The dielectric properties of SiC po

The dielectric properties of SiC powders are investigated in the temperature range of 373–773 K at gigahertz range (8.2–12.4 GHz). The complex permittivity ε and the loss tgδ exhibit frequency-dependent characteristics with the frequency, and they also show temperature-dependent characteristic with the temperature. From the Cole–Cole plots, the relaxation and electrical conductance both affect the dielectric properties at high temperature. First principle calculations are employed to analyze the electronic structure of SiC, which infer the influence of relaxation and conductance on dielectric behaviors. The reflection loss RL peak is below −10 dB in temperatures of 373–773 K with the sample in thickness 2.1 mm. More importantly, the microwave absorption coupled with widening effective absorption bandwidth demonstrates positive temperature effects on the absorption with the increasing temperature,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติเป็นฉนวนของผง SiC จะสอบสวนในช่วงอุณหภูมิ 373 – 773 K ที่ช่วงกิกะเฮิรตซ์ (GHz 8.2 – 12.4) Ε permittivity ซับซ้อนและ tgδ ขาดทุนแสดงลักษณะขึ้นอยู่กับความถี่กับความถี่ และยังแสดงลักษณะขึ้นอยู่กับอุณหภูมิที่ มีอุณหภูมิ จากโคล – โคลกราฟ การพักผ่อนและการนำพาไฟฟ้าทั้งสองมีผลต่อคุณสมบัติเป็นฉนวนที่อุณหภูมิสูง การคำนวณหลักการแรกที่ถูกว่าจ้างเพื่อวิเคราะห์โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของ SiC ซึ่งอาศัยอิทธิพลของการพักผ่อนและการนำพาพฤติกรรมเป็นฉนวน สูงสุด RL ขาดทุนสะท้อนอยู่ด้านล่าง dB −10 อุณหภูมิของ 373 – 773 K กับอย่างหนา 2.1 mm สำคัญ การดูดซับไมโครเวฟที่ควบคู่ไปกับการขยับขยายแบนด์วิธการดูดซึมมีประสิทธิภาพแสดงผลบวกอุณหภูมิในการดูดซับกับอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คุณสมบัติเป็นฉนวนของผง SiC จะถูกตรวจสอบในช่วงอุณหภูมิ 373-773 K ในระยะกิกะเฮิรตซ์ (GHz 8.2-12.4) ที่ซับซ้อนε permittivity และการสูญเสียtgδลักษณะขึ้นอยู่กับความถี่จัดแสดงที่มีความถี่และพวกเขายังแสดงให้เห็นลักษณะอุณหภูมิขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ จากแปลงโคลโคลผ่อนคลายและนำกระแสไฟฟ้าทั้งส่งผลกระทบต่อคุณสมบัติเป็นฉนวนที่อุณหภูมิสูง คำนวณหลักการแรกจะใช้ในการวิเคราะห์โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของ SiC ซึ่งสรุปอิทธิพลของการพักผ่อนและสื่อกระแสไฟฟ้าในพฤติกรรมอิเล็กทริก ยอดเขาที่สูญเสียสะท้อน RL ต่ำกว่า -10 dB ในอุณหภูมิ 373-773 K กับตัวอย่างในความหนา 2.1 มม ที่สำคัญกว่าการดูดซึมไมโครเวฟควบคู่ไปกับการขยับขยายแบนด์วิดธ์ที่มีประสิทธิภาพการดูดซึมแสดงให้เห็นถึงผลกระทบของอุณหภูมิในเชิงบวกต่อการดูดซึมที่มีอุณหภูมิเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สมบัติไดอิเล็กทริกของ SiC ผงจะถูกสอบสวนในช่วงอุณหภูมิ 373 – 773 องศาเคลวินกิกะเฮิรตซ์ ( GHz ) ช่วงระดับ 12.4 ) ซับซ้อนที่ป้อนεและการสูญเสีย TG δแสดงความถี่ขึ้นอยู่กับลักษณะที่มีความถี่และพวกเขายังแสดงลักษณะขึ้นอยู่กับอุณหภูมิด้วยอุณหภูมิ จาก โคล และ โคล แปลง , การพักผ่อนและความนำไฟฟ้าส่งผลทั้งต่อสมบัติไดอิเล็กตริกที่อุณหภูมิสูง การคำนวณหลักการแรก เพื่อใช้วิเคราะห์โครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของ SiC ซึ่งอนุมานอิทธิพลของการผ่อนคลายและมีอิทธิพลต่อพฤติกรรมการ . สะท้อนความเสียหาย RL สูงสุดด้านล่าง− 10 dB ในอุณหภูมิ 373 – 773 องศาเคลวินกับตัวอย่างในความหนา 2.2 มม. ที่สำคัญ ควบคู่ไปกับการขยายแบนด์วิดธ์ไมโครเวฟการดูดซึมการดูดซึมที่มีประสิทธิภาพแสดงให้เห็นถึงบวกอุณหภูมิต่อการดูดซึมด้วยการเพิ่มอุณหภูมิ