Fig. 2: MOSFET used as constant cur

Fig. 2: MOSFET used as constant current source. The current flow through the fan is controlled exclusively by the
VGS voltage at the MOSFET gate.The red point in the output characteristics diagram on the right hand side indicates
a potential operation point of the MOSFET in the linear region.
Partial linear mode operation – e-fuse, load-switch
In e-fuse applications or load-switches the MOSFET can be used to maintain slow turn on avoiding high inrush
currents. For e-fuse applications an e-fuse controller senses the current and controls the current flow by varying the
MOSFET VGS voltage. In doing so the MOSFET briefly operates in linear mode. The VGS voltage is being increased
only slowly until the full current flows and finally the MOSFET is being operated in the ohmic region. The diagram on
the right part of Fig. 3 illustrates the three operation states of the MOSFET in the output characterstics diagram.
At first the MOSFET is off and the entire voltage drops across the MOSFET. Then the VGS voltage is being
increased continiously and drain current starts to flow. At this point the MOSFET operates in linear mode which is
shown as 2nd operational state in the diagram. Here the SOA becomes relevant. Finally the MOSFET is fully
enhanced (turned on) and it is being operated in the ohmic region. The same three operational states occur when
the MOSFET is used as a load switch. Critical for the MOSFET is the time in linear mode which depends on the
load-switch controller (or the e-fuse controller) timing. Typical timings are in the range of μ-seconds and may even

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 2: มอสเฟตใช้เป็นแหล่งคงปัจจุบัน ควบคุมกระแสปัจจุบันผ่านพัดลมโดยเฉพาะแรงดัน VGS ที่ประตูมอสเฟต บ่งชี้จุดสีแดงในไดอะแกรมลักษณะผลผลิตทางด้านขวามือเป็นจุดเป้าหมายการดำเนินงานของมอสเฟตในภูมิภาคเชิงเส้นการดำเนินงานเชิงเส้นบางส่วน – อีชนวน โหลดสลับในโปรแกรมประยุกต์อีฟิวส์หรือสวิตช์โหลด มอสเฟตสามารถใช้รักษาช้าเปิดใช้กระแสกระชากสูงหลีกเลี่ยงกระแส สำหรับการใช้งาน e-ฟิวส์ ตัวควบคุมอีชนวนความรู้สึกปัจจุบัน และควบคุมไหลปัจจุบัน โดยแตกต่างกันแรงดัน VGS มอสเฟต ใน มอสเฟตสั้น ๆ ดำเนินในเชิง เป็นการเพิ่มแรงดัน VGSเฉพาะอย่างช้า ๆ จนกว่าขั้นตอนทั้งหมดปัจจุบัน และสุดท้ายมอสเฟตกำลังดำเนินการในภูมิภาคแบบโอห์มมิค ไดอะแกรมบนส่วนขวาของ Fig. 3 แสดงอเมริกา 3 การดำเนินงานของมอสเฟตในไดอะแกรม characterstics ผลผลิตตอนแรกมอสเฟตที่ปิดอยู่ และแรงดันทั้งหยดข้ามมอสเฟต แล้ว แรงดัน VGSเพิ่มขึ้น continiously และท่อระบายน้ำปัจจุบันเริ่มไหล จุดนี้ มอสเฟตทำงานเชิงเส้นซึ่งเป็นแสดงเป็นสถานะการทำงาน 2 ในแผนภาพ ที่นี่ SOA กลายเป็นที่เกี่ยวข้อง ในที่สุด มอสเฟตมีพิเศษ (เปิด) และจะถูกดำเนินการในภูมิภาคแบบโอห์มมิค อเมริกาดำเนินงานสามเดียวเกิดขึ้นเมื่อใช้มอสเฟตที่เป็นสวิตช์โหลด สำคัญสำหรับการมอสเฟตเป็นเวลาเชิงเส้นซึ่งขึ้นอยู่กับการโหลดสวิตช์ควบคุม (หรือตัวควบคุมอีชนวน) กำหนดเวลา เวลาปกติในช่วงวินาทีμ และอาจถึง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ 2: MOSFET ใช้เป็นแหล่งคงที่ในปัจจุบัน การไหลของกระแสผ่านพัดลมจะถูกควบคุมโดยเฉพาะ
แรงดัน VGS ที่จุด MOSFET gate.The สีแดงในการส่งออกในลักษณะแผนภาพด้านขวามือแสดงให้เห็น
จุดที่อาจเกิดขึ้นจากการดำเนินงานของมอสเฟตในภูมิภาคเชิงเส้น.
ทำงานในโหมดเชิงเส้นบางส่วน - e -fuse โหลดสวิทช์
ในการใช้งาน E-ฟิวส์หรือโหลดสวิทช์ MOSFET สามารถนำมาใช้ในการรักษาเปิดช้าในการหลีกเลี่ยงการไหลเข้าสูง
กระแส สำหรับการใช้งาน E-ฟิวส์ควบคุม E-ฟิวส์ความรู้สึกในปัจจุบันและการควบคุมการไหลของกระแสโดยการเปลี่ยนแปลง
แรงดันไฟฟ้า MOSFET VGS ในการทำเช่น MOSFET สั้น ๆ ทำงานในโหมดเชิงเส้น แรงดัน VGS จะถูกเพิ่มขึ้น
เพียงช้าจนการไหลของกระแสเต็มรูปแบบและในที่สุดมอสเฟตจะถูกดำเนินการในภูมิภาค ohmic แผนภาพใน
ส่วนขวาของรูป 3 แสดงให้เห็นถึงการดำเนินงานของรัฐที่สามของมอสเฟตในการส่งออกแผนภาพ characterstics.
ตอนแรก MOSFET ปิดและแรงดันไฟฟ้าที่ลดลงทั่วทั้ง MOSFET จากนั้นแรงดัน VGS จะถูก
เพิ่มขึ้น continiously และท่อระบายน้ำเริ่มกระแสไหล เมื่อมาถึงจุด MOSFET นี้ทำงานในโหมดเชิงเส้นซึ่งจะ
แสดงให้เห็นว่าการดำเนินงานของรัฐ 2 ในแผนภาพ นี่ SOA จะกลายเป็นที่เกี่ยวข้อง สุดท้าย MOSFET เป็นอย่าง
ที่เพิ่มขึ้น (เปิด) และมันจะถูกดำเนินการในภูมิภาค ohmic เช่นเดียวกับที่สามรัฐในการดำเนินงานเกิดขึ้นเมื่อ
มอสเฟตที่ใช้เป็นสวิทช์โหลด ที่สำคัญสำหรับ MOSFET เป็นเวลาที่อยู่ในโหมดการเชิงเส้นซึ่งขึ้นอยู่กับ
การควบคุมโหลดสวิทช์ (หรือตัวควบคุม E-ฟิวส์) ระยะเวลา การกำหนดเวลาโดยทั่วไปอยู่ในช่วงของμวินาทีและอาจแม้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 2 : มอสเฟตที่ใช้เป็นแหล่งจ่ายกระแสคงที่ . กระแสไหลผ่านพัดลมจะถูกควบคุมโดยเฉพาะ
วีจีเแรงดันที่เกต มอสเฟต สีแดงจุดในลักษณะผลผลิตแผนภาพด้านขวามือแสดงการศักยภาพการดำเนินงานจุดของมอสเฟตในภูมิภาค เชิงเส้นเชิงเส้นโหมดปฏิบัติการ– e-fuse
บางส่วนสลับโหลด
ในการใช้งาน e-fuse หรือสวิตช์โหลด MOSFET สามารถใช้รักษาเปิดช้าในการหลีกเลี่ยงกระแสไหล
สูง สำหรับการใช้งาน e-fuse เป็น e-fuse ควบคุมความรู้สึกในปัจจุบันและการควบคุมการไหลของกระแส โดยการเปลี่ยนแปลง
MOSFET วีจีเ แรงดันไฟฟ้า ในการทำดังนั้น MOSFET สั้นการในโหมดการเชิงเส้น โดยแรงดันจะถูกเพิ่มขึ้น
วีจีเแต่ช้าจนไหลเต็มในปัจจุบันและในที่สุดมอสเฟตกำลังดำเนินการในเขตค่า . แผนภาพที่
ส่วนขวาของรูปที่ 3 แสดงให้เห็นถึงสามงานรัฐของมอสเฟตในการส่งออก characterstics แผนภาพ .
ตอนแรก MOSFET ปิดลดลงแรงดันทั้งหมดข้าม MOSFET . จากนั้นวีจีเแรงดันถูก
เพิ่มขึ้น continiously และท่อระบายน้ำเริ่มกระแสไหลณจุดนี้ในโหมดการเชิงเส้น MOSFET ซึ่ง
แสดงเป็น 2 งานรัฐในแผนภาพ ที่นี่ SOA จะกลายเป็นที่เกี่ยวข้อง ในที่สุดมอสเฟตครบ
เพิ่มขึ้น ( เปิด ) และมันจะถูกดำเนินการในเขตค่า . เดียวกันสามปฏิบัติการสหรัฐอเมริกาเกิดขึ้นเมื่อ
MOSFET ใช้เป็นโหลดเปลี่ยน ที่สําคัญของมอสเฟตคือเวลาเชิงเส้นโหมดซึ่งขึ้นอยู่กับ
เปลี่ยนตัวควบคุมโหลด ( หรือ e-fuse ควบคุม ) เวลา ปกติเวลาอยู่ในช่วงของμ - วินาที และอาจแม้แต่