High purity commercially available

High purity commercially available ZnO (99.9%, Aladdin) with an average grain size of
113 nm and
336 nm powders were utilized to fabricate the ZnO ceramics, designed as samples A and B, respectively. The powders were firstly high-pressure treated (HPT) at 4.4 GPa for 5 min as described elsewhere [11], then the ceramics were sintered at 1250 C for 2 h in a conventional
electric furnace and then cooled down to room temperature in air. The bulk density was obtained using the Archimedes method. The crystalline phase identification was determined using X-ray
diffractometry (X’pert Pro PANalytical) with Cu Ka radiation. The microstructures of the ZnO ceramic pieces were characterized by scanning electron microscopy (SEM, FEI Quanta 250).
After polishing and cleaning, silver paste was coated on both sides of the ZnO pieces and then cured at 100 C for 3 h. Finally, the dielectric responses of the samples were measured using an
Agilent 4294A Precision LCR Meter over a frequency range of 40–100 MHz. The AC impedance spectra were measured at room temperature in a frequency range from 0.1 Hz to 10 kHz by
electrochemistry station (CHI660E, Shanghai) with test signal level of 0.5 V.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความบริสุทธิ์สูงในเชิงพาณิชย์ที่มี ZnO (99.9% อะลาดิน) ที่มีขนาดเมล็ดเฉลี่ย 113 nm และ 336 nm ผงใช้ในการประดิษฐ์เซรามิกส์ ZnO ออกแบบมาเป็นตัวอย่าง A และ B ตามลำดับ ผงกำลังแรกรักษาแรงดันสูง (HPT) 4.4 GPa 5 นาทีเป็นอธิบายอื่น ๆ [11], แล้วเซรามิกถูกเผา 1250 c เป็นเวลา 2 ชม.ในการทั่วไปเตาไฟฟ้าแล้ว เย็นลงที่อุณหภูมิห้องในอากาศ ความหนาแน่นได้รับโดยใช้วิธีการคิ กำหนดรหัสเฟสผลึกโดยใช้เอ็กซเรย์diffractometry (X'pert Pro PANalytical) กับรังสี Cu Ka โครงสร้างระดับจุลภาคของเซรามิกชิ้น ZnO ถูกลักษณะ โดยการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM เฟยควอนตั้ม 250)หลังจากขัด และทำความสะอาด วางเงินเคลือบทั้งสองด้านของชิ้นส่วน ZnO แล้ว หายขาด 100 c เป็นเวลา 3 ชั่วโมง ในที่สุด การตอบสนองเป็นฉนวนตัวอย่างถูกวัดโดยใช้การเครื่องวัด LCR แม่นยำ Agilent 4294A ในช่วงความถี่ 40-100 MHz ได้ที่อุณหภูมิห้องในช่วงความถี่ตั้งแต่ 0.1 Hz ถึง 10 kHz โดยวัดสเปกตรัมความต้านทาน ACไฟฟ้าเคมีสถานี (CHI660E เซี่ยงไฮ้) กับระดับสัญญาณทดสอบ 0.5 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มีความบริสุทธิ์สูงใช้ได้ในเชิงพาณิชย์ซิงค์ออกไซด์ (99.9%, Aladdin) ที่มีขนาดเม็ดเฉลี่ยของ? 113 นาโนเมตรและ? 336 ผงนาโนเมตรถูกนำมาใช้ในการประดิษฐ์เซรามิกส์ ZnO, การออกแบบเป็นตัวอย่าง A และ B ตามลำดับ ผงเป็นประการแรกแรงดันสูงได้รับการรักษา (HPT) ที่ 4.4 เกรดเฉลี่ยสำหรับ 5 นาทีตามที่อธิบายไว้ในที่อื่น ๆ [11] จากนั้นเซรามิกที่ถูกเผาที่ 1250 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 ชั่วโมงในการชุมนุม
เตาไฟฟ้าแล้วเย็นลงที่อุณหภูมิห้องในอากาศ . ความหนาแน่นที่ได้รับโดยใช้วิธี Archimedes บัตรประจำตัวผลึกถูกกำหนดโดยใช้รังสีเอ็กซ์
มาตรการเลี้ยวเบน (X'pert Pro PANalytical) กับการฉายรังสี Cu กา โครงสร้างจุลภาคของชิ้นเซรามิก ZnO โดดเด่นด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM เฟควอนตั้ม 250).
หลังจากขัดและทำความสะอาดวางเงินเคลือบทั้งสองด้านของชิ้น ZnO แล้วหายที่ 100 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 3 ชั่วโมง ในที่สุดการตอบสนองอิเล็กทริกของกลุ่มตัวอย่างถูกวัดโดยใช้
Agilent 4294A Precision LCR Meter ช่วงความถี่ของ 40-100 MHz ความต้านทานสเปกตรัม AC วัดที่อุณหภูมิห้องในช่วงความถี่จาก 0.1 Hz ถึง 10 kHz โดย
สถานีไฟฟ้า (CHI660E เซี่ยงไฮ้) ที่มีระดับสัญญาณทดสอบ 0.5 โวลต์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความบริสุทธิ์สูงในเชิงพาณิชย์ที่มีซิงค์ออกไซด์ ( 99.9% , Aladdin ) มีขนาดเกรนเฉลี่ย 113 nm และ 336 nm ผงใช้สร้างไฟฟ้าเซรามิก ออกแบบให้เป็นตัวอย่าง A และ B ตามลำดับ ผงคือความดันสูงรักษา ( HPT ) 4.4 GPA 5 นาทีตามที่อธิบายไว้ในที่อื่น [ 11 ] แล้วเซรามิกมีการเผาอบผนึกที่อุณหภูมิ 1 , 250 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 2 ชั่วโมง เป็นปกติเตาหลอมไฟฟ้าแล้วเย็นลงถึงอุณหภูมิในอากาศ ความหนาแน่นได้ใช้วิธีของอาร์คีมีดีส . รหัสเฟสผลึกถูกกำหนดโดยใช้เอกซเรย์diffractometry ( x"pert Pro panalytical ) กับทองแดง กะ รังสี โครงสร้างของ ZnO เซรามิคชิ้นถูก characterized โดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM , เฟย Quanta 250 )หลังจากขัดและทำความสะอาด วาง เงินถูกเคลือบบนทั้งสองด้านของ ZnO ชิ้นแล้วหายที่ 100 C เป็นเวลา 3 ชั่วโมง ในที่สุด การตอบสนองไดอิเล็กทริกของจำนวนวัดโดยใช้ด้าน 4294a LCR เมตรความแม่นยำมากกว่าช่วงความถี่ 40 – 100 MHz สเปกตรัมแบบ AC เป็นวัดที่อุณหภูมิห้องในช่วงความถี่จาก 0.1 Hz ถึง 10 kHz โดยเคมีไฟฟ้า ( สถานี chi660e , Shanghai ) มีสัญญาณทดสอบระดับ 0.5 โวลต์