The impedance spectrum can be model

The impedance spectrum can be modelled by an electrical circuit with physical elements. A number of different equivalent circuits may be fitted to impedance data for pyrite electrode depending on electrode preparation and the solution chemistry (Lin and Say, 1999, Pang et al., 1990 and Venter and Vermaak, 2008). In this study, based on the criteria of simplicity and electrochemical interpretation, the electrical circuit shown in Fig. 13 was used to model a simple charge-transfer process at the mineral/solution interface. In this model, a resistor Rs represents the solution resistance and another resistor Rct is resistive component of the mass transport impedance at the interface. The capacitance due to double layer charging and/or possible surface layers is represented by a constant phase element (CPE) in place of an ideal capacitor, since a CPE can provide a useful modelling element containing various disturbances due to the physical nature of electrode surface and reactions (surface roughness, “leaky” capacitor, non-uniform current distribution, etc.). The main disturbance, surface roughness of the electrode surface is indicated by a factor n, usually varying between 0.5 and 1. When n = 1, a CPE is equivalent to an ideal capacitor. The formation and growth of a surface layer such as dixanthogen causes a decrease in the electrode capacitance. Since the impedance of a capacitor is inversely proportional to the capacitance, a decrease in the electrode capacitance can be conveniently observed in Bode plots with an increase in the impedance values in the intermediate frequency. Therefore, the kinetics of surface electrochemical reactions and the formation of surface layers on pyrite can be detected

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สามารถจะ modelled สเปกตรัมความต้านทานจากวงจรไฟฟ้ามีองค์ประกอบทางกายภาพ จำนวนเทียบเท่าวงจรแตกต่างกันอาจจะพอดีกับข้อมูลความต้านทานอิเล็กโทรด pyrite เตรียมอิเล็กโทรดและเคมีโซลูชัน (Lin และพูด 1999 ปางและ al., 1990 และ Venter และ Vermaak, 2008) ในการศึกษานี้ ตามเกณฑ์ของความเรียบง่ายและการตีความทางเคมีไฟฟ้า วงจรไฟฟ้าแสดง Fig. 13 ถูกใช้เพื่อจำลองกระบวนการโอนค่าธรรมเนียมอย่างที่อินเทอร์เฟซสำหรับแร่/แก้ปัญหา ในรุ่นนี้ ตัวต้านทาน Rs แทนต้านทานโซลูชั่น และคอมโพเนนต์หน้าของความต้านทานการขนส่งมวลชนที่อินเทอร์เฟซเป็นตัวต้านทานอื่น Rct ความจากสองชั้นที่ชาร์จหรือชั้นผิวได้จะแทน ด้วยเฟสคงเป็นองค์ประกอบ (CPE) แทนตัวเก็บประจุเหมาะ เนื่องจาก CPE สามารถให้เป็นประโยชน์สร้างแบบจำลององค์ประกอบที่ประกอบด้วยสิ่งรบกวนต่าง ๆ เนื่องจากลักษณะทางกายภาพของพื้นผิวอิเล็กโทรดและปฏิกิริยา (ความหยาบผิว ตัวเก็บประจุ "ที่รั่ว" กระจายไม่สม่ำเสมอปัจจุบัน ฯลฯ) รบกวนหลัก ความหยาบผิวของพื้นผิวอิเล็กโทรดจะแสดง ด้วยการคูณ มักจะแตกต่างกันระหว่าง 0.5 และ 1 เมื่อ n = 1, CPE จะเท่ากับตัวเก็บประจุเหมาะ การก่อตัวและเจริญเติบโตของชั้นพื้นผิวเช่น dixanthogen ทำให้การลดลงของค่าความจุไฟฟ้า เนื่องจากความต้านทานของตัวเก็บประจุเป็นสัดส่วน inversely กับความหมาย การลดลงของค่าความจุไฟฟ้าจะเชิญสังเกตได้จากใน Bode ผืนด้วยการเพิ่มค่าความต้านทานในความถี่ระดับกลางได้ ดังนั้น จลนพลศาสตร์ของปฏิกิริยาไฟฟ้าเคมีพื้นผิวและการก่อตัวของชั้นผิวบน pyrite สามารถตรวจจับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สเปกตรัมความต้านทานสามารถจำลองโดยวงจรไฟฟ้าที่มีองค์ประกอบทางกายภาพ จำนวนของวงจรเทียบเท่าที่แตกต่างกันอาจจะพอดีกับข้อมูลความต้านทานไฟฟ้าที่หนาแน่นขึ้นอยู่กับการเตรียมขั้วไฟฟ้าและเคมีการแก้ปัญหา (หลินและพูดว่าปี 1999 ปาง et al., 1990 และพุงและความบันเทิง 2008) ในการศึกษานี้ขึ้นอยู่กับเงื่อนไขของความเรียบง่ายและการตีความไฟฟ้า, วงจรไฟฟ้าที่แสดงในรูป 13 ถูกใช้ในการสร้างแบบจำลองกระบวนการเสียค่าใช้จ่ายการโอนที่ง่ายแร่ / อินเตอร์เฟซการแก้ปัญหา ในรูปแบบนี้อาร์เอสเป็นตัวแทนของตัวต้านทานต้านทานการแก้ปัญหาและความต้านทานอื่น Rct เป็นส่วนประกอบทานของความต้านทานขนส่งมวลชนที่อินเตอร์เฟซ ความจุเนื่องจากชั้นชาร์จคู่และ / หรือชั้นพื้นผิวที่เป็นไปได้เป็นตัวแทนจากองค์ประกอบเฟสคงที่ (CPE) ในสถานที่ของตัวเก็บประจุที่เหมาะตั้งแต่ CPE สามารถให้องค์ประกอบการสร้างแบบจำลองที่มีประโยชน์ที่มีการรบกวนต่างๆเนื่องจากลักษณะทางกายภาพของพื้นผิวของอิเล็กโทรด และปฏิกิริยา (พื้นผิวที่ขรุขระ "รั่ว" เก็บประจุจำหน่ายในปัจจุบันไม่สม่ำเสมอ ฯลฯ ) รบกวนหลักพื้นผิวที่ขรุขระของพื้นผิวของอิเล็กโทรดจะแสดงโดย n ปัจจัยที่มักจะแตกต่างกันระหว่าง 0.5 และ 1 เมื่อ n = 1, CPE เทียบเท่ากับตัวเก็บประจุที่เหมาะ การก่อตัวและการเติบโตของชั้นผิวเช่น dixanthogen ทำให้เกิดการลดลงของความจุไฟฟ้า เนื่องจากความต้านทานของตัวเก็บประจุจะแปรผกผันกับความจุ, การลดลงของความจุไฟฟ้าสามารถสังเกตได้สะดวกในแปลงเป็นลางบอกเหตุที่มีการเพิ่มขึ้นของค่าความต้านทานในความถี่กลาง ดังนั้นจลนศาสตร์ของปฏิกิริยาไฟฟ้าเคมีพื้นผิวและการก่อตัวของชั้นบนพื้นผิวหนาแน่นสามารถตรวจพบได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ค่าสเปกตรัมสามารถจำลองโดยวงจรไฟฟ้ากับองค์ประกอบทางกายภาพ จำนวนวงจรสมมูลที่แตกต่างกันอาจจะพอดีกับข้อมูลภายในสำหรับขั้วไฟฟ้าและค่าขึ้นอยู่กับการเตรียมสารละลายเคมี ( หลินพูด , 1999 , ปาง et al . , 1990  และ จำกัดโควตาและ vermaak , 2008 ) ในการศึกษานี้ขึ้นอยู่กับเงื่อนไขของความเรียบง่ายและการตีความทางเคมีไฟฟ้าวงจรไฟฟ้าที่แสดงในรูปที่ 13 ใช้รูปแบบง่าย ค่าธรรมเนียมการโอน กระบวนการที่แร่ / โซลูชั่นอินเตอร์เฟซ ในรูปแบบนี้ , ตัวต้านทาน RS แสดงถึงความต้านทานและโซลูชั่นอื่นเป็นส่วนประกอบ ตัวต้านทานตัวต้านทาน Razorflame ของการขนส่งมวลอิมพีแดนซ์ที่อินเตอร์เฟซมีความจุเนื่องจากสองชั้นชาร์จและ / หรือชั้นผิวที่เป็นไปได้จะถูกแสดง โดยองค์ประกอบของเฟสคงที่ ( CPE ) ในสถานที่ของตัวเก็บประจุที่เหมาะสม ตั้งแต่ถุงสามารถให้องค์ประกอบแบบต่าง ๆที่มีประโยชน์ที่มีการรบกวนเนื่องจากลักษณะทางกายภาพของพื้นผิวขั้วไฟฟ้าและปฏิกิริยา ( พื้นผิวขรุขระ " รั่ว " ประจุกระจายไม่สม่ำเสมอ ปัจจุบัน , ฯลฯ )รบกวนหลัก พื้นผิวขรุขระของพื้นผิวขั้วไฟฟ้า แสดงโดยปัจจัย N มักจะแตกต่างกันระหว่าง 0 และ 1 เมื่อ N รึเปล่า = ไหม 1 , CPE เทียบเท่ากับตัวเก็บประจุที่เหมาะสมที่สุด การสร้างและการเจริญเติบโตของชั้นผิว เช่น dixanthogen ทำให้ลดไฟฟ้าความจุ . เนื่องจากค่าของตัวเก็บประจุและเป็นสัดส่วนผกผันกับพระ ,ลดไฟฟ้าความจุสามารถค้นหาสังเกตลางแปลง โดยมีการเพิ่มค่าอิมพีแดนซ์ที่ความถี่กลาง ดังนั้น การศึกษาจลนพลศาสตร์ของปฏิกิริยาไฟฟ้าเคมี พื้นผิว และการก่อตัวของชั้นผิวไพไรต์สามารถตรวจพบ