir) และสเปคโทรรามันที่ถูกว่าจ้างในการศึกษาร้อน
ความมีเสถียรภาพและอิทธิพลของกลุ่มทำงานบนพื้นผิวเปียกพื้นผิวของ methyl-
แก้ไขภาพยนตร์ซิลิกา พื้นผิวพารามิเตอร์พลังงานของภาพยนตร์ซิลิกาได้รับการพิจารณาโดยใช้รถตู้ Lifshitz
เดอร์ / วิธีการกรดเบสกลไกการสลายตัวทางความร้อนของกลุ่มใน ch3
วัสดุซิลิกา methylmodified เสนอ ผลลัพธ์ที่ได้แสดงให้เห็นว่ามีการเพิ่มขึ้นของ methyltriethoxysilane
(mtes) / tetraethylorthosilicate (Teos) อัตราส่วนที่เปียกพื้นผิวฟรีพลังงานและพื้นผิวของซิลิกา
ภาพยนตร์ที่ลดลงอย่างมาก นี้เป็นส่วนใหญ่เพราะมีส่วนร่วมของระยะกรดเบส; ความเข้มของ
กลุ่ม si-ch3 เพิ่มค่าใช้จ่ายของความรุนแรงของกลุ่ม o-ชั่วโมงในตัวอย่าง พื้นผิวของเมธิล
แก้ไขภาพยนตร์ซิลิกาแสดง monopolar ส่วนใหญ่อิเล็กตรอน donicity มุมสัมผัสบน
พื้นผิวของฟิล์มซิลิกาถึงค่าสูงสุดของมันเมื่อเผาจะดำเนินการที่ 350 8c.
Thermogr​​avimetric วิเคราะห์แสดงให้เห็นว่าบางสายพันธุ์ที่ต่ำน้ำหนักโมเลกุลเช่น h2, CH4,และ C,
จะถูกตัดออกเมื่อการสลายตัวทางความร้อนของกลุ่ม-ch3 si-ch3 และ ch3 วงสั่น
ลดความรุนแรงในขณะที่อุณหภูมิในการเผาที่เพิ่มขึ้นหายไปอย่างสมบูรณ์เมื่อ
อุณหภูมิในการเผาจะเพิ่มขึ้นถึง 600 8c เมื่ออุณหภูมิในการเผาจะเพิ่มขึ้นถึง 750 8c
คาร์บอนฟรีและชนิด csi4 จะเกิดขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อินฟราเรดการแปลงฟูรีเย (FT-IR) และกรามันถูกจ้างไปเรียน hydrothermal
เสถียรภาพและอิทธิพลของกลุ่ม functional ความสามารถเปียกได้ผิวของ methyl ปรับเปลี่ยนพื้นผิว
ฟิล์มซิลิก้า พารามิเตอร์พลังงานอิสระที่พื้นผิวของฟิล์มซิลิกาถูกกำหนดโดยใช้รถตู้ Lifshitz
der Waals/ทฤษฎี วิธีการ กลไกแยกส่วนประกอบความร้อนกลุ่ม CH3 ใน methylmodified
เสนอวัสดุซิลิก้า ผลแสดงว่า มีการเพิ่มขึ้นของ methyltriethoxysilane
(MTES) / อัตราส่วน tetraethylorthosilicate (TEOS) พลังงานอิสระที่ผิวและความสามารถเปียกได้ผิวของซิลิกา
ฟิล์มลดลงอย่างมาก นี้เป็นส่วนใหญ่ เพราะสัดส่วนของคำว่าทฤษฎี ความเข้มของ
กลุ่ม Si–CH3 เพิ่มค่าใช้จ่ายของความรุนแรงของกลุ่ม O–H ในตัวอย่าง พื้นผิวของการ
ฟิล์มซิลิก้าแก้ไข methyl donicity อิเล็กตรอน monopolar เป็นที่จัดแสดง ติดต่อมุมบน
ผิวฟิล์มซิลิก้าถึงค่าสูงสุดเมื่อทำการเผาที่ 350 8C.
Thermogravimetric วิเคราะห์บ่งชี้ว่า บางต่ำชนิดน้ำหนักโมเลกุล เช่น H2, CH4 และ C,
ตัดเมื่อความร้อนเน่าของกลุ่ม –CH3 วง vibrational Si–CH3 และ –CH3
หรอความเข้ม ตามอุณหภูมิเผาจะเพิ่มขึ้น หายไปอย่างสมบูรณ์เมื่อการ
เผาอุณหภูมิจะเพิ่มขึ้น 600 8C. เมื่ออุณหภูมิเผาจะเพิ่มขึ้นถึง 750 8C,
จะเกิดคาร์บอนฟรีและพันธุ์ CSi4

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟุรเย - เปลี่ยนแปลงอินฟราเรด(ฟุต - อินฟราเรด)และ Emission Spectroscopy รามันถูกว่าจ้างเพื่อการศึกษา( Hydrothermal condition )
ซึ่งจะช่วยสร้างความมั่นคงและอิทธิพลของกลุ่มงานบนพื้นผิวบน wettability พื้นผิวของ ภาพยนตร์
ซิลิกา Methyl - แก้ไข พารามิเตอร์พลังงานแบบไม่เสียค่าบริการบนพื้นผิวของ ภาพยนตร์ ซิลิกาที่มีกำหนดการใช้วิธีการ
เดอร์ waals /กรด - ฐาน lifshitz - รถตู้ที่กลไกแยกออกเป็นส่วนๆความร้อนของ 3 กลุ่มบริษัทชใน methylmodified
ซิลิกาที่มีผู้เสนอ ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้นของ methyltriethoxysilane
( mtes )/ tetraethylorthosilicate ( teos )อัตราส่วน wettability พื้นผิวแบบไม่เสียค่าบริการและการประหยัดพลังงานที่พื้นผิวของ ภาพยนตร์ ซิลิกา
ซึ่งจะช่วยลดลงอย่างมาก โรงแรมแห่งนี้มีสาเหตุหลักมาจากการสนับสนุนของคำว่าน้ำกรด - ฐานที่ความเข้มแสงของ
ศรี - CH 3 เพิ่มขึ้นกลุ่มที่ชำระค่าใช้จ่ายด้วยของความเข้มของกลุ่ม o - h ในตัวอย่างนี้ได้. พื้นผิวของ ภาพยนตร์ ซิลิกา
Methyl - ได้รับการแก้ไขนั้นแสดง monopolar โดดเด่นไปด้วยอิเลคตรอน - donicity ผู้ติดต่อที่มุมบนพื้นผิว ภาพยนตร์ ซิลิกา
มาถึงความคุ้มค่าสูงสุดเมื่อ calcination ทำได้ที่ 3508 c .
การวิเคราะห์ thermogravimetric หมายถึงว่าสายพันธุ์น้ำหนักโมเลกุลต่ำบางอย่างเช่น H 2 ch 4และ C
จะถูกทำลายเมื่อแยกออกเป็นส่วนๆระบายความร้อนของกลุ่มที่ - ch3 . ศรี - CH 3 และ - CH 3 Vibrational Exercise คลื่นความถี่
ซึ่งจะช่วยให้ลดน้อยถอยลงในความเข้มแสงและ อุณหภูมิ calcination ที่หายตัวไปจะเพิ่มขึ้นอย่างสมบรูณ์แบบเมื่อ อุณหภูมิ
calcination จะเพิ่มขึ้นเป็น 6008 . เมื่อ อุณหภูมิ calcination จะเพิ่มขึ้นเป็น 7508 c
4 สายพันธุ์ CSI Call Station Interface และถ่านคาร์บอนกัมมันต์แบบไม่เสียค่าบริการจะ