Recombination in silicon and german

Recombination in silicon and germanium takes place primarily through
energy states or recombination centers within the forbidden gap caused by
lattice defects or impurity atoms. For instance, a conduction band electron
might fall into a recombination center. If a valence band hole then
falls into the same center, a hole-electron pair has been annihilated and
recombination has occured. Sometimes, however, centers exist for which a captured electron is more likely to be emitted to the conduction band
than to recombine with a hole. The electron is said to be trapped and
the center is called a trap. If recombination does not occur, the electron
remains trapped until it is excited to the conduction band. Such
excitation may require much more time than recombination through ordinary
recombination centers. The trapping of holes is analogous to that of
electrons. If minority carriers are trapped, photoconductive decay is
governed by the release of minority carriers from the traps and the result
is an erroneously long t-prj) measurement. Experimental studies of
the phenomenon of trapping [43-46] and mathematical models to describe
the behavior of excess carriers in the presence of trapping [31, 44] are reported in the literature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รวมตัวกันในซิลิคอนและเจอร์เมเนียมเกิดผ่านเป็นหลักสถานะพลังงานหรือรวมตัวกันที่ศูนย์ภายในเกิดจากช่องว่างต้องห้ามตาข่ายบกพร่องหรืออะตอมบริสุทธิ์ เช่น การนำวงอิเล็กตรอนอาจตกเป็นศูนย์กลางรวมตัวกันอีกรอบ ถ้าวาเลนซ์แบนด์หลุมแล้วอยู่ในศูนย์เดียวกัน การกำจัดคู่อิเล็กตรอนหลุม และรวมตัวกันเกิดขึ้น บางครั้ง อย่างไรก็ตาม ศูนย์อยู่ซึ่งอิเล็กตรอนที่จับมักขึ้นได้จากการนำวงดนตรีกว่าจะ recombine กับหลุม บอกว่า ติดกับอิเล็กตรอน และศูนย์กลางเรียกว่ากับดัก หากรวมตัวกันเกิด อิเล็กตรอนยังคงติดอยู่จนมันรู้สึกตื่นเต้นที่จะนำวงดนตรี ดังกล่าวกระตุ้นอาจต้องใช้เวลามากขึ้นกว่าการรวมตัวกันผ่านธรรมดาศูนย์รวมตัวกัน การจับของหลุมเป็นคล้ายกับของอิเล็กตรอน ถ้าติดอยู่ให้บริการชนกลุ่มน้อย สลายตัว photoconductive เป็นควบคุม โดยการเปิดตัวของชนกลุ่มน้อยผู้จากกับดักและผลจะมีผลยาว t prj) วัด การศึกษาทดลองปรากฏการณ์ของการดักจับ [43-46] และแบบจำลองทางคณิตศาสตร์เพื่ออธิบายลักษณะการทำงานของผู้ให้บริการส่วนเกินในที่ดัก [31, 44] มีรายงานในวรรณคดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การรวมตัวกันในซิลิคอนและเจอร์เมเนียมที่เกิดขึ้นส่วนใหญ่ผ่าน
รัฐพลังงานหรือศูนย์การรวมตัวกันอยู่ภายในช่องว่างที่ต้องห้ามที่เกิดจาก
ข้อบกพร่องตาข่ายหรืออะตอมไม่บริสุทธิ์ ยกตัวอย่างเช่นอิเล็กตรอนการนำวง
อาจจะตกอยู่ในศูนย์รวมตัวกันอีก ถ้าหลุม Valence รัดแล้ว
ตกอยู่ในศูนย์เดียวกันคู่หลุมอิเล็กตรอนได้รับการทำลายและ
การรวมตัวกันเกิดขึ้น อย่างไรก็ตามบางครั้งศูนย์อยู่ที่อิเล็กตรอนที่ถูกจับมีแนวโน้มที่จะถูกปล่อยออกมาเพื่อการนำวงดนตรี
กว่าที่จะรวมตัวกับหลุม อิเล็กตรอนมีการกล่าวถึงถูกขังอยู่และ
ศูนย์ที่เรียกว่ากับดัก ถ้ารวมตัวกันอีกไม่เกิดขึ้นอิเล็กตรอน
ยังคงติดอยู่จนกว่าจะมีความตื่นเต้นที่จะการนำวงดนตรี ดังกล่าว
กระตุ้นอาจต้องใช้เวลามากขึ้นกว่าที่ผ่าน recombination สามัญ
ศูนย์รวมตัวกันอีก วางกับดักของหลุมจะคล้ายคลึงกับที่ของ
อิเล็กตรอน หากผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยจะถูกขังอยู่ผุ photoconductive ถูก
ควบคุมโดยการเปิดตัวของสายการบินชนกลุ่มน้อยจากกับดักและผลที่ได้
เป็นเวลานานอย่างไม่ถูกต้อง T-PRJ) วัด การศึกษาทดลองของ
ปรากฏการณ์ของการวางกับดัก [43-46] และแบบจำลองทางคณิตศาสตร์เพื่ออธิบาย
พฤติกรรมของผู้ให้บริการส่วนเกินในการปรากฏตัวของโพ [31 44] จะมีการรายงานในวรรณคดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในซิลิคอนเจอร์เมเนียมและการใช้สถานที่เป็นหลัก ผ่านหรือศูนย์พลังงานสหรัฐอเมริกาภายในช่องว่างที่เกิดจากการห้ามข้อบกพร่องขัดแตะหรือความมัวหมองอะตอม สำหรับอินสแตนซ์ นำวงดนตรีอิเล็กตรอนอาจจะอยู่ในศูนย์การ . ถ้าเป็นวง 2 หลุมแล้วอยู่ในศูนย์เดียวกัน หลุมอิเล็กตรอนคู่ได้ถูกทำลายและการได้เกิดขึ้น บางครั้ง อย่างไรก็ตาม ศูนย์อยู่ที่จับอิเล็กตรอนมีแนวโน้มที่จะถูกปล่อยออกมาเพื่อนำวงดนตรีกว่าแขกมีรู อิเล็กตรอนจะติดและศูนย์การโทรกับดัก ถ้าการไม่เกิดขึ้น , อิเล็กตรอนยังคงติดอยู่จนมันรู้สึกตื่นเต้นที่จะนำวงดนตรี . เช่นและอาจต้องใช้เวลามากกว่าการผ่านธรรมดาศูนย์การ . การดักของหลุมจะคล้ายคลึงกับที่ของอิเล็กตรอน หากผู้ให้บริการส่วนน้อยจะติดอยู่ photoconductive ผุ คือควบคุมโดยการปล่อยของพาหะส่วนน้อยจากกับดักและผลคือ ผลยาว t-prj ) วัด การศึกษาทดลองของปรากฏการณ์ของการ 43-46 ] และ [ แบบจำลองทางคณิตศาสตร์เพื่ออธิบายพฤติกรรมของพาหะส่วนเกินในการวางกับดัก [ 31 , 44 ] มีรายงานในวรรณคดี