After the MEMS device fabrication,

After the MEMS device fabrication, the encapsulation can be done at any semiconductor
foundries. However, the high temperature of the encapsulation process is a concern for
packaging of MEMS for different applications and integrating with the control circuits.
Similar approach has been developed by using electroplating to fabricate the
encapsulation layers [10], [11]. This electroplating encapsulation process offers a low
temperature approach (

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากการผลิตอุปกรณ์ MEMS, encapsulation ที่สามารถทำได้ที่ดักใด ๆแหล่งผลิต อย่างไรก็ตาม อุณหภูมิของกระบวนการ encapsulation เป็นกังวลสำหรับบรรจุภัณฑ์ของ MEMS สำหรับโปรแกรมประยุกต์อื่นและรวมกับวงจรควบคุมวิธีการที่คล้ายได้รับการพัฒนา โดยใช้ไฟฟ้าในการประดิษฐ์encapsulation ชั้น [10], [11] กระบวนการ encapsulation ไฟฟ้านี้มีต่ำวิธีอุณหภูมิ (< 250 oC) กับเวเฟอร์ระดับบรรจุภัณฑ์ ในกระบวนการนี้ การมีใช้สเปเซอร์เสียสละชั้นก่อนไฟฟ้า หลังจากไฟฟ้า โลหะencapsulation ชั้นถูกสร้างขึ้นเหนือเลเยอร์ที่เสียสละ และชั้นเสียสละจากนั้นเอาออกผ่านอุโมงค์การ etch ในขั้นตอนสุดท้าย อุโมงค์ etch ปิด โดยหลากหลายวิธีเพื่อให้บรรลุปิดผนึกสูญญากาศ รูป 1.7 แสดงอย่างหนึ่งที่ใช้ไฟฟ้า Ni เพื่อสร้างสุญญากาศแพคเกจ โดยกลุ่มจากมหาวิทยาลัยมิชิแกน ในตัวอย่างนี้ ทางการประทับตราการ etchอุโมงค์เป็นสิ่งสำคัญสำหรับปิดผนึกสูญญากาศ หลากหลายคนรวมถึงภาษาท้องถิ่นเชื่อมตราการระเหย/สปัตเตอร์ และเบียดประสาน การปิดผนึกสุญญากาศก็แสดงให้เห็นเท่านั้นใช้บัดกรีเบียดซ่อนโครงสร้างทั้งหมด อย่างไรก็ตาม วิธีการนี้แสดงการโอกาสของการผลิตสูงผลผลิต ต้นทุนต่ำแพคเกจสูญญากาศที่อุณหภูมิต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากที่การผลิตอุปกรณ์ MEMS, การห่อหุ้มสามารถทำได้ที่เซมิคอนดักเตอร์ใด ๆ
หล่อ อย่างไรก็ตามการที่อุณหภูมิสูงของกระบวนการห่อหุ้มเป็นกังวลสำหรับ
บรรจุภัณฑ์ของ MEMS สำหรับการใช้งานที่แตกต่างกันและการบูรณาการกับวงจรควบคุม.
วิธีการที่คล้ายได้รับการพัฒนาโดยใช้ไฟฟ้าเพื่อสาน
ชั้น encapsulation [10] [11] กระบวนการชุบ encapsulation นี้มีต่ำ
วิธีอุณหภูมิ (<250 องศา) จะทำบรรจุภัณฑ์ระดับเวเฟอร์สูญญากาศ ในขั้นตอนนี้เป็น
ชั้น spacer บูชายัญถูกนำไปใช้ก่อนที่จะชุบ หลังจากไฟฟ้า, โลหะ
ชั้น encapsulation ถูกสร้างขึ้นเหนือชั้นเสียสละและชั้นบูชายัญจะถูกลบออกแล้ว
ผ่านอุโมงค์จำหลัก ในขั้นตอนสุดท้ายอุโมงค์จำหลักปิดให้บริการด้วยความหลากหลายของวิธีการที่จะประสบความสำเร็จใน
การปิดผนึกสูญญากาศ รูปที่ 1.7 แสดงให้เห็นตัวอย่างหนึ่งใช้ไฟฟ้า Ni เพื่อสร้างสูญญากาศ
แพคเกจโดยกลุ่มจากมหาวิทยาลัยมิชิแกน ในตัวอย่างนี้วิธีการในการปิดผนึกจำหลัก
อุโมงค์เป็นสิ่งสำคัญสำหรับการปิดผนึกสูญญากาศ วิธีการที่แตกต่างกันเป็นลูกจ้างรวมทั้งการเชื่อมหน่วง
ระเหย / ประทับตราสปัตเตอร์และประสานการกระแทก ปิดผนึกสูญญากาศก็แสดงให้เห็นเพียง
ใช้กระแทกประสานการ encapsulate โครงสร้างทั้งหมด อย่างไรก็ตามวิธีการนี้นำเสนอ
โอกาสในการผลิตผลผลิตสูงแพคเกจสูญญากาศที่มีต้นทุนต่ำที่อุณหภูมิต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจาก รวมทั้งอุปกรณ์การผลิต , encapsulation สามารถทำได้ในสารกึ่งตัวนำโรงหล่อ . อย่างไรก็ตาม อุณหภูมิสูงกระบวนการ encapsulation เป็นกังวลสำหรับบรรจุภัณฑ์ของ MEMS สำหรับการใช้งานที่แตกต่างกันและรวมกับวงจรควบคุมวิธีการที่คล้ายกันได้รับการพัฒนาโดยการใช้ ไฟฟ้า 2สรุปชั้น [ 10 ] [ 11 ] นี้ด้วยไฟฟ้าการกระบวนการเสนอต่ำวิธีอุณหภูมิ ( < 250 องศาเซลเซียส ) ระดับเวเฟอร์บรรจุภัณฑ์สูญญากาศ ในขั้นตอนนี้ไว้ช่วงชั้นใช้ก่อนชุบ หลังจากการชุบโลหะการสร้างเลเยอร์เหนือชั้นเสียสละและชั้นไว้แล้วลบออกผ่านการกัดกร่อน อุโมงค์ ในขั้นตอนสุดท้าย , กัดอุโมงค์ถูกปิดโดยหลากหลายวิธีเพื่อให้บรรลุสูญญากาศปิดผนึก รูปที่ 1.7 แสดงตัวอย่างหนึ่งที่ใช้ชุบผมสร้างสุญญากาศแพคเกจโดยกลุ่มจากมหาวิทยาลัยมิชิแกน ในตัวอย่างนี้ วิธีผนึกกัดกร่อนอุโมงค์มีการปิดผนึกสูญญากาศ . วิธีที่แตกต่างกันกลุ่มตัวอย่างที่ใช้ในการวิจัย ได้แก่ ถิ่นเชื่อมการระเหย / แกะสลักตราประทับและเชื่อมชน . สูญญากาศปิดผนึก ) เท่านั้นที่ใช้บัดกรีชนให้ความรู้โครงสร้างทั้งหมด อย่างไรก็ตาม วิธีการนี้นำเสนอโอกาสในการผลิตผลผลิตสูง ต้นทุนต่ำ แพคเกจสูญญากาศที่อุณหภูมิต่ำ