PHASE-CHANGE MEMORY MAY ENABLE CONT

PHASE-CHANGE MEMORY MAY ENABLE CONTINUED SCALING OF MAIN MEMORIES, BUT
PCM HAS HIGHER ACCESS LATENCIES, INCURS HIGHER POWER COSTS, AND WEARS OUT
MORE QUICKLY THAN DRAM. THIS ARTICLE DISCUSSES HOW TO MITIGATE THESE
LIMITATIONS THROUGH BUFFER SIZING, ROW CACHING, WRITE REDUCTION, AND WEAR
LEVELING, TO MAKE PCM A VIABLE DRAM ALTERNATIVE FOR SCALABLE MAIN MEMORIES

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เปลี่ยนเฟสหน่วยความจำอาจเปิดใช้งานการปรับขนาดอย่างต่อเนื่องของหลักความทรงจำ แต่มีเวลาเข้าสูง อายัดค่าใช้จ่ายพลังงานสูง และ PCM สวมออกได้เร็วกว่า DRAM บทความนี้อธิบายถึงวิธีการเหล่านี้ข้อจำกัดผ่านขนาดบัฟเฟอร์ แคแถว เขียน และลดการสึกหรอปรับระดับ กับ PCM ทำให้ทางวางอนาคต DRAM สำหรับหลักขนาดความทรงจำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เปลี่ยนเฟสหน่วยความจำอาจเปิดใช้งานอย่างต่อเนื่องของ SCALING MAIN ความทรงจำ แต่
PCM HAS เวลาแฝงในการเข้าถึงที่สูงขึ้นเกิดขึ้นจากต้นทุนพลังงานที่สูงขึ้นและสวมออก
ได้เร็วกว่า DRAM บทความนี้อธิบายวิธีเหล่านี้เพื่อลด
ข้อ จำกัด ผ่าน BUFFER ปรับขนาดแถวแคชเขียนลดและสวมใส่
LEVELING เพื่อให้ PCM เป็นทางเลือกที่ทำงานได้สำหรับ DRAM MEMORIES MAIN ปรับขนาดได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หน่วยความจำ - เปลี่ยนรูป อาจจะช่วยให้ยังคงปรับความจำหลัก แต่มีการเกิดสูงเกิด PCM , พลังงานสูงกว่าต้นทุน และสวมออกเร็วกว่า DRAM . บทความนี้อธิบายถึงวิธีการลดเหล่านี้ข้อจำกัดผ่านบัฟเฟอร์ขนาดแถวแคชเขียนลด และสวมปรับระดับ เพื่อให้เครื่องยนต์ทางเลือกของความทรงจำหลักยืดหยุ่นได้