. Results
3.1. Effect of Reaction Sintering Temperature
Figure 1 shows the effect of reaction sintering temperature on the density of SiC-Si-C ceramics with different SiC particle sizes and Si powder contents. Si/C ratio of 1 and RS duration of 2 h were used. The density of specimens was decreased by increasing the RS temperature from 1400 to 1600°C, especially at higher amounts of Si powder. The microstructure of ceramic specimens at different RS temperatures is depicted in Figure 2. In general, the microstructure consists of SiC (light gray regions), C (dark gray regions), and Si (white regions) phases. Therefore, unreacted Si and C are present in the specimen, especially at 1400°C (Figure 2(a)). Additionally, high amounts of porosity can be observed (dark areas) in the microstructure. The amount of unreacted phases was decreased by an increase in the RS temperature (Figures 2(b) and 2(c)). Nevertheless, the porosity was significantly increased at the higher RS temperatures. Consequently, the specimens reaction-bonded at 1500 and 1600°C are very brittle and weak. XRD patterns of ceramic materials produced from n-SiC particles by RS at 1400 and 1600°C for 2 h are illustrated in Figure 3. As it can be seen, only β-SiC peaks appear in the diffraction patterns. The diffraction peaks were slightly intensified by increasing the RS temperature. Therefore, amplification of diffraction peaks is mainly attributed to the formation of new β-SiC phase via the RS of Si and C powders.
. ผล3.1 ผลของปฏิกิริยา Sintering อุณหภูมิรูปที่ 1 แสดงให้เห็นถึงผลกระทบของอุณหภูมิการเผาปฏิกิริยากับความหนาแน่นของ SiC-Si-C เซรามิกมีดังนี้ขนาดอนุภาคแตกต่างกันและศรีเนื้อหาผง ศรี / C อัตราส่วน 1 และระยะเวลาของอาร์เอส 2 ชั่วโมงถูกนำมาใช้ ความหนาแน่นของตัวอย่างลดลงโดยการเพิ่มอุณหภูมิของอาร์เอส 1,400-1,600 องศาเซลเซียสโดยเฉพาะอย่างยิ่งในปริมาณที่สูงขึ้นของผงศรี จุลภาคของชิ้นงานเซรามิกที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันอาร์เอสเป็นที่ปรากฎในรูปที่ 2 โดยทั่วไปจุลภาคประกอบด้วยดังนี้ (ภูมิภาคสีเทาอ่อน), C (ภูมิภาคสีเทาเข้ม) และศรี (ภูมิภาคสีขาว) ขั้นตอน ดังนั้น unreacted ศรีและ C ที่มีอยู่ในชิ้นงานโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่ 1,400 ° C (รูปที่ 2 (ก)) นอกจากนี้ปริมาณสูงของความพรุนสามารถสังเกต (บริเวณที่มืด) ในจุลภาค ปริมาณของขั้นตอน unreacted ลดลงโดยการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิที่อาร์เอส (รูปที่ 2 (ข) และ 2 (ค)) อย่างไรก็ตามความพรุนที่เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญที่มีอุณหภูมิสูงกว่าอาร์เอส ดังนั้นตัวอย่างปฏิกิริยาถูกผูกมัดที่ 1,500 และ 1,600 องศาเซลเซียสมีความเปราะและอ่อนแอ รูปแบบ XRD ของวัสดุเซรามิกที่ผลิตจากอนุภาค n-SiC โดยอาร์เอสที่ 1400 และ 1600 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 ชั่วโมงจะแสดงในรูปที่ 3 ในขณะที่มันสามารถมองเห็นเพียงยอดβ-SiC ปรากฏในรูปแบบการเลี้ยวเบน ยอดเลนส์ที่ถูกทวีความรุนแรงมากขึ้นเล็กน้อยโดยการเพิ่มอุณหภูมิของอาร์เอส ดังนั้นการขยายของยอดเลนส์เป็นส่วนใหญ่ประกอบกับการก่อตัวของเฟสβ-SiC ใหม่ผ่านทางอาร์เอสของศรีและผง C
การแปล กรุณารอสักครู่..
