Because of the high absorption coef

Because of the high absorption coefficient of Silicon for photons of short wavelength region,such as λo 500 nm,the
most of the incident photons are absorbed in the heavily doped
front emitter region of the cell

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสูงซิลิคอนสำหรับโฟตอนที่ความยาวคลื่นสั้นภูมิภาค เช่น λo 500 nm การสุดของโฟตอนตกกระทบจะถูกดูดซึมในเจือมากเขตการยิงด้านหน้าของเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพราะค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมสูงของ Silicon สำหรับโฟตอนของภูมิภาคความยาวคลื่นสั้นเช่นλo 500 นาโนเมตรซึ่งเป็น
ส่วนใหญ่ของโฟตอนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นจะถูกดูดซึมในเจือหนัก
หน้าอีซีแอลภูมิภาคของเซลล์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยมีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงของซิลิกอนสำหรับโฟตอนของภูมิภาคความยาวคลื่นสั้น เช่น λ O 500 nm ,มากที่สุดของเหตุการณ์โฟตอนถูกดูดซึมในมากด้วยภาคตัวส่งสัญญาณที่ด้านหน้าของมือถือ