As reported in [22], patterning of

As reported in [22], patterning of features to 20 nm and
below has been demonstrated by a variety of techniques.
Newer techniques likes 248 nm radiation has been used to
make 9 nm devices. However, the complexity of the processes
involved may cause such approaches to be uneconomical. In
addition, non-radiation patterning techniques
(e.g. nanoimprintlithography) also appear very attractive but presently lack the
investment needed to make them attractive for semiconductor
IC manufacturing[22].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามรายงานใน [22], patterning ของคุณลักษณะ 20 nm และ
ด้านล่างได้ถูกสาธิต ด้วยความหลากหลายของเทคนิค
ชอบเทคนิคใหม่ 248 nm รังสีได้ใช้
ทำอุปกรณ์ nm 9 อย่างไรก็ตาม ความซับซ้อนของกระบวนการ
เกี่ยวข้องอาจทำให้เกิดแนวทางดังกล่าวจะ uneconomical ใน
นอกจากนี้ ไม่มีรังสีเทคนิค patterning
(เช่น nanoimprintlithography) นอกจากนี้ยัง ปรากฏขึ้นน่าสนใจมาก แต่ปัจจุบันขาดการ
ลงทุนที่จำเป็นเพื่อให้น่าสนใจสำหรับสารกึ่งตัวนำ
IC ที่ผลิต [22]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขณะที่ในรายงาน [22] บรรเลงคุณสมบัติถึง 20 นาโนเมตรและ
ด้านล่างได้รับการแสดงให้เห็นถึงความหลากหลายของเทคนิค
เทคนิคใหม่กว่านี้ชอบ 248 นาโนเมตรรังสีได้รับการใช้ในการ
ทำ 9 อุปกรณ์นาโนเมตร แต่ความซับซ้อนของกระบวนการที่
เกี่ยวข้องอาจก่อให้เกิดวิธีการดังกล่าวจะไม่ประหยัด ใน
นอกจากนี้ไม่รังสีเทคนิคการบรรเลง
(เช่น nanoimprintlithography) นอกจากนี้ยังปรากฏที่น่าสนใจมาก แต่ขาดการนำเสนอ
การลงทุนที่จำเป็นในการทำให้พวกเขาน่าสนใจสำหรับเซมิคอนดักเตอร์
การผลิต IC [22]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามที่รายงานใน [ 22 ] , เลียนแบบคุณสมบัติ 20 nm และ
ด้านล่างได้แสดงความหลากหลายของเทคนิค เทคนิคใหม่
ชอบ 248 nm รังสีมาใช้

ให้ 9 อุปกรณ์ nm . แต่ความซับซ้อนของกระบวนการ
เกี่ยวข้องอาจทําให้วิธีการดังกล่าวเป็นที่ฟุ่มเฟือย ใน
นอกจากนี้ปลอดรังสีแบบเทคนิค
( เช่นnanoimprintlithography ) นอกจากนี้ยังปรากฏน่าสนใจมากแต่ปัจจุบันขาด
ต้องการเงินลงทุนเพื่อให้น่าสนใจสำหรับการผลิต IC เซมิคอนดักเตอร์
[ 22 ]