Nems relay are usually fabrication

Nems relay are usually fabrication using surface micromachining techniques typical of microelectromechanical system(MEMS). laterally actuated relay are constructed by first depositing two or more layers of meterial on a silicon wafer. The upper stuctural layer is photolithographically patterned is order to isolated blocks of the uppermost material. The layer below is then selectively etched away, leaving thin structure, such as the relays beam, cantilevered about the wafer and free to band laterally. Acommonsot of meterials used in this process is polysilicon as the upper structure layer and silicon dioxide as the sacrificial lower layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รีเลย์ Nems มักผลิตโดยใช้เทคนิค micromachining ผิวของ microelectromechanical system(MEMS) แรงเคลื่อนเลย์ถูกสร้าง โดยฝาก สองชั้นวัสบนแผ่นซิลิคอน จะชั้นบน stuctural photolithographically ลายเป็นการแยกบล็อกของวัสดุสูงสุด ชั้นด้านล่างเป็นแล้วเลือกฝังไป ออกจากโครงสร้างบาง เช่นรีเลย์คาน cantilevered เกี่ยวกับเว และฟรีวงเคลื่อน Acommonsot ของอุปกรณ์ที่ใช้ในกระบวนการนี้คือ polysilicon เป็นชั้นบนโครงสร้างและซิลิกอนไดออกไซด์เป็นชั้นล่างที่เสียสละ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

NEMS ถ่ายทอดมักจะมีการผลิตโดยใช้เทคนิคไมโครพื้นผิวทั่วไปของระบบจุลภาค (MEMS) ขวางการถ่ายทอดกระตุ้นถูกสร้างขึ้นเป็นครั้งแรกโดยการฝากสองคนหรือมากกว่าชั้นของ Meterial บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน ชั้นบน stuctural เป็นลวดลาย photolithographically คือเพื่อที่จะแยกบล็อกของวัสดุบนสุด ชั้นล่างแล้วเลือกที่ฝังอยู่ห่างออกจากโครงสร้างบางเช่นรีเลย์คานแพร่งเกี่ยวกับเวเฟอร์และอิสระในการวงขวาง Acommonsot ของฝีมือต่างๆที่ใช้ในกระบวนการนี​​้คือโพลีซิลิคอนเป็นชั้นโครงสร้างส่วนบนและซิลิกอนไดออกไซด์เป็นชั้นที่ต่ำกว่าการเสียสละ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

nems relay มักจะผลิตโดยใช้เทคนิคพื้นผิว micromachining ทั่วไปของระบบ microelectromechanical ( MEMS ) ปัจจัยที่กระตุ้นการถ่ายทอดที่ถูกสร้างโดยแรกฝากสองคนหรือมากกว่าชั้นของสื่อบนซิลิคอนเวเฟอร์ ชั้น stuctural ส่วนบนเป็น photolithographically ลวดลายเพื่อแยกบล็อกของวัสดุสูงสุด เลเยอร์ด้านล่าง แล้วเลือกที่ฝังไป ออกจากโครงสร้างที่บาง เช่น รีเลย์ คาน , cantilevered เกี่ยวกับเวเฟอร์และฟรีแถบขวาง acommonsot วัสดุที่ใช้ในกระบวนการนี้เช่นบนโครงสร้าง polysilicon ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์เป็นเซ่นชั้นล่าง .