When we connect p-type region of a

When we connect p-type region of a junction with the positive terminal of a voltage source and n-type region with the negative terminal of the voltage source, then the junction is said to be forward biased. At this condition, due to the attraction of positive terminal of source, electrons which participated in covalent bond creations in p-type material, will be attracted towards the terminal. As result numbers of covalent bonds are broken and, electrons are shifted towards the positive terminal. As a result, the concentration of electrons in the crystal nearer to the terminal increases and these electrons recombine with holes here. In this way, the number of holes increases in the portion of the p-type region away from the junction, and it is reduced in the portion of p-type region nearer to the terminal. As such holes are shifted from terminal to junction.


ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อเราเชื่อมต่อภูมิภาคชนิด p ของการเชื่อมต่อกับขั้วบวกของแหล่งจ่ายไฟและภูมิภาคประเภท n กับขั้วลบของแหล่งจ่ายไฟ แยกเป็นกล่าวว่า ลำเอียงไปข้างหน้า ในสภาพนี้ เนื่องจากแรงดึงดูดของขั้วบวกของแหล่งที่มา จะดึงดูดอิเล็กตรอนที่สร้างพันธะโคเวเลนต์ในวัสดุชนิด p ได้เข้าร่วม ต่อเทอร์มินัล เป็นผลจาก ตัวเลขของเลนต์จะแตก และ อิเล็กตรอนจะถูกเลื่อนขึ้นไปยังขั้วบวก เป็นผลให้ ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในคริสตัลใกล้เพิ่มเทอร์มินัลและอิเล็กตรอนเหล่านี้ recombine กับรูนี่ วิธีนี้ จำนวนของหลุมที่เพิ่มในส่วนของภูมิภาคชนิด p อยู่ห่างจากแยก และก็จะลดลงในส่วนของภูมิภาคชนิด p ใกล้กับอาคารผู้โดยสาร เช่นหลุมจะเลื่อนขึ้นจากเทอร์มินัลไปแยก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อเราเชื่อมต่อภูมิภาค P-ประเภทของสถานีชุมทางกับขั้วบวกของแหล่งกำเนิดแรงดันไฟฟ้าและ N-ประเภทพื้นที่กับขั้วลบของแหล่งจ่ายแรงดันแล้วสนธิกล่าวจะลำเอียงไปข้างหน้า ในสภาพเช่นนี้เนื่องจากสถานที่ของขั้วบวกของแหล่งที่มาอิเล็กตรอนซึ่งมีส่วนร่วมในการสร้างสรรค์โควาเลนต์พันธบัตรในวัสดุ P-ประเภทจะได้รับความสนใจต่อขั้ว ในฐานะที่เป็นผลมาจากตัวเลขพันธะโควาเลนจะแตกและอิเล็กตรอนจะขยับไปขั้วบวก เป็นผลให้ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในใกล้คริสตัลกับการเพิ่มขึ้นของขั้วและอิเล็กตรอนเหล่านี้รวมตัวที่มีรูนี่ ด้วยวิธีนี้จำนวนของหลุมที่เพิ่มขึ้นในส่วนของภูมิภาค P-ชนิดห่างจากทางแยกและมันก็จะลดลงในส่วนของภูมิภาค P-ชนิดใกล้กับอาคารที่ ในฐานะที่เป็นหลุมดังกล่าวจะเปลี่ยนจากสถานีชุมทาง


ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อเราเชื่อมต่อพีภูมิภาคของชุมทางกับขั้วบวกของแหล่งจ่ายแรงดัน และเขตทั่วไปกับ terminal ลบของแหล่งจ่ายแรงดัน แล้วแยกว่าลำเอียงไปข้างหน้า อาการนี้ เกิดจากแรงดึงดูดของขั้วบวกของแหล่งอิเล็กตรอน ซึ่งเข้าร่วมในการสร้างพันธะโคเวเลนซ์ในวัสดุพี จะถูกดึงดูดไปยังสถานีปลายทาง เป็นผลให้ตัวเลขของพันธบัตรโควาเลนต์จะแตก และ อิเล็กตรอนจะย้ายไปยัง terminal บวก เป็นผลให้ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนในคริสตัล ใกล้อาคารเพิ่มขึ้นและอิเล็กตรอนเหล่านี้แขกกับหลุมที่นี่ ในวิธีนี้ จำนวนหลุมที่เพิ่มขึ้นในส่วนของพีเขตห่างจากทางแยก และเป็นการลดลงในส่วนของพีภูมิภาคใกล้สถานี เช่นหลุมเปลี่ยนจาก Terminal เพื่อแยก