3. Results and discussionIn order t

3. Results and discussion
In order to examine the effect of operating temperature
on the photovoltaic performance of the DSSCs, we varied
the operating temperature of the DSSCs using a Peltier cell
under the fixed 1-Sun irradiance condition (i.e. AM 1.5 &
100 mW cm2). From the values listed in Table 1 and
Fig. 3a, we can clearly observe that the short-circuit current
density (Jsc) and open-circuit voltage (Voc) decrease with an
increase in cell temperature. Both the Jsc and Voc values of
the DSSCs decrease from 14.78 mA cm2 and 0.75 V at
T = 4 C to 13.56 mA cm2 and 0.64 V at T = 60 C,
respectively, thereby resulting in a considerable reduction
in the corresponding PCE value from 7.25% at
T = 4 C to 5.67% at T = 60 C, respectively.
In order to determine the possible reasons for these
observed phenomena, we performed an electrochemical
impedance spectroscope (EIS) measurement for the DSSCs
operated at different temperatures. Further, from Table 1
and Fig. 3b, we note that the calculated electron lifetime
(se = [2pfmax]1, where fmax denotes the maximum frequency)
slightly reduces with increasing operating temperature,
thereby suggesting that the photogenerated electrons
diffuse further at lower temperatures. From the Nyquist
plots (Fig. 3c) and the corresponding analyzed elemental
resistance (Fig. 3d), we observe that the charge transfer
resistance gradually reduces with increasing operating tem-

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.
ผลและการอภิปรายเพื่อตรวจสอบผลกระทบของอุณหภูมิในการทำงานกับประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์
DSSCs
เราแตกต่างกันอุณหภูมิการดำเนินงานของDSSCs ใช้เซลล์ Peltier
ภายใต้คง 1 อาทิตย์สภาพรังสี (คือ 1.5 และ AM
100 mW ซม. 2?) จากค่าที่ระบุไว้ในตารางที่ 1
และรูปที่ 3a
เราสามารถสังเกตเห็นได้อย่างชัดเจนว่าการลัดวงจรปัจจุบันความหนาแน่น(Jsc) และแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (Voc)
ลดลงด้วยการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิของเซลล์ ทั้ง Jsc และค่า Voc ของ
DSSCs ลดลงจากซม 14.78 mA 2 และ 0.75 V ที่
T =? 4? C ถึงเซนติเมตร 13.56 mA 2 และ 0.64 V ที่ T = 60 องศาเซลเซียส,
ตามลำดับจึงทำให้การลดลงอย่างมาก
ในมูลค่า PCE ที่สอดคล้องกันจาก 7.25% ณ
T =? 4? C ถึง 5.67% ณ T = 60 องศาเซลเซียสตามลำดับ. เพื่อตรวจสอบเหตุผลที่เป็นไปได้สำหรับเหล่านี้ปรากฏการณ์ที่สังเกตเราดำเนินการไฟฟ้าความต้านทานสเปกโตรสโคป(EIS) วัด DSSCs ดำเนินการที่อุณหภูมิที่แตกต่างกัน เพิ่มเติมจากตารางที่ 1 และรูปที่ 3b เราทราบว่าอายุการใช้งานของอิเล็กตรอนคำนวณ(SE = [2pfmax] 1 ที่ fmax หมายถึงความถี่สูงสุด) เล็กน้อยกับช่วยลดอุณหภูมิในการทำงานที่เพิ่มขึ้นจึงบอกว่าอิเล็กตรอน photogenerated กระจายเพิ่มเติมได้ที่อุณหภูมิต่ำ จาก Nyquist แปลง (รูป. 3c) และการวิเคราะห์ธาตุที่สอดคล้องต้านทาน(รูป. 3d) เราสังเกตว่าค่าใช้จ่ายในการโอนต้านทานค่อยๆลดการดำเนินงานที่เพิ่มขึ้นกับtem-

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . ผลและการอภิปราย
เพื่อศึกษาผลของอุณหภูมิ
ในการปฏิบัติแผงเซลล์แสงอาทิตย์ของ dsscs เราแตกต่างกัน
อุณหภูมิสูงของ dsscs ใช้เซลล์ซ่อม 1-sun
Peltier ภายใต้เงื่อนไขดังกล่าว ( เช่น เป็น 1.5 &
100 MW ซม.  2 ) จากตารางที่ 1 ค่าจดทะเบียนและ 3A
รูปเราก็จะสังเกตว่า การลัดวงจรปัจจุบัน
ความหนาแน่น ( JSC ) และแรงดันเปิดวงจร ( VOC ) ลดด้วย
เพิ่มอุณหภูมิของเซลล์ ทั้ง JSC และค่า VOC ของ
dsscs ลดลงจาก  14.78 มาซม. 2 และ 0.75 V
t =  4  C 13.56 มาซม.  2 และ 4 V t = 60  C

) จึงส่งผลให้ลดมากในมูลค่าที่สอดคล้องกันจาก 7.25 %
PCE T =  4  C ถึง 5.67 % ที่ t = 60 
C ตามลำดับเพื่อตรวจสอบสาเหตุที่เป็นไปได้เหล่านี้
สังเกตปรากฏการณ์ เราทำการสเปกโตรสโคปอิมพีแดนซ์ไฟฟ้า
( EIS ) การวัดเพื่อ dsscs
ดำเนินการที่อุณหภูมิต่าง ๆ เพิ่มเติม จากตารางที่ 1
รูปที่ 3B และเราทราบว่าอิเล็กตรอนคำนวณอายุ
( เซ 2pfmax = [ ]  1 ที่ fmax หมายถึงความถี่สูงสุด ) ช่วยลดอุณหภูมิเล็กน้อยด้วย

,จึงแนะนำว่า photogenerated อิเล็กตรอน
แพร่ที่อุณหภูมิต่ำกว่า มาจากไนควิสต์
แปลง ( รูปที่ 3 C ) และที่วิเคราะห์ความต้านทานธาตุ
( รูปที่ 3 ) เราสังเกตว่าค่าโอน
ต้านทาน ค่อย ๆ ลดเพิ่มสูง - ปฏิบัติการ