hereby m depends the atomic number

hereby m depends the atomic number Z of the medium and decreases with increasing photon energy hn [1]. However, the fine structure of this element-specific edge of the absorption coefficient is influenced by the energy of unoccupied electronic levels, as it is depicted in Fig. 1(a). Only a sufficient photon energy enables the photoexcitation of a core level electron beyond the vacuum level Evac. After 10×10-14 sec [2] the ionized atom may relax by occupation of the core hole with an electron from the valence band (VB), while the generated energy will normally not be used for the emission of a flourescence photon (probability 1 %), but will be absorbed for the vaccum emission of an Auger electron (probability 99%) from the valence band. In case of a non-sufficient energy for the emission of the primary electron, it may be excited into a conduction band (CB) level, so that a similar relaxation process becomes possible. This spectator process then results in the emission of only one Auger electron.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขอ m ขึ้นอยู่กับเลขอะตอม Z กลาง และลด มีเพิ่มโฟตอนพลังงาน hn [1] อย่างไรก็ตาม ปรับโครงสร้างของขอบนี้เฉพาะองค์ประกอบของค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมได้รับอิทธิพลจากพลังงานระดับอิเล็กทรอนิกส์เดิน เป็นมันเป็นภาพใน Fig. 1(a) เท่าพอโฟตอนพลังงานทำให้ photoexcitation ของอิเล็กตรอนเป็นหลักระดับเกินระดับสุญญากาศ Evac หลังจาก 10 × 10-14 วินาที [2] อะตอม ionized อาจผ่อนคลาย ด้วยอาชีพของหลุมหลักกับอิเล็กตรอนจากแถบเวเลนซ์ (VB), ในขณะที่พลังงานสร้างขึ้นจะไม่ใช้สำหรับปล่อยก๊าซของเรา flourescence (น่าเป็น 1%), แต่จะดูดซึมในไอเสีย vaccum อิเล็กตรอน Auger (ความน่าเป็น 99%) จากวงเวเลนซ์ ในกรณีที่พลังงานไม่เพียงพอสำหรับการปล่อยก๊าซของอิเล็กตรอนหลัก มันอาจจะตื่นเต้นในระดับนำวง (CB) เพื่อให้กระบวนการผ่อนคล้ายจะเป็นไปได้ กระบวนการนี้ยังส่งผลในไอเสียเพียงหนึ่งชอนอิเล็กตรอนแล้ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขอเมตรขึ้นอยู่ Z เลขอะตอมของกลางและลดลงด้วยการเพิ่ม HN พลังงานโฟตอน [1] อย่างไรก็ตามการปรับโครงสร้างของขอบองค์ประกอบที่เฉพาะเจาะจงของค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมได้รับอิทธิพลจากพลังงานของระดับอิเล็กทรอนิกส์ว่างเพราะมันเป็นภาพในรูปที่ 1 (ก) เพียงโฟตอนพลังงานเพียงพอที่จะช่วยให้ photoexcitation ของอิเล็กตรอนในระดับหลักเกิน Evac ระดับสูญญากาศ หลังจาก 10 × 10-14 วินาที [2] อะตอมแตกตัวเป็นไอออนอาจผ่อนคลายด้วยการยึดครองของหลุมหลักที่มีอิเล็กตรอนจากวงจุ (VB) ในขณะที่พลังงานที่สร้างขึ้นโดยปกติจะไม่สามารถใช้สำหรับการปล่อยโฟตอน flourescence (ความน่าจะเป็น 1%) แต่จะถูกดูดซึมสำหรับการปล่อยสูญญากาศของอิเล็กตรอนสว่าน (ความน่าจะเป็น 99%) จากวงจุ ในกรณีของการใช้พลังงานที่ไม่เพียงพอสำหรับการปล่อยอิเล็กตรอนหลักก็อาจจะตื่นเต้นเป็นการนำวงดนตรี (CB) ระดับเพื่อให้ขั้นตอนการผ่อนคลายที่คล้ายกันเป็นไปได้ กระบวนการนี​​้มีผู้ชมแล้วส่งผลให้การปล่อยเพียงหนึ่งสว่านอิเล็กตรอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขอ m ขึ้นอยู่กับเลขอะตอมของขนาดกลางและลดลงเมื่อเพิ่มพลังงานโฟตอน HN [ 1 ] อย่างไรก็ตาม โครงสร้างละเอียดขององค์ประกอบนี้ขอบเฉพาะของการดูดซึมโดยได้รับอิทธิพลจากพลังงานของระดับอิเล็กทรอนิกส์เฉย มันเป็นภาพในรูปที่ 1 ( a ) เฉพาะพลังงานโฟตอนที่เพียงพอจะช่วยให้ photoexcitation ของระดับแกนอิเล็กตรอนเกินระดับสูญญากาศ อพยพด่วนหลังจาก 10 × 15-30 วินาที [ 2 ] ประจุอะตอมอาจผ่อนคลายโดยอาชีพหลักของหลุมกับอิเล็กตรอนจากเวเลนซ์แบนด์ ( VB ) ในขณะที่สร้างพลังงานโดยปกติจะไม่สามารถใช้เพื่อเพิ่มของ flourescence โฟตอน ( ความน่าจะเป็น 1 % ) แต่จะถูกดูดซึมในสูญญากาศไอเสียเป็นสว่านอิเล็กตรอน ( ความน่าจะเป็น 99% ) จาก 2 วงในกรณีที่มีไม่เพียงพอสำหรับการปล่อยพลังงานของอิเล็กตรอนหลัก มันอาจจะตื่นเต้น เป็นนำวงดนตรี ( CB ) ระดับ ดังนั้นกระบวนการที่ผ่อนคลาย คล้ายจะเป็นไปได้ นี้ชมกระบวนการแล้วผลลัพธ์ในการปล่อยเพียงหนึ่งสว่านอิเล็กตรอน