At the receiving part of the coupli

At the receiving part of the coupling coils, a rectifier is used
to convert AC power to DC. Usually, a full-bridge topology
is used. However, most high power diodes are incapable in
a 13.56 MHz system because of their low switching speed.
In this paper, SiC diodes (STPSC406) are used to build a
full-bridge rectifier with ceramic capacitors as the low-pass
filter. The design target here is to find the optimum value
of the rectifier load (RL in Fig. 1) which minimizes the
power reflection. Because of the non-linearity of the diodes, it
is difficult to derive the system transfer characteristics like
the coupling system. Instead, the rectifier is analyzed in a
commercially available simulation package, Advance Design
System (ADS) by Agilent Technologies.
By sweeping the load resistance in Fig. 5, the system
efficiency curve and power reflection coefficient are plotted
in Fig. 6. The simulation results show that when the load

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ส่วนรับของคลัป ใช้วงจรเรียงกระแสแบบ
การแปลงไฟ AC เป็น DC โดยปกติ โทโพโลยีแบบเต็มบริดจ์
ใช้ อย่างไรก็ตาม ไดโอดได้พลังงานสูงส่วนใหญ่เป็นหมันใน
ระบบ 13.56 MHz เนื่องจากการเปลี่ยนความเร็วต่ำ
ในกระดาษนี้ SiC ไดโอดได้ (STPSC406) จะใช้ในการสร้างการ
วงจรเรียงกระแสแบบเต็มบริดจ์กับตัวเก็บประจุเซรามิคเป็นรอบต่ำ
กรอง เป้าหมายการออกแบบที่นี่คือการ หาค่าสูงสุด
ของโหลดวงจรเรียงกระแส (RL ใน Fig. 1) ซึ่งช่วยลดการ
พลังงานสะท้อน เนื่องจากการไม่แบบดอกไม้ของไดโอดได้ มัน
ยากที่จะได้รับลักษณะการโอนย้ายระบบเช่น
ระบบคลัป แทน วิเคราะห์วงจรการเรียงกระแสในการ
จำลองใช้ได้ในเชิงพาณิชย์แพคเกจ ออกแบบล่วงหน้า
ระบบ (โฆษณา) โดยเทคโนโลยี Agilent
โดยเราต้านทานโหลดใน Fig. 5 ระบบ
ประสิทธิภาพพลังงานและโค้งสะท้อนสัมประสิทธิ์มีพล็อต
6 Fig. ผลการทดลองแสดงว่าเมื่อโหลด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่เป็นส่วนหนึ่งที่ได้รับการมีเพศสัมพันธ์ของขดลวด, ปรับใช้ใน
การแปลงพลังงาน AC ไป DC โดยปกติโครงสร้างเต็มรูปแบบสะพาน
ถูกนำมาใช้ แต่ส่วนใหญ่ไดโอดพลังงานสูงมีความสามารถใน
ระบบ 13.56 MHz เพราะความเร็วสลับต่ำของพวกเขา
ในงานวิจัยนี้ไดโอด SiC (STPSC406) จะถูกใช้ในการสร้าง
กระแสเต็มรูปแบบสะพานที่มีตัวเก็บประจุเซรามิกเป็น low-pass
กรอง เป้าหมายของการออกแบบที่นี่คือการหาค่าที่เหมาะสมที่สุด
ของการโหลดกระแส (RL ในรูปที่ 1). ซึ่งช่วยลด
การสะท้อนพลังงาน เพราะการที่ไม่เป็นเชิงเส้นของไดโอดมัน
เป็นเรื่องยากที่จะได้รับลักษณะการถ่ายโอนระบบเช่น
ระบบการมีเพศสัมพันธ์ แต่กระแสที่มีการวิเคราะห์ใน
แพคเกจการจำลองการใช้ในเชิงพาณิชย์แอดวานซ์ออกแบบ
System (ADS) โดย Agilent Technologies
โดยกวาดต้านทานโหลดในรูปที่ 5 ระบบ
เส้นโค้งประสิทธิภาพและค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนพลังงานที่นำมาลงจุด
ในรูปที่ 6 ผลการจำลองแสดงให้เห็นว่าเมื่อโหลด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในส่วนของการต่อขดลวด , Rectifier ใช้
แปลง AC อำนาจ DC โดยปกติ เต็มสะพานโครงสร้าง
ใช้ อย่างไรก็ตาม ไดโอดไฟสูงที่สุดมีความสามารถใน
ระบบ 13.56 MHz เพราะความเร็วสลับต่ำของพวกเขา .
ในกระดาษนี้ , ซิลิกอนไดโอด ( stpsc406 ) จะใช้ในการสร้างสะพานกับตัวเก็บประจุเซรามิก
วงจรเรียงกระแสเต็มเป็นตัวกรองต่ำผ่าน

ออกแบบเป้าหมายที่นี่คือการหาค่าที่เหมาะสม
ของกระแสโหลด ( RL ในรูปที่ 1 ) ซึ่งช่วยลด
พลังสะท้อน เพราะไม่ของไดโอดมัน
เป็นเรื่องยากที่จะสืบทอดระบบการถ่ายทอดลักษณะเหมือน
ระบบการเชื่อมต่อ . แทน , ใช้วิเคราะห์ใน
อาดชุดจำลองระบบการออกแบบ
ล่วงหน้า ( โฆษณา ) โดย Agilent Technologies
โดยกวาดโหลดความต้านทานในรูปที่ 5 , ระบบ
ประสิทธิภาพและค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนจะโค้งอำนาจวางแผน
ในรูปที่ 6 ผลการจำลองแบบแสดงให้เห็นว่าเมื่อ โหลด