This development is attributed to a

This development is attributed to a disturbance or possibly even an interruption in the crystalline growth introduced by the d–w treatment followed by a new nucleation. Possibly the high boron concentration induces a change in surface chemistry or the growth of a very thin strongly doped ZnO layer disturbs the subsequent layer growth.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พัฒนานี้เกิดจากการไฟฟ้า หรือแม้แต่อาจจะหยุดชะงักการเจริญเติบโตเป็นผลึกนำ โดยรักษา d-w ตาม ด้วย nucleation ใหม่ อาจเข้มข้นโบรอนสูงก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงทางเคมีพื้นผิว หรือการเจริญเติบโตของชั้นมากอย่างยิ่ง doped ZnO ม่นเติบโตชั้นต่อ ๆ ไปได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การพัฒนานี้มีสาเหตุมาจากความวุ่นวายหรืออาจจะหยุดชะงักในการเจริญเติบโตของผลึกนำโดยการรักษา d-W ตามด้วยนิวเคลียสใหม่ อาจจะเป็นความเข้มข้นของโบรอนสูงก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในพื้นผิวทางเคมีหรือการเจริญเติบโตของชั้นบางมากซิงค์ออกไซด์เจืออย่างยิ่งขัดขวางการเจริญเติบโตของชั้นที่ตามมา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การพัฒนานี้จะเกิดจากการรบกวน หรือแม้แต่อาจจะหยุดชะงักการเจริญเติบโตในผลึกนำโดย D ) W รักษาตามขนาดใหม่ ความเข้มข้นของโบรอนสูงอาจก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในเคมีพื้นผิวหรือการเจริญเติบโตของซิงค์ออกไซด์เจือชั้นบางมากขอรบกวนการเจริญเติบโตของชั้นถัดไป