2. Device and Circuit StructuresSOI

2. Device and Circuit Structures
SOI current mirror and CMOS amplifier circuits shown
in Figs. 1 and 2, respectively, are studied in this work. In
Fig. 1, separation of 2 silicon islands d is varied to study
effects of thermal coupling in the mirror. In Fig. 2, the
differential pair, MP1 and MP2, is built on the same island
sharing the source. MN1 and MN2, as the active current
sink load, are built on another island sharing the source.
MP3 is used to provide the bias current for the amplifier.
Fig. 1 (a) SOI current mirror circuit and (b) its layout. d is
the FOX separation between M1 and M2. If two devices are
on the same island, d = 0.
Fig. 2 (a) CMOS SOI differential amplifier circuit and (b)
its layout. VDD = 2.5V, VSS = -2.5V, VBIAS = 1V and Vin2 = 0.
The terminal temperatures in (b) are used in the simulation.
In the SOI devices, gate length Lg = 0.22

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. อุปกรณ์และโครงสร้างของวงจรซอยปัจจุบันกระจกและวงจรขยายเสียง CMOS ที่แสดงFigs. 1 และ 2 ตามลำดับ ได้ศึกษาในงานนี้ ในFig. 1 แยกเกาะซิลิคอน 2 d แตกต่างกันเพื่อศึกษาผลของความร้อนคลัปในกระจก ใน Fig. 2 การส่วนคู่ MP1 MP2 ตั้งอยู่บนเกาะเดียวกันแหล่งใช้ร่วมกัน MN1 และ MN2 เป็นปัจจุบันใช้งานอยู่โหลดจม อยู่บนเกาะอื่นมาร่วมกันใช้ MP3 ให้ความโน้มเอียงปัจจุบันสำหรับเพาเวอร์แอมป์(ก) 1 fig. ซอยปัจจุบันกระจกวงจรและเค้าโครง (ข) ของ d คือแยกสุนัขจิ้งจอกระหว่าง M1 และ M2 ถ้ามีอุปกรณ์สองชิ้นบนเกาะเดียวกัน d = 0วงจรขยายเสียงที่แตกต่าง (ก) CMOS ซอย fig. 2 และ (b)เค้าโครงของ VDD = 2.5V, VSS = - 2.5V, VBIAS = 1V และ Vin2 = 0อุณหภูมิเทอร์มินัลใน (b) ใช้ในการจำลองในอุปกรณ์ซอย ประตูยาว Lg = 0.22