taking into consideration the mecha

taking into consideration the mechanism of PID in n-type Si PV modules, PID can be basically avoided by using Na-free front cover substrates (14,15) or encapsulant whose volume resistivity is high (16-19), to diminish migration of Na toward the surface of Si cell. For instance, when a chemically strengthened glass whose Na in the surface of glass is exchanged by K is used as the cover front glass instead of a conventional soda lime glass, no degradation of crystalline Si PV module by PID was observed

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คำนึงถึงกลไกของ PID ในโมดูล PV ศรีประเภท n, PID สามารถโดยทั่วไปหลีกเลี่ยง โดยใช้นาฟรีฝาครอบด้านหน้าพื้นผิว (14,15) หรือ encapsulant ความต้านทานไฟฟ้าที่มีปริมาณสูง (16-19), ร่อยหรอการโยกย้ายของนาไปทางพื้นผิวของเซลล์ศรี เช่น เมื่อแก้วสารเคมีแข็งแรงมีการแลกเปลี่ยนนาในพื้นผิวของแก้ว โดย K ใช้เป็นฝาครอบแก้วด้านหน้าแทนแก้วมะนาวโซดาธรรมดา ไม่สลายของโมดูล PV ศรีผลึกโดย PID เป็นที่สังเกต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คำนึงถึงกลไกของ PID ใน N-ประเภทโมดูลศรี PV, PID สามารถหลีกเลี่ยงได้โดยทั่วไปโดยใช้นาฟรีหน้าปกพื้นผิว (14,15) หรือ encapsulant ที่มีปริมาณความต้านทานสูง (16-19) เพื่อลดการย้ายถิ่นของ นาไปสู่​​พื้นผิวของเซลล์ศรี ตัวอย่างเช่นเมื่อแก้วมีความเข้มแข็งทางเคมีที่มีนาในพื้นผิวของกระจกมีการแลกเปลี่ยนโดย K ใช้เป็นกระจกด้านหน้าปกแทนที่จะเป็นแก้วโซดาไลม์ชุมนุมสลายตัวของผลึกโมดูลศรี PV โดย PID ไม่เป็นที่สังเกต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การพิจารณากลไกของ PID ในทั่วไปศรี PV โมดูล , PID สามารถจะหลีกเลี่ยงโดยการใช้นาฟรีหน้าปกพื้นผิว ( 14,15 ) หรือ encapsulant ที่มีความต้านทานปริมาณสูง ( 16-19 ) เพื่อลดการอพยพของนาต่อพื้นผิวของ ซี เซลล์ ตัวอย่างเช่นเมื่อมีสารเคมีที่มีนาแก้วในพื้นผิวของแก้วจะแลกเปลี่ยนโดย K จะใช้เป็นปกหน้าแก้วแทนปกติโซดามะนาวแก้วไม่มีการย่อยสลายของผลึก PV โมดูล โดยแบบสังเกตซิ