Monte Carlo simulations of ultrafas

Monte Carlo simulations of ultrafast laser textured silicon surface,
it can be concluded that (a) the mechanism of light trapping
occurs mainly through multiple reflections, (b) surfaces appear
black to the naked eye with a reflection of few percent over a wide
spectral and angular range, (c) the losses are primarily due to
scattering with negligible (o0.1%) specular reflection and (d)
reduction in long wavelength (l¼1310 and 1550 nm) absorption
due to sulfur incorporation in ultrafast laser textured silicon
surfaces. Lastly, the impact different texturing methods has on
photovoltaic performance is investigated. From the short-circuit
current density and internal quantum efficiency, it can be
concluded that the ultrafast laser texturing has the least impact
on fabricated solar cells with short-circuit current densities over
39 mA/cm2 making it an ideal alternative to create light trapping
structures for silicon photovoltaics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การจำลอง Monte Carlo ของเร็วมากพื้นผิวซิลิคอนเลเซอร์พื้นผิว
ก็สามารถสรุปได้ว่า (ก) กลไกของการ
ดักแสงเกิดขึ้นส่วนใหญ่ผ่านการสะท้อนหลาย (ข) ปรากฏพื้นผิว
สีดำได้ด้วยตาเปล่าด้วยการสะท้อนจากไม่กี่เปอร์เซ็นต์กว่า หลากหลาย
สเปกตรัมและเชิงมุม (c) การสูญเสียเป็นหลักเนื่องจากการกระเจิง
ด้วยเล็กน้อยสะท้อน (o0.1%) และ (ง)
การลดลงของความยาวคลื่นยาว (l ¼ 1310 และ 1550 นาโนเมตร) การดูดซึม
เนื่องจากจะมีการรวมกำมะถันในเร็วซิลิคอนพื้นผิวพื้นผิวเลเซอร์
สุดท้ายวิธีการพื้นผิวที่แตกต่างกันผลกระทบที่มีต่อประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์
ถูกสอบสวน จากความหนาแน่นของการลัดวงจร
ปัจจุบันและมีประสิทธิภาพควอนตัมภายในก็สามารถ
สรุปว่าเร็วมากเลเซอร์พื้นผิวมีผลกระทบน้อย
เมื่อเซลล์แสงอาทิตย์ประดิษฐ์ที่มีความหนาแน่นกระแสลัดวงจรกว่า
39 ma/cm2 ทำให้มันเป็นทางเลือกที่เหมาะในการสร้างโครงสร้าง
ดักแสงสำหรับเซลล์สุริยะซิลิคอน.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

จำลองมงต์การ์โลของเลเซอร์ ultrafast พื้นผิวพื้นผิวซิลิกอน,
นั้นสามารถสรุปได้ที่ (ก) ระบบกลไกดักแสง
เกิดขึ้นส่วนใหญ่ผ่านสะท้อนหลาย, (ข) พื้นผิวปรากฏ
ดำตาเปล่ากับภาพสะท้อนของเปอร์เซ็นต์น้อยกว่าเป็น
สเปกตรัม และแองกูลาร์, (c) การสูญเสียมีครบกำหนดเพื่อเป็นหลัก
โปรยสะท้อนแสงสะท้อนแบบกระจกระยะ (o0.1%) และ (d)
ลดความยาวคลื่นยาว (l¼1310 และ 1550 nm) ดูดซึม
เนื่องจากประสานกำมะถันในเลเซอร์ ultrafast พื้นผิวซิลิกอน
พื้นผิว สุดท้ายนี้ ผลกระทบพื้นผิววิธีอื่นมี
สอบสวนประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ จากวงจรสั้น
ปัจจุบันความหนาแน่นและมีประสิทธิภาพภายในควอนตัม สามารถ
สรุปว่า เลเซอร์ ultrafast คุณลักษณะที่มีผลกระทบน้อยที่สุด
ในเซลล์แสงอาทิตย์ประกอบด้วยลัดวงจรปัจจุบันความหนาแน่นมากกว่า
39 mA/cm2 ทำให้ทางเลือกที่เหมาะสร้างดักแสง
โครงสร้างสำหรับแผงเซลล์แสงซิลิคอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Monte Carlo จำลองของ ultrafast เลเซอร์ผมหยักศกซิลิกอนบนพื้นผิว,
มันสามารถจะสรุปได้ว่า( A )ที่จับตัวของกลไกการทำงานของไฟ
เกิดขึ้นส่วนใหญ่จะผ่านแสงสะท้อนหลาย,( B )พื้นผิวสีดำจะปรากฏขึ้น
ซึ่งจะช่วยในการที่เปลือยกายตาด้วยที่สะท้อนถึงความในช่วงที่กว้างและ
ซึ่งจะช่วยการปรับมุมเสียดทานช่วง,( C )ให้ความสูญเสียเป็นหลักเนื่องจาก
โรยหน้าด้วยระบบ( O ( Titration , 0.1 NaOH )และการสะท้อนแสง specular ( D )
ในการลดความยาวคลื่นยาว( NM L วันทอง 1310 และ 1550 )ช่วยดูดซับ
เนื่องจากในการจดทะเบียนบริษัทกำมะถันในซิลิโคนผมหยักศกเลเซอร์ ultrafast
พื้นผิว. ประการสุดท้ายผลกระทบต่อวิธีการ texturing แตกต่างกันมี ประสิทธิภาพ การทำงาน
Solar มีการสอบสวน จากความจุไฟฟ้าลัดวงจร
ปัจจุบันที่มี ประสิทธิภาพ และควอนตัม ภายใน และสามารถ
สรุปว่า texturing ultrafast เลเซอร์ที่มีผลกระทบต่ออย่างน้อยที่
ตามมาตรฐานอะไรก็ตามในเซลล์แสงอาทิตย์พร้อมด้วยไฟฟ้าลัดวงจรปัจจุบันหนาแน่นมากกว่า
39 mA /ซม. 2 ทำให้เหมาะสมอย่างดีเยี่ยมเพื่อเป็นทางเลือกแบบเบาๆจับบอล
ซึ่งจะช่วยสร้างโครงสร้างสำหรับซิลิโคน photovoltaics .