3.2. Ionized fraction measurementsT

3.2. Ionized fraction measurements
The results obtained with the gridded analyzer for Ni discharges are shown in Fig. 6 together with values for the DC mode. The deposition rate decreased with increasing pulse power (while keeping the average power constant). This is expected for HiPIMS discharges, as a result of back-attraction of ionized metal atoms, since the degree of ionization generally increases with increased pulse power (increased plasma density) [26]. Increasing plasma density also led to an increase in the ionized fraction. After a fast initial increase the ionized fraction reached about 40 to 50% for all on-times and saturated at the highest pulse power density of 1 kW cm− 2. This value is in good agreement with modeling results for copper by Kozak [27]. The model predicted ionized fraction of copper of 58% at the same pulse power density. The saturation of the ionization fraction is likely connected with reaching the self-sputtering regime for pulse powers greater than 0.25–0.5 kW cm− 2. This means that a high fraction of ionized sputtered target material is returning to the target and not reaching the g-QCM. Moreover, it is also likely that a high sputtering yield of Ni means a high metal density during the discharge pulse and thus efficient plasma cooling as compared to Ar which reduces the efficiency of metal ionization [28]. This possibility is further examined in the case of Ti.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2 ส่วนการวัดแตกตัวเป็นไอออน
ผลที่ได้รับกับการวิเคราะห์ gridded การปล่อย ni จะแสดงในมะเดื่อ 6 ร่วมกับค่าสำหรับโหมด dc อัตราการสะสมลดลงด้วยการเพิ่มอำนาจชีพจร (ในขณะที่การรักษาอย่างต่อเนื่องพลังงานเฉลี่ย) นี้คาดว่าการปล่อย hipims เป็นผลจากการกลับสถานที่ของอะตอมโลหะไอออน,ตั้งแต่ระดับของไอออนไนซ์โดยทั่วไปเพิ่มขึ้นกับการใช้พลังงานที่เพิ่มขึ้นชีพจร (ความหนาแน่นของพลาสม่าที่เพิ่มขึ้น) [26] เพิ่มความหนาแน่นของพลาสม่ายังนำไปสู่​​การเพิ่มขึ้นในส่วนที่แตกตัวเป็นไอออน หลังจากที่เพิ่มขึ้นเริ่มต้นอย่างรวดเร็วเศษแตกตัวเป็นไอออนถึงประมาณ 40 ถึง 50% สำหรับในครั้งและอิ่มตัวที่ความหนาแน่นของพลังงานที่สูงที่สุดชีพจรของ 1 กิโลวัตต์ ซม. -2ค่านี้อยู่ในข้อตกลงที่ดีกับผลการสร้างแบบจำลองทองแดงโดย Kozak [27] รูปแบบการคาดการณ์ส่วนแตกตัวเป็นไอออนของทองแดง 58% ที่ความหนาแน่นพลังงานชีพจรเดียวกัน ความอิ่มตัวของเศษไอออนไนซ์มีการเชื่อมต่อน่าจะมีถึงระบอบการปกครองตนเองพ่นอำนาจชีพจรมากกว่า 0.25-0.5 ซม. กิโลวัตต์-2นี้หมายความว่าส่วนสูงของวัสดุที่แตกตัวเป็นไอออน sputtered เป้าหมายจะกลับไปยังเป้าหมายและไม่ถึงกรัม-qcm นอกจากนี้ก็ยังมีแนวโน้มว่าผลผลิตสปัตเตอร์สูงของ ni หมายถึงความหนาแน่นของโลหะสูงในช่วงชีพจรปล่อยพลาสม่าและการระบายความร้อนที่มีประสิทธิภาพทำให้เมื่อเทียบกับ ar ซึ่งจะทำให้ลดประสิทธิภาพของโลหะไอออนไนซ์ [28]เป็นไปได้นี้จะตรวจสอบต่อไปในกรณีของทิ.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 การประเมินส่วน ionized
ผลลัพธ์ได้ ด้วยวิเคราะห์ gridded สำหรับปล่อย Ni แสดงใน Fig. 6 พร้อมค่าสำหรับโหมด DC อัตราสะสมลดลงกับเพิ่มชีพจรพลังงาน (ในขณะที่เก็บพลังงานเฉลี่ยคง) นี้คาดว่าการปล่อย HiPIMS จากเที่ยวกลับของ ionized อะตอมโลหะ ตั้งแต่ระดับการ ionization เพิ่มขึ้นกับพลังงานชีพจรเพิ่มขึ้น (ความหนาแน่นของพลาสมาเพิ่มขึ้น) โดยทั่วไป [26] นอกจากนี้การเพิ่มความหนาแน่นของพลาสมายังนำขึ้นเศษ ionized หลังจากการเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วเริ่มต้น เศษ ionized ถึงประมาณ 40-50% ทั้งหมดในเวลา และอิ่มตัวที่ความหนาแน่นพลังงานชีพจรสูงสุดของ cm− กิโลวัตต์ 1 2 ค่านี้เป็นข้อตกลงที่ดีกับโมเดลผลทองแดงโดย Kozak [27] แบบทำนายเศษ ionized ของทองแดง 58% ที่ความหนาแน่นพลังงานชีพจรเดียวกัน อาจมีการเชื่อมโยงความเข้มของเศษ ionization กับถึงระบอบการปกครองตนเอง sputtering สำหรับอำนาจชีพจรมากกว่า 0.25–0.5 cm− กิโลวัตต์ 2 หมายความ ว่า ส่วนสูงของเป้าหมาย ionized sputtered วัสดุความเป้าหมาย และไม่ถึง g-QCM นอกจากนี้ มันมียังแนวโน้มว่า ตอบแบบ sputtering ของ Ni หมายถึง โลหะไฮเด็นระหว่างปล่อยชีพจร จึงพลาสมามีประสิทธิภาพระบายความร้อนเมื่อเทียบกับ Ar ซึ่งลดประสิทธิภาพของโลหะ ionization [28] โอกาสนี้ได้ตรวจสอบเพิ่มเติมกรณีตี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 .
การวัดผลที่มีประจุไอออนเพื่อคืนเศษได้รับกับตัววิเคราะห์ความสมบูรณ์ gridded สำหรับการ NI จะแสดงอยู่ในรูปที่ 6 พร้อมด้วยค่าสำหรับ DC ,โหมด มีอัตราลดลงพร้อมด้วยกำลังไฟระดับพร้อมปุ่ม Pulse (ปั่นชั่วขณะ)เพิ่มขึ้น(ในขณะที่ยังคงรักษาไว้ซึ่งพลังงานโดยเฉลี่ยโดยไม่คงที่) โรงแรมแห่งนี้คือการปลดปล่อย hipims เป็นผลมาจากด้านหลัง - สถานที่ท่องเที่ยวของอะตอมโลหะมีประจุไอออนนับตั้งแต่ระดับของควันไอออนไนเซชันโดยทั่วไปแล้วจะเพิ่มขึ้นพร้อมด้วยกำลังไฟระดับพร้อมปุ่ม Pulse (ปั่นชั่วขณะ)เพิ่มมากขึ้น(ความละเอียดจอพลาสมาเพิ่มขึ้น)[ 26 ] ความละเอียดจอพลาสมาเพิ่มขึ้นนอกจากนั้นยังนำไปสู่การเพิ่มขึ้นในส่วนที่มีประจุไอออนเพื่อคืน หลังจากที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วเมื่อเทียบครั้งแรกที่มีประจุไอออนเพื่อคืนถึงประมาณ 40 ถึง 50% ของทั้งหมดที่ถึงจุดอิ่มตัวและเวลาที่ใช้พลังงานระดับพร้อมปุ่ม Pulse (ปั่นชั่วขณะ)ความหนาแน่นสูงที่สุดของซ.ม. 1 กิโลวัตต์ - 2ค่านี้จะอยู่ในความตกลงที่ดีพร้อมด้วยผลการสร้างแบบจำลองสำหรับสายทองแดงโดย kozak [ 27 ] รุ่นที่มีประจุไอออนเพื่อคืนคาดว่าเศษทองแดงของ 58% ที่ความหนาแน่นพลังงานระดับพร้อมปุ่ม Pulse (ปั่นชั่วขณะ)เหมือนกับที่ ความอิ่มตัวของสีของเศษไอออนไนเซชันที่มีแนวโน้มว่าจะมาถึงกับระบอบการปกครองแบบบริการตัวเองละล่ำละลักที่ระดับพร้อมปุ่ม Pulse สำหรับอำนาจมากกว่า 0.25 ซม. -0.5 กิโลวัตต์ - 2ซึ่งหมายความว่าส่วนสูงของวัสดุเป้าหมายพ่นออกมาด้วยมีประจุไอออนเพื่อคืนก็กลับมาถึงเป้าหมายและไม่ถึง G - qcm. ได้ ยิ่งไปกว่านั้นก็คือยังมีแนวโน้มสูงที่ละล่ำละลักของนิการากัวหมายถึงที่เป็นโลหะมีความหนาแน่นสูงในระหว่างที่การปฏิบัติระดับพร้อมปุ่ม Pulse และดังนั้นจึงมี ประสิทธิภาพ พลาสมาระบายความร้อนเมื่อเทียบกับอาร์เจนตินาซึ่งจะลด ประสิทธิภาพ ของโลหะควันไอออนไนเซชัน[ 28 ]โรงแรมแห่งนี้มีความเป็นไปได้ตรวจสอบในกรณีที่มีหมากผู้หมากเมีย.
เพิ่มเติม