Achieving high surface coverage of

Achieving high surface coverage of the colloidal quantum dots (QDs) on TiO2 films has been challenging for quantum dot-sensitized solar cells (QDSCs). Herein, a general surface engineering approach was proposed to increase the loading of these QDs. It was found that S2− treatment/QD re-uptake process can significantly improve the attachment of the QDs on TiO2 films. Surface concentration of the QDs was improved by ∼60%, which in turn greatly enhances light absorption and decreases carrier recombination in QDSCs. Ensuing QDSCs with optimized QD loading exhibit a power conversion efficiency of 3.66%, 83% higher than those fabricated with standard procedures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บรรลุสูงคลุมผิวจุดควอนตัม colloidal (QDs) ภาพยนตร์ TiO2 มีการท้าทายสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ครีมจุดควอนตัม (QDSCs) ในที่นี้ วิธีการวิศวกรรมพื้นผิวทั่วไปที่เสนอเพิ่มการโหลดของ QDs เหล่านี้ พบว่า กระบวนการดูดซึมอีกครั้ง รักษา/QD S2− สามารถเพิ่มสิ่งที่แนบของ QDs TiO2 ภาพยนตร์อย่างมาก ผิวเข้มข้น QDs ปรับปรุง โดย ∼60% ซึ่งจะทำให้ดูดซึมแสง และลดบริการ recombination ใน QDSCs ทาง QDSCs มีการจัดแสดงการโหลด QD ปรับประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน 3.66%, 83% สูงกว่ามาตรฐานขั้นตอนประดิษฐ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บรรลุความคุ้มครองผิวสูงของควอนตัคอลลอยด์ (QDS) ในภาพยนตร์ TiO2 ได้รับการท้าทายสำหรับควอนตัมเซลล์แสงอาทิตย์ดอทไวแสง (QDSCs) ในที่นี้เป็นวิธีการทางวิศวกรรมพื้นผิวทั่วไปเสนอให้เพิ่มการโหลดของ QDS เหล่านี้ นอกจากนี้ยังพบว่าการรักษา S2- / QD กระบวนการใหม่ดูดซึมอย่างมีนัยสำคัญสามารถปรับปรุงสิ่งที่แนบมาของ QDS ในภาพยนตร์ TiO2 ความเข้มข้นของพื้นผิวของ QDS ถูกปรับปรุงโดย ~60% ซึ่งจะช่วยเพิ่มการดูดซึมแสงและลดการรวมตัวกันของผู้ให้บริการใน QDSCs ลีสซิ่ง QDSCs กับการโหลดที่ดีที่สุด QD แสดงประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน 3.66%, 83% สูงกว่าผู้ประดิษฐ์ที่มีขั้นตอนมาตรฐาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การบรรลุความคุ้มครองผิวสูงของควอนตัมคอลลอยด์ ( QDS ) ) ภาพยนตร์ที่ได้รับการท้าทายสำหรับควอนตัมดอตชนิดเซลล์แสงอาทิตย์ ( qdscs ) ในที่นี้ ผิวทั่วไปวิธีการวิศวกรรมเสนอเพิ่มโหลดของควอนตัมด็อตเหล่านี้ พบว่า S2 −รักษาควอนตัมด็อตกระบวนการการดูดซึมจะสามารถปรับปรุงความผูกพันของควอนตัมด็อตบนฟิล์ม TiO2 . ระดับพื้นผิวของควอนตัมด็อตลดลง∼ 60% ซึ่งจะยิ่งช่วยเพิ่มการดูดซึมแสงและการขนส่งลดลงใน qdscs . qdscs ตามมาด้วยประสิทธิภาพควอนตัมด็อตโหลดแสดงพลังประสิทธิภาพของการแปลง 3.66 % 83% สูงกว่าประดิษฐ์ที่มีมาตรฐาน .