In the simulation, which shows how

In the simulation, which shows how the drain–source current (IDS) varies with the gate voltage (VGS), we filled the device nanogap with a material with k ¼ 2.1 to model the presence of the biomolecules.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการจำลองสถานการณ์ ซึ่งแสดงว่าท่อระบายน้ำ – แหล่งปัจจุบัน (รหัส) แตกต่างกันไปแรงดันเกต (VGS), เราเติม nanogap อุปกรณ์ ด้วยวัสดุกับ k ¼ 2.1 แบบของชื่อโมเลกุลชีวภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการจำลองซึ่งแสดงให้เห็นว่าท่อระบายน้ำที่มาปัจจุบัน (IDS) ขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้าประตู (VGS) เราเต็มไป nanogap อุปกรณ์ด้วยวัสดุที่มี k ¼ 2.1 ในการจำลองการปรากฏตัวของสารชีวโมเลกุลที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในแบบจำลองซึ่งแสดงให้เห็นว่าการระบาย–แหล่งที่มาปัจจุบัน ( IDS ) ขึ้นอยู่กับแรงดันหลัก ( วีจีเ ) เราเต็มด้วยวัสดุอุปกรณ์ nanogap กับ K ¼ 2.1 รูปแบบการแสดงตนของสารชีวโมเลกุล .