Before studying the ZnO as a spin-c

Before studying the ZnO as a spin-coating layer to improve
the performance of TiO2 DSCs, it is worth presenting
first some optical characteristics of this ZnO
layer, with the aim to identify the coating material prior
to its application. The transmittance spectra of five ZnO
films with different ZnO precursor concentrations (0.1,
0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 M) are shown in Figure 1(a) together
with the transmittance spectrum of the TiO2 film
for comparison. The ZnO layers were deposited by the
sol-gel spin-coating technique on FTO-glass substrates
using 5 sol drops for each layer, while the Solaronix TiO2
film was screen-printed on FTO-glass substrate. The
transmission wavelength threshold of the ZnO (~300 nm)
is lower than that of the TiO2 (~350 nm), suggesting a
wider energy gap for the ZnO, which can be the physical
reason for the observed higher ZnO transmittance.
In Figure 1(b), we present the plots (αhν)
2
versus hν
for the curves of Figure 1(a), with hν = hc/λ the photon
energy (c = 3 × 108 m/s is the light velocity, h = 6.66 ×
10–34 Js is the Plank constant and λ is the light wavelength)
and α the optical absorption coefficient determined
by the approximate relation T = exp(−α·d) which ignores the film reflectance (d is the film thickness). The
plots of Figure 1(b) are based on the assumption of direct
electron transitions in ZnO and TiO2 semiconductors
where the relation αhν ~ (hν − Eg)
1/2 holds. The parameter
Eg called “optical gap” can be experimentally determined
by extrapolating the line portion of the plot (αhν)
2
versus hν to zero absorption coefficient. Thus, average
optical gap values of 3.8 eV and 3.4 eV for the ZnO and
TiO2 films are respectively determined from the curves
of Figure 1(b).
Figure 2 shows the I-V characteristics of DSSCs with
ZnO spin-coated TiO2 photo-electrodes at five different
precursor concentrations (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 M).
The I-V characteristic of a DSSC with bare TiO2 photoelectrode
is included for comparison. In Table 1, we present
the PV parameters extracted from the I-V curves of
Figure 2. At the smallest precursor concentration 0.1 M,
there is a clear enhancement of the short circuit photocurrent
JSC from 5.73 to 7.48 mA/cm2
, while small shifts upward from 0.58 to 0.61 V and downward from 62% to
59% for the open circuit voltage VOC and the fill factor
FF are respectively observed. Further increase of the
ZnO precursor concentration, to 0.2 M, causes JSC to decrease
remarkably to 2.74 mA/cm2
, whereas small shifts
to 0.6 V and to 64.4% for VOC and FF are again respectively
observed. Beyond 0.2 M, the PV-parameters decrease
drastically and almost no photovoltaic effect is
detected (JSC ~ 0.2 - 0.1 mA/cm2
, VOC ~ 0.2 V and FF ~
25%).The resulting power conversion efficiency 
 is plotted in Figure 3 as a
function of the ZnO precursor concentration. An optimum
η ~ 2.7% is observed at the smallest concentration
0.1 M followed by a sharp decrease to 0%. While the
small upward shift of VOC can be explained by a small
shift of the Fermi-level upon ZnO coating, it is clear from
Table 1 and Figure 3 that the variation of η is mainly
due to the variation of JSC. It is known in the literature
that the deposition of a metal oxide layer, with a higher
conduction band energy minimum than that of TiO2, on
the surface of a TiO2 photo-electrode creates an energy
barrier that can inhibit the injected electrons from the dye
molecules to recombine back with the electrolyte species[12,13]. This recombination inhibition is the direct cause
of the photocurrent enhancement occurring at ZnO precursor
concentrations around 0.1 M. However, there
must be an optimal amount of ZnO in the deposited layer
above which the illuminated TiO2 surface is partially
obscured by the ZnO layer. The original dye-adsorption
efficiency of the TiO2 film decreases when the coating
ZnO of much lower dye-adsorption efficiency [14]
screens the TiO2 surface. The light harvest rate and the
electron injection rate will consequently decrease and
this will be reflected by the decrease of JSC and η (Figure
3).
Figure 4 shows the absorbance spectra of dye-loaded
ZnO-coated TiO2 films at five different ZnO precursor
concentrations (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 M), plotted together
with the spectrum of the dye-loaded uncoated
TiO2 film. The spectrum of the bare TiO2 film is also
plotted in Figure 4 for comparison. We can first compare
the spectrum of the dye-loaded TiO2 with that of the bare
TiO2: It is noticeable that the spectrum of the bare TiO2
film (black line) is much lower than the spectrum of the
film with loaded dye (black curve), which means that the
dye molecules form the main light absorber in the visible
range. Since ZnO is more transparent in the visible range
than TiO2, one would expect that the dye molecules will
still form the main absorber in the presence of the ZnO
layer and that the spectra of the dye-loaded ZnO-coated
TiO2 film

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนไปเรียนต่อ ZnO เป็นชั้นหมุนเคลือบเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของ TiO2 DSCs คุ้มค่าการนำเสนอแรกบางลักษณะแสงของ ZnO นี้ชั้น การระบุก่อนวัสดุเคลือบเพื่อการประยุกต์ใช้ สเปกตรัมสัมประสิทธิ์การส่งผ่านของ ZnO ห้ามีความเข้มข้นต่าง ๆ ZnO สารตั้งต้น (0.10.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 M) จะแสดงในรูป 1(a) ด้วยกันด้วยคลื่นความถี่ส่งฟิล์ม TiO2สำหรับการเปรียบเทียบกัน ชั้น ZnO ได้ฝากเงินโดยการโซลเจลเทคนิคหมุนเคลือบบนพื้นผิวแก้ว FTOใช้โซล 5 หยดแต่ละชั้น ขณะ Solaronix TiO2ฟิล์มถูก screen-printed บนกระจก FTO การส่งเกณฑ์ความยาวคลื่นของ ZnO (~ 300 nm)ต่ำกว่าที่ของ TiO2 (~ 350 nm), ภาษาช่องว่างพลังงานกว้างสำหรับ ZnO ซึ่งจะเป็นทางกายภาพเหตุผลสำหรับการสังเกตสูงขึ้น ZnO สัมประสิทธิ์การส่งผ่านในรูป 1(b) เรานำเสนอที่ดินแปลง (αhν)2 เมื่อเทียบกับ hνสำหรับเส้นโค้งของรูป 1(a) กับ hν = hc/λ โฟตอนพลังงาน (c = 3 × 108 m/s คือ ความเร็วแสง h = 6.66 ×10-34 Js คงไม้กระดาน และλเป็นความยาวคลื่นแสง)และกำหนดค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมแสงของαโดยความสัมพันธ์โดยประมาณ T = exp(−α·d) ซึ่งละเว้นการสะท้อนของฟิล์ม (d คือ ความหนาของฟิล์ม) การการ 1(b) รูปเป็นไปตามสมมติฐานของโดยตรงเปลี่ยนอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำ TiO2 และ ZnOที่ αhν ความสัมพันธ์ ~ (hν − Eg)เก็บ 1/2 พารามิเตอร์เช่น เรียกว่าออปติคอลช่อง"สามารถทดลองกำหนดโดย extrapolating ส่วนบรรทัดของพล็อต (αhν)2เมื่อเทียบกับ hν ที่ศูนย์สัมประสิทธิ์การดูดซับ ดังนั้น เฉลี่ยค่าช่องว่างออปติคอล 3.8 eV และ 3.4 eV สำหรับ ZnO และฟิล์ม TiO2 จะถูกกำหนดตามลำดับจากเส้นโค้งของรูป 1(b)รูปที่ 2 แสดงลักษณะ-V ของ DSSCs ด้วยZnO หมุนเคลือบ TiO2 ภาพอิเล็กโทรดที่ห้าที่แตกต่างกันความเข้มข้นสารตั้งต้น (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 M)ลักษณะ-V ของ DSSC มี TiO2 เปลือย photoelectrodeจะรวมการเปรียบเทียบ ตารางที่ 1 เรานำเสนอสกัดจากเส้นโค้ง-V ของพารามิเตอร์ PVรูปที่ 2 ที่ความเข้มข้นของสารตั้งต้นน้อยที่สุด 0.1 Mมีการปรับปรุงที่ชัดเจนของ photocurrent ไฟฟ้าลัดวงจรJSC จาก 5.73 การ 7.48 mA/cm2ขณะเล็กเลื่อนขึ้นด้านบนจาก 0.58 0.61 V และลงจาก 62%59% สำหรับแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด VOC และตัวคูณการเติมFF จะสังเกตตามลำดับ การเพิ่มขึ้นของการความเข้มข้นของสารตั้งต้น ZnO, 0.2 เมตร ทำให้ JSC เพื่อลดอย่างน่าทึ่งถึง 2.74 mA/cm2ในขณะที่เลื่อนเล็กและประมาณ 64.4 มม. 0.6 V %สำหรับ VOC และ FF อยู่อีกตามลำดับปฏิบัติ ลดลงเกินกว่า 0.2 M, PV-พารามิเตอร์อย่างมาก และเกือบจะไม่มีผลต่อเซลล์แสงอาทิตย์ตรวจพบ (JSC ~ 0.2 - 0.1 mA/cm2, VOC ~ 0.2 V และ FF ~25%)  efficiency แปลงพลังงานเกิดขึ้นถูกพล็อตในรูปที่ 3 เป็นการฟังก์ชันของความเข้มข้นสารตั้งต้นของ ZnO มีประสิทธิภาพสูงสุดΗ ~ 2.7% เป็นที่สังเกตที่ความเข้มข้นน้อยที่สุด0.1 M ตาม ด้วยความคมชัดลดลงเป็น 0% ในขณะขนาดเล็กขึ้นกะของ VOC สามารถอธิบายได้ โดยมีขนาดเล็กกะของแฟร์มีระดับเมื่อเคลือบ ZnO เป็นที่ชัดเจนจากตารางที่ 1 และรูปที่ 3 ที่การเปลี่ยนแปลงของηเป็นส่วนใหญ่เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของ JSC เป็นที่รู้จักกันในวรรณคดีว่า การสะสมของออกไซด์โลหะมีชั้น ที่สูงนำวงพลังงานต่ำกว่าของ TiO2 บนพื้นผิวของภาพ TiO2-ขั้วไฟฟ้าสร้างเป็นพลังงานอุปสรรคที่สามารถฉีดอิเล็กตรอนจากสีย้อมโมเลกุลจะ recombine กลับชนิดอิเล็กโทรไลท์ [12,13] การยับยั้งการรวมตัวกันนี้เป็นสาเหตุโดยตรงการปรับปรุง photocurrent ที่เกิดขึ้นใน ZnO สารตั้งต้นความเข้มข้นประมาณ 0.1 M อย่างไรก็ตาม มีต้องมีปริมาณเหมาะสมของ ZnO ในชั้นฝากซึ่งพื้นผิว TiO2 สว่างเป็นบางส่วนบดบัง ด้วยชั้น ZnO สีดูดซับเดิมประสิทธิภาพของฟิล์ม TiO2 ลดลงเมื่อการเคลือบZnO ของประสิทธิภาพดูดซับสีย้อมต่ำ [14]หน้าจอ TiO2 surface อัตราการเก็บเกี่ยวแสงและจึงจะลดอัตราการฉีดของอิเล็กตรอน และนี้จะมีผล โดยลด JSC และη (รูป3)รูปที่ 4 แสดงสเปกตรัมค่าของโหลดย้อมZnO เคลือบฟิล์ม TiO2 ที่แตกต่างกันห้า ZnO สารตั้งต้นเข้มข้น (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 M), วางแผนร่วมกันด้วยคลื่นความถี่ของการย้อมโหลดเคลือบผิวฟิล์ม TiO2 สเปกตรัมของฟิล์ม TiO2 เปลือยเป็นยังพล็อตในรูปที่ 4 เปรียบเทียบ เราสามารถเปรียบเทียบก่อนสเปกตรัมของ TiO2 ที่โหลดย้อมกับของการเปลือยTiO2: จะเห็นได้ชัดเจนที่สเปกตรัมของ TiO2 เปลือยฟิล์ม (สายดำ) มีน้อยกว่าคลื่นความถี่ของการฟิล์มย้อมโหลด (เส้นโค้งสีดำ), ซึ่งหมายความ ว่า การโมเลกุลของสีย้อมแบบตัวดูดซับแสงหลักในการมองเห็นช่วงนี้ ZnO เป็นโปร่งใสมากขึ้นในช่วงมองเห็นได้กว่า TiO2 หนึ่งจะคาดหวังว่า จะย้อมโมเลกุลยังฟอร์มตัวดูดซับหลักใน ZnOชั้นและที่สเปกตรัมของสีย้อมโหลดเคลือบ ZnOฟิล์ม TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนที่จะศึกษา ZnO เป็นชั้นสปินเคลือบเพื่อปรับปรุง
ประสิทธิภาพการทำงานของ TiO2 DSCs มันเป็นมูลค่านำเสนอ
ครั้งแรกบางลักษณะแสงของ ZnO นี้
ชั้นโดยมีจุดมุ่งหมายเพื่อระบุวัสดุเคลือบผิวก่อน
ที่จะประยุกต์ใช้ สเปกตรัมการส่งผ่านห้า ZnO
ภาพยนตร์ที่มีความเข้มข้นของสารตั้งต้นซิงค์ออกไซด์ที่แตกต่างกัน (0.1,
0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 M) จะแสดงในรูปที่ 1 (ก) พร้อม
กับการส่งผ่านคลื่นความถี่ของฟิล์ม TiO2
สำหรับการเปรียบเทียบ ชั้นวางซิงค์ออกไซด์โดย
โซลเจลสปินเทคนิคการเคลือบพื้นผิว FTO แก้ว
ใช้ 5 หยดโซลสำหรับแต่ละชั้นในขณะที่ Solaronix TiO2
ภาพยนตร์เรื่องนี้เป็นหน้าจอที่พิมพ์บนพื้นผิว FTO แก้ว
เกณฑ์การส่งความยาวคลื่นของซิงค์ออกไซด์ (~ 300 นาโนเมตร)
ต่ำกว่าของ TiO2 (~ 350 นาโนเมตร) แนะนำ
ช่องว่างพลังงานที่กว้างขึ้นสำหรับซิงค์ออกไซด์ซึ่งสามารถทางกายภาพ
เหตุผลสำหรับการสังเกต ZnO การส่งผ่านสูง.
ในรูปที่ 1 (ข) เรานำเสนอแผนการ (αhν)
2
เมื่อเทียบกับhν
สำหรับเส้นโค้งของรูปที่ 1 (a) กับhν = HC / λโฟตอน
พลังงาน (C = 3 × 108 เมตร / วินาทีเป็นความเร็วแสง H = 6.66 ×
10-34 Js เป็นไม้กระดานอย่างต่อเนื่องและλคือความยาวคลื่นแสง)
และค่าสัมประสิทธิ์แอลฟาดูดซึมแสงกำหนด
โดยความสัมพันธ์ประมาณ T = exp (-α· D) ซึ่งสะท้อนละเว้นภาพยนตร์ (D คือความหนาฟิล์ม)
แปลงรูปที่ 1 (ข) จะขึ้นอยู่กับข้อสันนิษฐานของโดยตรง
เปลี่ยนอิเล็กตรอนในซิงค์ออกไซด์ TiO2 และเซมิคอนดักเตอร์
ที่ความสัมพันธ์αhν ~ (hν - เช่น) เดอะ
1/2 ถือ พารามิเตอร์
เช่นที่เรียกว่า "ช่องว่างแสง" สามารถกำหนดทดลอง
โดยคะเนส่วนสายของพล็อต (αhν)
2
เมื่อเทียบกับhνให้เป็นศูนย์สัมประสิทธิ์การดูดซึม ดังนั้นเฉลี่ย
ค่าช่องว่างแสง 3.8 EV และ 3.4 eV สำหรับซิงค์ออกไซด์และ
ภาพยนตร์ TiO2 จะถูกกำหนดตามลำดับจากเส้นโค้ง
ของรูปที่ 1 (ข).
รูปที่ 2 แสดงลักษณะที่สี่ของ DSSCs กับ
ZnO ปั่นเคลือบ TiO2 ภาพขั้วไฟฟ้าที่ห้า ที่แตกต่างกัน
มีความเข้มข้นของสารตั้งต้น (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 ม.)
ลักษณะที่สี่ของ DSSC กับ photoelectrode TiO2 เปลือย
รวมอยู่ในการเปรียบเทียบ ในตารางที่ 1 เรานำเสนอ
พารามิเตอร์ PV สกัดจากเส้นโค้งที่สี่ของ
รูปที่ 2 ในความเข้มข้นของสารตั้งต้นที่เล็กที่สุด 0.1 M,
มีการเพิ่มประสิทธิภาพที่ชัดเจนของวงจร photocurrent สั้น
JSC 5.73-7.48 mA / cm2
ในขณะที่การเปลี่ยนแปลงขนาดเล็กเพิ่มขึ้นจาก 0.58-0.61 V และลดลงจาก 62% เป็น
59% สำหรับการเปิด VOC แรงดันไฟฟ้าวงจรและปัจจัยที่เติม
FF ได้มีการปฏิบัติตามลำดับ เพิ่มขึ้นต่อไปของ
ความเข้มข้นของสารตั้งต้นซิงค์ออกไซด์, 0.2 M ทำให้เกิด JSC จะลดลง
อย่างน่าทึ่ง 2.74 mA / cm2
ในขณะที่การเปลี่ยนแปลงขนาดเล็ก
0.6 V และ 64.4% สำหรับ VOC และ FF เป็นอีกครั้งตามลำดับ
สังเกต นอกเหนือจาก 0.2 M, PV-พารามิเตอร์ที่ลดลง
อย่างมากและเกือบจะไม่มีผลกระทบต่อเซลล์แสงอาทิตย์จะถูก
ตรวจพบ (JSC ~ 0.2-0.1 mA / cm2
, VOC ~ 0.2 V และ FF ~
25%) การแปลงพลังงานที่เกิดefficiency.
พล็อตในรูป 3 เป็น
ฟังก์ชั่นของความเข้มข้นของสารตั้งต้นซิงค์ออกไซด์ เหมาะสม
η ~ 2.7% เป็นที่สังเกตที่ความเข้มข้นที่เล็กที่สุด
0.1 M ตามด้วยการลดลงเหลือ 0% ในขณะที่
การเปลี่ยนแปลงขึ้นเล็ก ๆ ของ VOC สามารถอธิบายได้โดยมีขนาดเล็ก
กะแฟร์ระดับบนเคลือบซิงค์ออกไซด์ก็เป็นที่ชัดเจนจาก
ตารางที่ 1 และรูปที่ 3 ว่าการเปลี่ยนแปลงของηเป็นส่วนใหญ่
เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของ JSC เป็นที่รู้จักกันในวรรณคดี
ที่ทับถมของชั้นออกไซด์ของโลหะที่มีความสูง
ขั้นต่ำพลังงานการนำวงดนตรีกว่าของ TiO2 บน
พื้นผิวของ TiO2 ภาพไฟฟ้าสร้างพลังงาน
อุปสรรคที่สามารถยับยั้งการอิเล็กตรอนฉีดจากสีย้อม
โมเลกุล การรวมตัวกลับมาพร้อมกับสายพันธุ์อิ [12,13] ยับยั้งการรวมตัวกันอีกนี่คือสาเหตุโดยตรง
ของการเพิ่มประสิทธิภาพของ photocurrent ที่เกิดขึ้นในสารตั้งต้นซิงค์ออกไซด์
ความเข้มข้นรอบ 0.1 เมตร แต่มี
ต้องเป็นจำนวนที่เหมาะสมของซิงค์ออกไซด์ในชั้นฝาก
ข้างต้นซึ่งพื้นผิว TiO2 สว่างเป็นเพียงบางส่วน
บดบังด้วยชั้นซิงค์ออกไซด์ เดิมย้อมซับ
ประสิทธิภาพของฟิล์ม TiO2 จะลดลงเมื่อเคลือบ
ซิงค์ออกไซด์ของประสิทธิภาพการดูดซับสีย้อมที่ต่ำกว่ามาก [14]
หน้าจอพื้นผิว TiO2 อัตราการเก็บเกี่ยวแสงและ
อัตราการฉีดอิเล็กตรอนจึงจะลดลงและ
นี้จะสะท้อนให้เห็นจากการลดลงของ JSC และη (รูปที่
3).
รูปที่ 4 แสดงสเปกตรัมการดูดกลืนแสงของสีย้อมโหลด
ซิงค์ออกไซด์เคลือบฟิล์ม TiO2 ที่ห้า ZnO ปูชนียบุคคลที่แตกต่างกัน
มีความเข้มข้น (0.1, 0.2, 0.3, 0.4 และ 0.5 เมตร) วางแผนร่วมกัน
กับสเปกตรัมของสีย้อมโหลดเคลือบผิว
ฟิล์ม TiO2 สเปกตรัมของฟิล์ม TiO2 เปลือยนอกจากนี้ยังมี
พล็อตในรูปที่ 4 สำหรับการเปรียบเทียบ ครั้งแรกที่เราสามารถเปรียบเทียบ
สเปกตรัมของ TiO2 สีย้อมโหลดกับที่ของเปลือย
TiO2: เป็นที่น่าสังเกตว่าคลื่นความถี่ของ TiO2 เปลือย
ภาพยนตร์ (สายสีดำ) ต่ำกว่าสเปกตรัมของ
ภาพยนตร์ที่มีสีย้อมโหลด (เส้นโค้งสีดำ) ซึ่งหมายความว่า
โมเลกุลของสีย้อมแบบโช้คแสงหลักในการมองเห็น
ช่วง ตั้งแต่ ZnO มีความโปร่งใสมากขึ้นในช่วงที่มองเห็นได้
มากกว่า TiO2 หนึ่งจะคาดหวังว่าโมเลกุลของสีย้อมจะ
ยังคงรูปแบบโช้คหลักในการปรากฏตัวของซิงค์ออกไซด์ที่
ชั้นและสเปกตรัมของซิงค์ออกไซด์เคลือบสีย้อมโหลด
ภาพยนตร์ TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนเรียนเป็นชั้นเคลือบสังกะสี ปั่นเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของ TiO2 dscs เป็นมูลค่าที่เสนอแรกลักษณะของซิงค์ออกไซด์นี้บางแสงชั้นมีจุดมุ่งหมายที่จะระบุวัสดุเคลือบก่อนการประยุกต์ของ transmittance สเปกตรัมของห้าซิงค์ออกไซด์ภาพยนตร์ที่มีซิงค์ออกไซด์ ( สารตั้งต้นความเข้มข้น 0.1 ,0.2 , 0.3 , 0.4 และ 0.5 M ) จะแสดงในรูปที่ 1 ( a ) ด้วยกันกับแสงสเปกตรัมของ TiO2 ฟิล์มสำหรับการเปรียบเทียบ ชั้นถูกฝากโดยการซิงค์ออกไซด์ด้วยเทคนิคการเคลือบหมุนบนพื้นผิวแก้ว FTOใช้ 5 หยด โซล ในแต่ละชั้น ส่วนโซลาร์โรนิซ TiO2ฟิล์มหน้าจอพิมพ์บนแผ่นแก้ว FTO . ที่การส่งผ่านความยาวคลื่นเกณฑ์ของ ZnO ( ~ 300 nm )ต่ำกว่าที่ของ TiO2 ( ~ 350 nm ) แนะนำช่องว่างพลังงานกว้างสำหรับซิงค์ออกไซด์ซึ่งสามารถทางกายภาพเหตุผลสำหรับการพบว่า ZnO .ในรูปที่ 1 ( B ) เราเสนอโครงเรื่อง ( α H ν )2เมื่อเทียบกับ H νสำหรับเส้นโค้งของรูปที่ 1 ( a ) กับ H ν = HC / λโฟตอนพลังงาน ( C = 3 × 108 m / s คือความเร็วแสง H = 6.66 ×10 – 34 JS เป็นไม้กระดานที่คงที่ และλคือความยาวคลื่นแสง )αการดูดกลืนแสงและค่ากำหนดโดยมีความสัมพันธ์ t = exp ( −α· D ) ซึ่งละเว้นฟิล์มสะท้อนแสง ( D คือ ความหนาของฟิล์ม ) ที่แปลงรูปที่ 1 ( B ) จะขึ้นอยู่กับสมมติฐานของโดยตรงอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนำซิงค์ออกไซด์ TiO2 และการเปลี่ยนที่ความสัมพันธ์α H ν ~ ( H ν− 2 )1 / 2 ถือ พารามิเตอร์เช่นเรียกว่า " แสงช่องว่าง " สามารถการทดลองโดยการประมาณเส้นส่วนของพล็อต ( α H ν )2เมื่อเทียบกับ H νกับสัมประสิทธิ์การดูดกลืนที่ศูนย์ โดยเฉลี่ยแสงกับค่า 3.8 EV และ 3.4 EV สำหรับซิงค์ออกไซด์และภาพยนตร์ ) ตามลำดับการพิจารณาจากเส้นโค้งจากรูปที่ 1 ( B )รูปที่ 2 แสดงลักษณะของ dsscs ด้วยไฟฟ้าซิงค์ออกไซด์ TiO2 เคลือบขั้วไฟฟ้าที่ปั่นรูป 5 แตกต่างกันสารตั้งต้นความเข้มข้น 0.1 , 0.2 , 0.3 , 0.4 และ 0.5 M )โดยลักษณะของไฟฟ้าด้วย photoelectrode DSSC ) เปลือยรวมสำหรับการเปรียบเทียบ ตารางที่ 1 เราปัจจุบันเซลล์ที่สกัดจากเส้นโค้งของพารามิเตอร์ไฟฟ้ารูปที่ 2 ที่เล็กที่สุดสารเข้มข้น 0.1 Mมีการส่งเสริมที่ชัดเจนของการลัดวงจรกระแสโฟโตJSC จาก 5.73 ถึง 7.48 MA / ตร. ซม.ในขณะที่เล็กเลื่อนขึ้นจาก 0.58 0.61 V และลดลงจาก 62 ,59 % สำหรับค่าแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด VOC และปัจจัยที่เติมFF ตามลำดับ ) เพิ่มต่อไปของซิงค์ออกไซด์ความเข้มข้น 0.2 M , ตั้งต้น , ทำให้ JSC เพื่อลดน่าทึ่งกับ 2.74 MA / ตร. ซม.ส่วนกะเล็ก0.6 V และ 64.4 % สำหรับ VOC และ FF อีกครั้งตามลำดับสังเกต เกิน 0.2 M PV ค่าลดลงอย่างรวดเร็วและเกือบจะไม่มีแสงอาทิตย์ ผลคือตรวจพบ ( JSC ~ 0.2 - 0.1 Ma / ตร. ซม.ระเหย , 0.2 V : ~ ~25 เปอร์เซ็นต์ ส่งผลให้ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานคือวางแผนในรูปที่ 3 เป็นการทำงานของซิงค์ออกไซด์สารตั้งต้นที่ใช้ ที่เหมาะสมη ~ 2.7% เป็นที่สังเกตในความเข้มข้นที่น้อยที่สุด0.1 M ตามด้วยการลดลงคมชัดใน 0 % ในขณะที่กะขึ้นเล็ก ๆของ บริษัท สามารถอธิบายได้โดยเล็กกะของแฟร์ระดับบนเคลือบสังกะสี ก็เป็นที่ชัดเจนจากตารางที่ 1 และรูปที่ 3 ว่า การเปลี่ยนแปลงของηเป็นส่วนใหญ่เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของ JSC . มันเป็นที่รู้จักกันในวรรณคดีว่า การสะสมของโลหะออกไซด์ชั้น มีสูงกว่านำวงดนตรีพลังงานน้อยกว่าของ TiO2 , บนพื้นผิวของ TiO2 electrode ภาพถ่ายสร้างพลังงานอุปสรรคที่สามารถยับยั้งการฉีดอิเล็กตรอนจากการย้อมโมเลกุลแขกกลับมีอิเล็กโทรไลต์ชนิด [ 12 , 13 ‘ ] นี้คือสาเหตุการยับยั้งของกระแสโฟโต ที่เกิดขึ้นในการตั้งต้นซิงค์ออกไซด์ความเข้มข้นประมาณ 0.1 เมตร อย่างไรก็ตามต้องมีปริมาณที่เหมาะสมของ ZnO ในฝาก ชั้นซึ่งเหนือผิวสว่าง TiO2 เป็นบางส่วนถูกบดบังด้วยไฟฟ้าชั้น การดูดซับสีย้อมผ้า เป็นต้นประสิทธิภาพของฟิล์มลดลงเมื่อเคลือบ TiO2ซิงค์ออกไซด์ลดลงมากประสิทธิภาพในการดูดซับสีย้อม [ 14 ]หน้าจอพื้นผิว ) . แสงเก็บเกี่ยวคะแนน และอัตราการฉีดอิเล็กตรอนจะจึงลดลงนี้จะสะท้อนให้เห็นโดยการลดลงของ JSC η ( รูปและ3 )รูปที่ 4 แสดงสเปกตรัมการดูดกลืนแสงของสีย้อมโหลดซิงค์ออกไซด์ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่เคลือบ TiO2 สารตั้งต้นที่แตกต่างกันห้าความเข้มข้น 0.1 , 0.2 , 0.3 , 0.4 และ 0.5 เมตร ) ร่วมมือกันกับสเปกตรัมของสีเคลือบโหลด) ภาพยนตร์ สเปกตรัมของ TiO2 เปลือยภาพยนตร์ยังวางแผนในรูปที่ 4 เปรียบเทียบ เราสามารถเปรียบเทียบสเปกตรัมของสี TiO2 กับโหลดของเปลือย) : มันเป็นน่าสังเกตว่าสเปกตรัมของ TiO2 เปลือยภาพยนตร์ ( เส้นสีดำ ) ต่ำกว่าสเปกตรัมของโหลดภาพยนตร์กับสีย้อม ( โค้งสีดำ ) ซึ่งหมายความว่าโมเลกุลสีฟอร์มดูดแสงหลักในการมองเห็นช่วง เนื่องจากสังกะสีมีความโปร่งใสมากขึ้นในช่วงที่มองเห็นได้กว่า TiO2 , หนึ่งจะคาดหวังว่าย้อมโมเลกุลจะยังคงรูปแบบโช้คหลักในการปรากฏตัวของซิงค์ออกไซด์ชั้นและสเปกตรัมสีเคลือบซิงค์ออกไซด์โหลดฟิล์ม )