II. PROPERTIES OF DIODES Like any o

II. PROPERTIES OF DIODES

Like any other semiconductors diode is not an ideal device. If the diode selection is incorrect for given application, then the diode parameters can increase the turn

– on losses of power transistor (MOSFET, IGBT) and even for the diode itself. Singularity of application areas leads to the development of various diode technologies of which

every have its specific abilities:

- Low VF with high Qrr and trr

- Moderate VF and moderate trr

- High VF and low trr

The mentioned development brings some types of special diodes; those behaviors could eliminate unacceptable effects during active or passive mode of device.

SBD - Schottky Barier Diode – this type of diode utilizes metal – semiconductor rectifying junction. The differences from PN junction are better dynamics – caused


by the existence of s.c. hot electrons, those life time is from 10-11 to 10-13, that is 106 times less than with classic PN diodes. This warrants almost zero – recovery time [9]. According to present development in the field of power electronics, standard Schottky barrier rectifiers based on silicon substrate had reached their threshold limits (reverse recovery time, reverse voltage, reverse recovery charge). Present development in the field of material engineering expects elimination of mentioned limitations by implementation of new progressive materials (silicon carbide - SiC diodes), or by combination of both Schottky and PN junction in the same device. In the next subchapter, both structures will be shortly introduced.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

II. คุณสมบัติของไดโอดได้ อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ เช่น ไดโอดไม่ได้อุปกรณ์เหมาะ ถ้าการเลือกไดโอดไม่ถูกต้องสำหรับโปรแกรมประยุกต์ที่กำหนด แล้วพารามิเตอร์ไดโอดสามารถเพิ่มเปิด-ในการสูญเสียพลังงานทรานซิสเตอร์ (มอสเฟต IGBT) และแม้แต่ไดโอดตัวเอง ภาวะเอกฐานของพื้นที่แอพพลิเคชันที่นำไปสู่การพัฒนาของเทคโนโลยีต่าง ๆ ของไดโอดซึ่งทุกมีความสามารถเฉพาะตัว:-VF ต่ำกับสูง Qrr และ trr -บรรเทา VF และ trr ปานกลาง -สูง VF และ trr ต่ำ การพัฒนาดังกล่าวนำบางชนิดของไดโอดได้พิเศษ พฤติกรรมเหล่านั้นสามารถตัดผลที่ไม่สามารถยอมรับระหว่างโหมดแอคที ฟหรืออุปกรณ์SBD -ไดโอด Schottky Barier – ไดโอดชนิดนี้ใช้โลหะ – สารกึ่งตัวนำเชื่อมต่อ rectifying ความแตกต่างจาก PN junction เป็น dynamics ดี – ทำให้เกิด โดยมีอิเล็กตรอนร้อนเอส เวลาชีวิตเหล่านั้นได้จาก 10-11 ถึง 10-13 ที่ 106 ครั้ง less than กับคลาสสิก PN ไดโอดได้ นี้วอร์แรนต์เกือบศูนย์ – เวลา [9] ตามพัฒนาอยู่ในฟิลด์ของอิเล็กทรอนิกส์กำลัง rectifiers อุปสรรค Schottky มาตรฐานตามพื้นผิวซิลิกอนที่ได้ถึงขีดจำกัดขีดจำกัด (ย้อนเวลา แรงดันย้อนกลับ ค่าธรรมเนียมการกู้คืนกลับ) พัฒนาอยู่ในฟิลด์ของวัสดุวิศวกรรมคาดว่าตัดข้อจำกัดดังกล่าว โดยนำวัสดุก้าวหน้าใหม่ (ซิลิคอนไฮไดรด์ - ซิลิก้อน diodes), หรือชุดของ Schottky และ PN junction ในอุปกรณ์เดียวกัน ใน subchapter ถัดไป โครงสร้างทั้งสองจะได้เร็ว ๆ แนะนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ครั้งที่สอง คุณสมบัติไดโอดเช่นไดโอดเซมิคอนดักเตอร์อื่น ๆ ที่ไม่ได้เป็นอุปกรณ์ที่เหมาะ หากเลือกไดโอดไม่ถูกต้องสำหรับการใช้งานที่กำหนดแล้วพารามิเตอร์ไดโอดสามารถเพิ่มการเปิด- ในการสูญเสียอำนาจของทรานซิสเตอร์ เอกพจน์ของการใช้งานนำไปสู่การพัฒนาของเทคโนโลยีไดโอดต่างๆซึ่งทุกคนมีความสามารถเฉพาะ- - - การพัฒนากล่าวถึงนำบางชนิดไดโอดพิเศษ พฤติกรรมเหล่านั้นสามารถกำจัดผลกระทบที่ยอมรับไม่ได้ในระหว่างโหมดการใช้งานหรือ SBD - กี - ชนิดของไดโอดนี้ใช้โลหะ- เซมิคอนดักเตอร์กลั่นทางแยก II. PROPERTIES OF DIODES

Like any other semiconductors diode is not an ideal device. If the diode selection is incorrect for given application, then the diode parameters can increase the turn

– on losses of power transistor (MOSFET, IGBT) and even for the diode itself. Singularity of application areas leads to the development of various diode technologies of which

every have its specific abilities:

- Low VF with high Qrr and trr

- Moderate VF and moderate trr

- High VF and low trr

The mentioned development brings some types of special diodes; those behaviors could eliminate unacceptable effects during active or passive mode of device.

SBD - Schottky Barier Diode – this type of diode utilizes metal – semiconductor rectifying junction. The differences from PN junction are better dynamics – caused


by the existence of s.c. hot electrons, those life time is from 10-11 to 10-13, that is 106 times less than with classic PN diodes. This warrants almost zero – recovery time [9]. According to present development in the field of power electronics, standard Schottky barrier rectifiers based on silicon substrate had reached their threshold limits (reverse recovery time, reverse voltage, reverse recovery charge). Present development in the field of material engineering expects elimination of mentioned limitations by implementation of new progressive materials (silicon carbide - SiC diodes), or by combination of both Schottky and PN junction in the same device. In the next subchapter, both structures will be shortly introduced.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . คุณสมบัติของไดโอดสารกึ่งตัวนำไดโอด

ชอบอื่น ๆใด ๆที่ไม่ได้มีอุปกรณ์ที่เหมาะสมที่สุด ถ้าเลือกไม่ถูกต้องสำหรับไดโอดได้รับใบสมัครแล้วไดโอดพารามิเตอร์สามารถเพิ่มเปิด

ซึ่งการสูญเสียของพลังงานทรานซิสเตอร์ ( MOSFET , IGBT ) และแม้กระทั่งสำหรับไดโอดนั่นเอง ภาวะเอกฐานเชิงพื้นที่ประยุกต์นำไปสู่การพัฒนาเทคโนโลยีต่าง ๆซึ่ง

ของไดโอดทุกคนมีความสามารถเฉพาะของ :

- VF กับสูงต่ำและปานกลาง QRR trr

-

- trr VF และ ปานกลาง สูง ต่ำ trr

VF และกล่าวถึงการพัฒนานำบางพิเศษชนิดไดโอด พฤติกรรมเหล่านั้นสามารถขจัดผลที่ยอมรับไม่ได้ในโหมด active หรือ passive ของอุปกรณ์

SBD - ท์บาร์เรียไดโอดชนิดนี้ใช้สำหรับของไดโอดสารกึ่งตัวนำโลหะ–แก้ไข Junctionความแตกต่างจาก PN Junction ดีกว่า

( เกิดจากพลวัตโดยการดำรงอยู่ของซี. ร้อนอิเล็กตรอนเหล่านี้เวลาชีวิตจาก 10-11 ไป 10-13 ที่น้อยกว่ากับไดโอด PN คลาสสิก 106 ครั้ง นี้แสดงเวลาการกู้คืนเกือบศูนย์ ) [ 9 ] ตามการพัฒนาปัจจุบันในสาขาอิเล็กทรอนิกส์ไฟฟ้าท์ตามมาตรฐานสิ่งกีดขวาง rectifiers ซิลิคอนถึงที่สุดเกณฑ์ของพวกเขา ( ย้อนกลับ , ย้อนกลับแรงดันย้อนกลับคืนค่ากู้คืน ) การพัฒนาในปัจจุบันในด้านวัสดุวิศวกรรม คาดว่าการกล่าวถึงข้อจำกัดโดยการใช้วัสดุแบบใหม่ ( ซิลิคอนคาร์ไบด์ - ซิลิกอนไดโอด )หรือการรวมกันของทั้งสอง และ PN Junction ท์ในเครื่องเดียวกัน ใน subchapter ต่อไป ทั้งโครงสร้างจะเกิดขึ้นในไม่ช้า