Fig. 8. TGA curve in oxygen atmosph

Fig. 8. TGA curve in oxygen atmosphere of the SiC.
indicating that only a very small percentage of SiC is oxidized. At 1300 C the mass of SiC remains at 93.5 %. These results indicate that the synthesized SiC is stable losing only 6.5% of its weight.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูป 8. โค้ง TGA ออกซิเจนในชั้นบรรยากาศของ SiC.
แสดงให้เห็นว่ามีเพียงร้อยละขนาดเล็กมากของ SiC ออกซิไดซ์ ที่ 1300 C มวลของ SiC ยังคงอยู่ที่ 93.5% ผลการศึกษานี้แสดงให้เห็นว่า SiC สังเคราะห์มีเสถียรภาพแพ้เพียง 6.5% ของน้ำหนักของมัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 8 และเส้นโค้งในบรรยากาศออกซิเจนของ SIC .
แสดงว่าเพียงร้อยละขนาดเล็กมากของ SIC จะออกซิไดซ์ . ที่ 1300 องศาเซลเซียส มวลของ SIC ยังคงอยู่ที่ 93.5 % ผลลัพธ์เหล่านี้บ่งชี้ว่า SIC จะมั่นคงได้แพ้แค่ 6.5 % ของน้ำหนัก