controlled conditions, cooling, whi

controlled
conditions,
cooling,
which
takes
place
behind the melt-zone, produces single crystals while
impurities migrate along the rod with the molten material.
Since the first experiments in the 1950s to develop this technique,
the method has been adapted commercially and involves
many passes of the melt-zone along the silicon rod before
crystals suitable for use in semiconductors are obtained.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ควบคุม เงื่อนไข ทำความเย็น ซึ่งใช้เวลาสถานที่ หลังละลายโซน ผลิตผลึกเดียวขณะสิ่งสกปรกโยกย้ายตามก้านด้วยวัสดุหลอมเหลวตั้งแต่การทดลองครั้งแรกในปี 1950 การพัฒนาเทคนิคนี้วิธีการมีการดัดแปลงในเชิงพาณิชย์ และเกี่ยวข้องกับที่ผ่านมากของโซนละลายไปตามแกนซิลิโคนก่อนเหมาะสำหรับใช้ในสารกึ่งตัวนำผลึกที่ได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ควบคุม
เงื่อนไข
การระบายความร้อน
ซึ่ง
จะใช้เวลา
สถานที่
ที่อยู่เบื้องหลังการละลายโซนผลิตผลึกเดี่ยวในขณะที่
สิ่งสกปรกโยกย้ายพร้อมแกนด้วยวัสดุหลอมเหลว.
ตั้งแต่ทดลองครั้งแรกในปี 1950 ในการพัฒนาเทคนิคนี้
วิธีการที่ได้รับการดัดแปลงในเชิงพาณิชย์และเกี่ยวข้องกับการ
ผ่านจำนวนมาก ของละลายโซนพร้อมแกนซิลิกอนก่อน
ผลึกเหมาะสำหรับใช้ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำจะได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ควบคุมเงื่อนไขเย็นซึ่งใช้เวลาสถานที่หลังละลาย โซน สร้างผลึกเดี่ยวในขณะที่โยกย้ายไปตามแท่งปลอมด้วยวัสดุหลอมเนื่องจากการทดลองครั้งแรกในปี 1950 เพื่อพัฒนาเทคนิคนี้วิธีการได้ถูกนำมาใช้ในเชิงพาณิชย์และ เกี่ยวข้องกับผ่านหลายโซนตามซิลิคอนเหล็กละลายก่อนคริสตัล เหมาะสำหรับใช้ในระบบจะรับ