The GCE was then inserted in a cell

The GCE was then inserted in a cell containing
an aqueous solution of Bi(III) (100 mg L−1) in 0.1 mol L−1 acetate
buffer (pH 5.0). A constant film of bismuth was obtained by plating
at −1.0 V for 120 s.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

GCE ถูกแทรกลงในเซลล์ที่ประกอบด้วยการละลายของ Bi(III) (100 mg L−1) ใน 0.1 โมล L−1 acetateบัฟเฟอร์ (pH 5.0) ฟิล์มคงของบิสมัทกล่าว โดยชุบที่ −1.0 V สำหรับ 120 s

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

GCE ถูกแทรกในเซลล์ที่มี
สารละลายของ Bi (III) (100 มก. L-1) ใน 0.1 mol L-1 อะซิเตท
บัฟเฟอร์ (pH 5.0) ภาพยนตร์เรื่องนี้อย่างต่อเนื่องของบิสมัทที่ได้รับโดยการชุบ
ที่ -1.0 V 120 S

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเตรียมความพร้อมก็แทรกอยู่ในเซลล์ประกอบด้วย
สารละลายบี ( III ) ( 100 mg L − 1 ) 0.1 mol − 1 L ,
บัฟเฟอร์ pH 5.0 ) ฟิล์มคงที่ของบิสมัทเป็นแบบชุบ
ที่− 1.0 V 120 วินาที