2. Experimental details2.1. Materia

2. Experimental details
2.1. Materials
Diethyl Zinc (DEZ) (Zn(CH2CH3)2, 95% purity, CAS: 557-20-0) and
Trimethylaluminum (TMA) ((CH3)3Al) 98% purity, CAS: 75-24-1)
were obtained from Sigma Aldrich. Silicon wafer p-type (100) and
glass substrates were purchased from MEMC Korea Company and RS
France respectively.
2.2. Synthesis of Al2O3/ZnO ultrathin nanolaminates
Silicon and glass substrates were pre-cleaned in acetone, ethanol
and deionized water. A custom made ALD reactor was used for the synthesis
of ultrathin Al2O3/ZnO nanolaminates. ALD was performed using
sequential exposures of TMA (DEZ) and H2O separated by a purge of
argon with a flow rate of 100 sccm. The deposition regime for ZnO
and Al2O3 consisted of 0.1 s pulse of TMA (DEZ), 30 s of exposure to
TMA (DEZ), 30 s of purge with argon followed by 2 s pulse of H2O,
30 s of exposure to H2O and finally 40 s purge with argon. Al2O3/ZnO ultrathin
nanolaminates with different number of cycles were deposited
both on Si substrates and glass substrates by ALD (Table 1), the temperature
was fixed to 100 °C

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. รายละเอียดทดลอง2.1. วัสดุDiethyl สังกะสี (DEZ) (Zn (CH2CH3) ความบริสุทธิ์ 95% 2 CAS: 557-20-0) และTrimethylaluminum (TMA) ((CH3) 3 al) ความบริสุทธิ์ 98%, CAS: 75-24-1)ได้รับจาก Sigma Aldrich ซิลิคอนเวเฟอร์ชนิด p (100) และซื้อจาก บริษัทเกาหลี MEMC และ RS รตแก้วประเทศฝรั่งเศสตามลำดับ2.2. การสังเคราะห์ของ Al2O3/ZnO เฉียบ nanolaminatesซิลิโคนและกระจกพื้นผิวถูกทำความสะอาดไว้ล่วงหน้าในอะซิโตน เอทานอลและจุ เองได้ใช้ ALD ปฏิกรณ์สำหรับการสังเคราะห์ความบางเฉียบ Al2O3/ZnO nanolaminates ALD ดำเนินการโดยใช้คตามลำดับของ TMA (DEZ) และคั่น ด้วยการล้างข้อมูลของ H2Oอาร์กอน มีอัตราการไหล 100 โหวต ระบอบการปกครองสะสมสำหรับ ZnOและประกอบด้วย Al2O3 0.1 s ชีพจรของ TMA (DEZ), 30 s กับแสงTMA (DEZ), 30 ของการล้างข้อมูลด้วยอาร์กอนตาม ด้วย 2 s ชีพจรของ H2O30 s กับ H2O และสุดท้าย 40 s กำจัด ด้วยอาร์กอนแสง Al2O3/ZnO บางเฉียบnanolaminates กับจำนวนรอบต่าง ๆ มาฝากทั้งบนพื้นผิวสีและพื้นผิวแก้วจัดสร้าง โดย ALD (ตาราง 1), อุณหภูมิคงถึง 100 ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. รายละเอียดการทดลอง
2.1 วัสดุ
Diethyl สังกะสี (DEZ) (Zn (CH2CH3) 2, 95% ความบริสุทธิ์ CAS: 557-20-0) และ
Trimethylaluminum (TMA) ((CH3) 3AL) 98% ความบริสุทธิ์ CAS: 75-24-1)
ที่ได้รับ จากซิกดิช เวเฟอร์ซิลิคอนชนิดพี (100) และ
กระจกพื้นผิวที่ซื้อมาจาก บริษัท MEMC เกาหลีและอาร์เอส
ฝรั่งเศสตามลำดับ.
2.2 การสังเคราะห์ Al2O3 / ZnO บางเฉียบ nanolaminates
ซิลิคอนและกระจกพื้นผิวที่ได้รับการทำความสะอาดก่อนในอะซีโตนเอทานอล
และน้ำปราศจากไอออน เครื่องปฏิกรณ์มรกตทำเองที่ใช้สำหรับการสังเคราะห์
ของ nanolaminates บางเฉียบ Al2O3 / ZnO มรกตได้รับการดำเนินการโดยใช้
ความเสี่ยงตามลำดับของ TMA (DEZ) และ H2O แยกจากกันโดยล้างของ
อาร์กอนที่มีอัตราการไหล 100 SCCM ระบอบการปกครองของพยานสำหรับซิงค์ออกไซด์
และ Al2O3 ประกอบด้วย 0.1 s ชีพจรของ TMA (DEZ) 30 วินาทีจากการสัมผัสกับ
TMA (DEZ) วันที่ 30 ของการล้างด้วยอาร์กอนตามด้วย 2 วินาทีชีพจรของ H2O,
30 วินาทีจากการสัมผัสกับ H2O และในที่สุด ล้าง 40 s กับอาร์กอน Al2O3 / ZnO บางเฉียบ
nanolaminates ที่มีจำนวนแตกต่างกันของรอบมีเงิน
ทั้งบนพื้นผิวสีและพื้นผิวแก้วโดยมรกต (ตารางที่ 1) ที่อุณหภูมิ
คงที่ 100 ° C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . รายละเอียดของการทดลอง2.1 . วัสดุ( เดซ ) ไดสังกะสี ( Zn ( ch2ch3 ) 2 , 95% ความบริสุทธิ์ , CAS : 557-20-0 ) และtrimethylaluminum ( TMA ) ( ( CH3 ) 3al ) 98% ความบริสุทธิ์ , CAS : 75-24-1 )ได้จากซิกม่า อัลดริช เวเฟอร์ซิลิคอนพี ( 100 )พื้นผิวแก้วซื้อจากบริษัท MEMC RS และเกาหลีฝรั่งเศส ตามลำดับ2.2 . การสังเคราะห์อนุพันธ์ของซิงค์ออกไซด์ Al2O3 / ultrathin nanolaminatesซิลิคอนและแก้วพื้นผิวถูกก่อนทำความสะอาดในอะซิโตน เอทานอลคล้ายเนื้อเยื่อประสานและน้ำ เองได้ใช้เครื่องปฏิกรณ์ ald สำหรับการสังเคราะห์ของ ultrathin Al2O3 / ZnO nanolaminates . ald คือมีประสิทธิภาพในการลำดับความเสี่ยงของ TMA ( เดซ ) และ H2O โดยแยกจัดของอาร์กอน ด้วยอัตราการไหล 100 sccm . ระบอบการสะสมสำหรับซิงค์ออกไซด์และ จำนวน 0.1 s Al2O3 ชีพจรของ TMA ( เดซ ) , 30 วินาทีในการเปิดรับTMA ( เดซ ) , 30 s Purge กับอาร์กอน ตามด้วย 2 S ชีพจรของ H2O ,30 วินาทีของการ H2O และสุดท้าย 40 s Purge กับอาร์กอน ซิงค์ออกไซด์ Al2O3 / ultrathinnanolaminates ที่มีจำนวนแตกต่างกันของรอบมาฝากทั้งบนพื้นผิวและพื้นผิวโดย ald แก้วศรี ( ตารางที่ 1 ) , อุณหภูมิมันคงถึง 100 ° C