SAMPLE-AND-HOLD CIRCUITSCircuit Op

SAMPLE-AND-HOLD CIRCUITSCircuit Operation
During the sampling time, or acquisition time (t1 in Fig.7-13(c)), C1 is charged via the FET channel resistance (RDS(on)).

If the sampling time is t1 = 5CRDS(on), the capacitor is charged to 0.993 of the input voltage, resulting in a 0.7% error in the sample amplitude.

If t1 = 7CRDS(on) is used, the error is 0.1%.

During the holding time (t2 = th in Fig.7-13(c)), the capacitor is partially discharged, exactly like the case of the peak detector circuit.
Capacitor discharge current (Id)
Id = input bias current (IB(max)) of op-amp A2 + FET gate-source reverse leakage current (IGSS )
Id = IB(max) + IGSS
Op-amp A2 should have a very low input bias current (IB).
Q1 should have a very low gate-source reverse leakage current (IGSS).
Q1 should also have a low channel resistance (RDS(on)) for rapid charge and discharge of C1.
The capacitor should have a low leakage dielectric.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การดำเนินการของวงจรวงจรตัวอย่าง และถือ ในระหว่างเวลาที่สุ่มตัวอย่าง หรือซื้อเวลา (t1 ใน Fig.7-13(c)), C1 คิดผ่านต้านทานช่อง FET (RDS(on)) ถ้าสุ่มตัวอย่างเวลา t1 = 5CRDS(on) ตัวเก็บประจุที่คิด 0.993 ของแรงดันอินพุต เกิดข้อผิดพลาด 0.7% ในคลื่นตัวอย่าง ถ้า t1 =ใช้ 7CRDS(on) ข้อผิดพลาดเป็น 0.1% เวลาถือ (t2 = th ใน Fig.7-13(c)) ตัวเก็บประจุมีบางส่วนออก เหมือนกับกรณีของวงจรตรวจจับสูงสุด ปัจจุบันปลดประจำการตัวเก็บประจุ (Id) รหัส =ความโน้มเอียงเข้าปัจจุบัน (IB(max)) ของ op-amp A2 + FET เกแหล่งกลับกระแสรั่วไหล (IGSS) รหัส = IB(max) + IGSS Op-amp A2 ควรมีต่ำมากสำหรับการป้อนค่าความโน้มเอียงปัจจุบัน (IB) ไตรมาสที่ 1 ควรมีเป็นต้นประตูต่ำมากย้อนกระแสรั่วไหล (IGSS) ไตรมาสที่ 1 ควรมีช่องต่ำต้าน (RDS(on)) ค่าธรรมเนียมอย่างรวดเร็วและปล่อยของ C1 ตัวเก็บประจุควรมี dielectric รั่วไหลต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างและถือวงจร? วงจรการดำเนินงาน
ในช่วงเวลาการสุ่มตัวอย่างหรือเวลาการเข้าซื้อกิจการ (t1 ใน Fig.7-13 (c)) C1 เป็นค่าใช้จ่ายผ่านทางช่องทางต้านทาน FET (RDS (บน)). หากเวลาการสุ่มตัวอย่างอยู่ t1 = 5CRDS (บน) ตัวเก็บประจุเป็นค่าใช้จ่าย 0.993 ของแรงดันไฟฟ้าที่มีผลในข้อผิดพลาด 0.7% ในตัวอย่างกว้าง. หาก t1 = 7CRDS (บน) ถูกนำมาใช้เป็นข้อผิดพลาด 0.1%. ในช่วงเวลาที่ถือครอง ( t2 = ครั้งใน Fig.7-13 (c)) ตัวเก็บประจุหมดบางส่วนเหมือนกรณีของวงจรตรวจจับสูงสุด. ปล่อยประจุปัจจุบัน (Id) Id = อคติการป้อนข้อมูลปัจจุบัน (IB (สูงสุด)) ของ op- แอมป์ A2 + FET ประตูย้อนกลับแหล่งที่มาของการรั่วไหลของปัจจุบัน (IGSS) Id = IB (สูงสุด) + IGSS A2 Op แอมป์ควรจะมีอคติการป้อนข้อมูลที่ต่ำมากในปัจจุบัน (IB). ไตรมาสที่ 1 ปีควรจะมีต่ำมากประตูย้อนกลับแหล่งที่มาของการรั่วไหลของปัจจุบัน ( IGSS). ไตรมาสที่ 1 ปีนอกจากนี้ยังควรมีความต้านทานต่ำช่อง (RDS (บน)) สำหรับค่าใช้จ่ายได้อย่างรวดเร็วและปล่อย C1. ควรจะมีตัวเก็บประจุอิเล็กทริกรั่วไหลต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

sample-and-hold วงจรวงจรปฏิบัติการ 
ในการสุ่มตัวอย่างในเวลาหรือการซื้อเวลา ( T1 ใน fig.7-13 ( C ) C1 จะมีค่าบริการผ่านทางช่องทางต้านทานเฟต ( RDS ( บน )

ถ้าการสุ่มตัวอย่างเวลา T1 = 5crds ( บน ) , ตัวเก็บประจุจะมีค่าบริการ 0.993 ของแรงดันที่เกิดข้อผิดพลาด 0.7% ในตัวอย่างขนาด

ถ้า T1 = 7crds ( ) คือการใช้ข้อผิดพลาด 0.1 %

ในช่วงระยะเวลา ( T2 = th ใน fig.7-13 ( C ) , ตัวเก็บประจุบางส่วนออกไป เหมือนกรณีของยอดตรวจจับวงจร
กระแสไฟฟ้าประจุ ( ID )
id = ใส่อคติในปัจจุบัน ( IB ( max ) ) ของ OP แอมป์เฟทเกท A2 แหล่งกระแสรั่วไหลย้อนกลับ ( igss )
id = IB ( สูงสุด ) igss
OP แอมป์ A2 ควรมีต่ำมากใส่อคติในปัจจุบัน ( IB )
1 ควรมีต่ำมากประตูที่มาย้อนกลับการรั่วไหลในปัจจุบัน ( igss )
1 ควรมีช่องทางน้อยความต้านทาน ( RDS ( on ) สำหรับค่าธรรมเนียมอย่างรวดเร็ว และการคายประจุของ C1 .
ตัวเก็บประจุน่าจะต่ำ รั่ว ฉนวน .