is an edge-emitting semiconductor l

is an edge-emitting semiconductor light source based on superluminescence. It combines the high power and brightness of laser diodes with the low coherence of conventional light-emitting diodes. Its emission band is 5–100 nm wide

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จะมีขอบเปล่งสารกึ่งตัวนำแสงขึ้นบน superluminescence จะรวมพลังงานสูงและความสว่างของเลเซอร์ไดโอดได้ มีศักยภาพต่ำของ diodes เปล่ง–แสงธรรมดา กว้าง 5-100 nm เป็นของวงเล็ดรอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เป็นแหล่งกำเนิดแสงเซมิคอนดักเตอร์ขอบเปล่งขึ้นอยู่กับ superluminescence มันรวมพลังงานที่สูงและความสว่างของเลเซอร์ไดโอดที่มีการเชื่อมโยงกันต่ำของไดโอดเปล่งแสงธรรมดา วงปล่อยก๊าซเรือนกระจกของมันคือ 5-100 นาโนเมตรกว้าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นขอบ เปล่งแสงสารกึ่งตัวนำตาม superluminescence . มันรวมพลังงานสูงและความสว่างของเลเซอร์ไดโอดที่มีการเชื่อมโยงน้อยแบบไดโอดเปล่งแสง . ของการปล่อยเป็นวง 5 – 100 nm ที่กว้าง