The Cu–Sn–S precursor was sulfurize

The Cu–Sn–S precursor was sulfurized in
sulfur containing atmosphere at 500 C to form CTS thin film
by Su et al., and its optical energy gap was determined to be
1.47 eV.11) The energy gap of orthorhombic (Pmn21) CTS
with petrukite structure thin film, deposited by dc magnetron
sputtering and followed by sulfurization in N2 + S2 vapor
atmosphere at 520 C, was determined to be 1.60 eV by
Fernandes et al.12) Thus CTS is a very important semiconductor
which attracts great attention of its promising optical,
thermal and mechanical properties.1)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สารตั้งต้น Cu – Sn – S ถูก sulfurized ในกำมะถันที่มีบรรยากาศที่ C 500 แบบฟิล์มบาง CTSโดย Su et al. พลังงานแสง ช่องว่างที่กำหนด1.47 eV.11) ช่องว่างพลังงานของ orthorhombic CTS (Pmn21)มี petrukite โครงสร้างฟิล์มบาง ๆ การฝากเงิน โดย dc magnetronพ่น และไปมาแล้วไอน้ำ โดย sulfurization ใน N2 + S2กำหนดให้ eV 1.60 โดยบรรยากาศที่ 520 CFernandes et al.12) CTS จึงเป็นสารกึ่งตัวนำสำคัญมากซึ่งดึงดูดความสนใจมากของของสัญญาแสงความร้อน และเครื่องจักรกล properties.1)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Cu-SN-S ปูชนียบุคคลถูก sulfurized ใน
บรรยากาศที่มีกำมะถันที่ 500? C ถึงรูปแบบ CTS ฟิล์มบาง
โดยซู et al., และช่องว่างพลังงานแสงมุ่งมั่นจะเป็น
1.47 eV.11) ช่องว่างพลังงานของผลึก (Pmn21) CTS
กับ petrukite โครงสร้างฟิล์มบางฝาก dc แมกนีตรอน
สปัตเตอร์และตามด้วย sulfurization ในไอ N2 + S2
บรรยากาศที่ 520 องศาเซลเซียสมีความมุ่งมั่นที่จะเป็น 1.60 eV โดย
เฟอร์นันเดและ al.12) ดังนั้น CTS เป็นสารกึ่งตัวนำที่สำคัญมาก
ซึ่งดึงดูดที่ดี ความสนใจในตัวของมันที่มีแนวโน้มแสง
ความร้อนและกล properties.1)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

จุฬาฯ– SN –สารตั้งต้นคือ sulfurized
s ในซัลเฟอร์ที่มีบรรยากาศที่ 500  C แบบฟิล์มบางโดย CTS
ซู et al . , และช่องว่างพลังงานแสงถูกกำหนดให้
/ EV . 11 ) ช่องว่างพลังงานของออร์โทรอมบิก ( pmn21 ) CTS
กับโครงสร้าง petrukite ฟิล์ม , ฝากเงินโดย DC แมกนีตรอนสปัตเตอริง และตามด้วย

sulfurization n2 S2 ไอในบรรยากาศที่ 520  C คือมุ่งมั่นที่จะเป็น EV ด้วย
.Fernandes et al . 12 ) ดังนั้น CTS เป็นสำคัญซึ่งดึงดูดความสนใจอย่างมากของสารกึ่งตัวนำ

สัญญาแสงคุณสมบัติทางความร้อนและเชิงกล 1 )