illustrates the Fermi level profile

illustrates the Fermi level profile in parallel with standard electrode potentials (E0) for the half-cell reactions
of the redox couples of CdS/Cd and PB/PW [46].
It can be seen than CdS has a much higher Fermi level than does PB
(4.1 eV versus 4.9 eV), so energetically allowing electron flow
from CdS to PB. The similar analysis has been reported for photoinduced
electron ejection in aggregations of semi-metallic particles
and for spontaneous electron transfer in substrate-enhanced electroless
deposition [47]. Furthermore, we evaluated the electronaccepting
(electro-reduction) kinetics between the CdS/CNT and
the PB/CNT core–shell nanowire by comparing their onset reduction
potential in conjugation with cyclic voltammograms.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงส่วนกำหนดค่าของระดับพลังงานแฟร์มีควบคู่กับศักยภาพอิเล็กโทรดมาตรฐาน (E0) สำหรับปฏิกิริยา half-cell ของคู่รัก redox ซีซีและรหัส PB [46] สามารถดูได้มากกว่าซีดีมีราคามีมากขึ้นระดับพลังงานแฟร์มีมากกว่าไม่ PB(4.1 eV เมื่อเทียบกับ 4.9 eV), หรบ ๆ เพื่อให้กระแสอิเล็กตรอนจากซีดีไป PB มีการรายงานการวิเคราะห์คล้าย photoinducedขับอิเล็กตรอนในรวมของอนุภาคกึ่งโลหะและ สำหรับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนอยู่ในไฟฟ้าปรับปรุงพื้นผิวสะสม [47] นอกจากนี้ เราประเมิน electronacceptingจลนพลศาสตร์ (electro-ลด) ระหว่างซีดี/บริษัท และnanowire หลักเชลล์ PB/บริษัท โดยการเปรียบเทียบการเริ่มลดศักยภาพในการ conjugation ด้วยทุกรอบ voltammograms

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นถึงรายละเอียดระดับแฟร์ในแบบคู่ขนานที่มีศักยภาพขั้วมาตรฐาน (E0)
สำหรับปฏิกิริยาครึ่งเซลล์ของคู่อกซ์ซีดี/ ซีดีและ PB / PW [46].
มันสามารถเห็นได้กว่าซีดีมีระดับที่สูงขึ้นมากแฟร์กว่า PB
(4.1 eV เมื่อเทียบกับ? 4.9 eV)
เพื่อช่วยให้การไหลเวียนของพลังอิเล็กตรอนจากซีดีไปPB การวิเคราะห์ที่คล้ายกันได้รับการรายงานสำหรับ photoinduced ออกอิเล็กตรอนในการรวมของอนุภาคกึ่งโลหะและสำหรับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนที่เกิดขึ้นเองในการใช้ไฟฟ้าที่เพิ่มพื้นผิวการสะสม[47] นอกจากนี้เราประเมิน electronaccepting (ไฟฟ้าลดลง) จลนศาสตร์ระหว่างซีดี / CNT และPB / ซีเอ็นเส้นลวดนาโนหลักเปลือกโดยการเปรียบเทียบการโจมตีของพวกเขาลดลงที่มีศักยภาพในการเชื่อมต่อกันด้วย voltammograms วงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงให้เห็นถึงระดับเฟอร์มีโปรไฟล์ในแบบคู่ขนานกับมาตรฐานศักยภาพขั้ว ( E0 ) สำหรับปฏิกิริยาครึ่งเซลล์
ของรีดอกซ์คู่ซีดี / ซีดีและ PB / PW [ 46 ]
มันสามารถเห็นได้มากกว่าแผ่นซีดีมีสูงมาก แฟร์ระดับมากกว่าตะกั่ว
(  4.1 EV เมื่อเทียบกับ  4.9 eV ) ดังนั้นสุนัตให้การไหลของอิเล็กตรอนจากซีดี
ตะกั่ว การวิเคราะห์ที่คล้ายกันได้รับรายงาน photoinduced
อิเล็กตรอนออกมาเป็นกลุ่มของกึ่งโลหะอนุภาค
และถ่ายโอนอิเล็กตรอนจากสารเพิ่มในอุตสาหกรรมการผลิต
สะสม [ 47 ] นอกจากนี้ เราประเมิน electronaccepting
( ลดโรง ) จลนศาสตร์ระหว่างซีดี / CNT และ
PB / CNT หลัก–กะลา nanowire โดยเปรียบเทียบของพวกเขาเริ่มการลดศักยภาพในการ voltammograms
แบบ .