Abstract – The investigation of the

Abstract – The investigation of the microwave energy penetration (f = 2,45 ± 0,05 GHz) in the center of the oxygen gas discharge in the resonant type plasmatron was carried out on the example of microwave plasma-chemical processing of silicon plates. The investigation was performed by three independent methods: using a thermocouple for investigating temperature characteristics of the microwave discharge; according to the data of the "active probe" which was injected into the volume of discharge chamber; using an electric probe which was placed in the volume of plasma for measuring the electrical conductivity of the space. The experimental results indicate that for the levels of microwave power flux density in the discharge
volume ranging within 0.06-0.08 W/cm3 the microwave field is entered into the volume of the discharge zone. This effect must
be taken into account when organizing the processes of plasma-
chemical treatment (the influence of microwave field on the parameters of the processed structures, explanation of "loading effect", when chosen construction of a system for supplying microwave energy to the treatment area, in the analysis forms and character of microwave field distribution in the gas discharge area, etc.) and for analysing the results of processing of materials and semiconductor structures which may be exposed to microwave energy.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อการสอบสวนเจาะพลังงานไมโครเวฟ (f = 2,45 ± 0,05 GHz) ในแก๊สออกซิเจน ปล่อยใน plasmatron ชนิดคงถูกดำเนินการตัวอย่างของการประมวลผลพลาสม่าเคมีไมโครเวฟของแผ่นซิลิคอน ดำเนินการสอบสวน โดยสามวิธีอิสระ: ใช้ thermocouple ตรวจสอบอุณหภูมิลักษณะของปล่อยไมโครเวฟ ตามข้อมูลของ "โพรบใช้งาน" ที่ถูกฉีดเข้าไปในปริมาณจำหน่ายหอ ใช้โพรบการไฟฟ้าซึ่งมีอยู่ในปริมาตรของพลาสมาสำหรับวัดค่าการนำไฟฟ้าของพื้นที่ ผลการทดลองบ่งชี้ว่า ระดับของความหนาแน่นฟลักซ์ไฟฟ้าไมโครเวฟในการปล่อยออกปริมาณตั้งแต่ภายใน 0.06-0.08 W/cm3 ฟิลด์ไมโครเวฟเข้าระดับโซนปลดประจำการ ลักษณะพิเศษนี้ต้องนำมาพิจารณาเมื่อมีการจัดการกระบวนการพลาสมา-เคมีบำบัด (อิทธิพลของไมโครเวฟฟิลด์พารามิเตอร์ของโครงสร้างการประมวลผล อธิบาย "ลักษณะพิเศษโหลด" เมื่อท่านก่อสร้างระบบการขายไมโครเวฟพลังงานไปยังพื้นที่รักษา วิเคราะห์รูปแบบและอักขระของไมโครเวฟฟิลด์กระจายในก๊าซถ่ายบริเวณ ฯลฯ) และวิเคราะห์ผลลัพธ์ของการประมวลผลของวัสดุและโครงสร้างของสารกึ่งตัวนำซึ่งสามารถสัมผัสกับไมโครเวฟพลังงาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม และการสอบสวนของพลังงานไมโครเวฟทะลุ ( F = 2,45 ± 0,05 GHz ) ในศูนย์ของออกซิเจนในก๊าซจำหน่ายพลาสเมตรอนชนิดเรโซแนนซ์ได้ดำเนินการในตัวอย่างของไมโครเวฟพลาสมาการประมวลผลทางเคมีของซิลิคอนแผ่น การสอบสวนดำเนินการโดยสามวิธีอิสระ :ใช้ในการตรวจสอบลักษณะของเทอร์โมคัปเปิลอุณหภูมิไมโครเวฟจำหน่าย ; ตามข้อมูลของ " งานสอบสวน " ซึ่งถูกฉีดเข้าไปในหมวดของห้องจำหน่าย การใช้ไฟฟ้าด้วย ซึ่งอยู่ในหมวดของ พลาสม่า สำหรับวัดค่าการนำไฟฟ้าของพื้นที่ผลการทดลองพบว่าในระดับของพลังงานไมโครเวฟความหนาแน่นฟลักซ์ในการระบาย
ปริมาณตั้งแต่ภายใน 0.06-0.08 W ลิตรไมโครเวฟเขตมีปริมาณไหลเข้าโซน ผลต้อง
ถ่ายเข้าบัญชีเมื่อการจัดกระบวนการพลาสมา -
สาร ( อิทธิพลของสนามไมโครเวฟในพารามิเตอร์ของการประมวลผลโครงสร้างคำอธิบายของ " โหลดผล " เมื่อเลือกสร้างระบบสำหรับการจัดหาพลังงานไมโครเวฟกับพื้นที่การรักษา ในการวิเคราะห์รูปแบบและลักษณะของการกระจายในพื้นที่สนามไมโครเวฟปล่อยก๊าซ ฯลฯ ) และเพื่อวิเคราะห์ผลของการประมวลผลของวัสดุสารกึ่งตัวนำและโครงสร้างซึ่งอาจได้รับพลังงานไมโครเวฟ .