In this paper, we report on the dep

In this paper, we report on the deposition of aluminumdoped
zinc oxide films utilizing atmospheric pressure
plasma. The plasma was generated by flowing helium and
carbon dioxide, or oxygen, through two closely spaced
electrodes that were connected to a radio-frequency (RF)
power supply. The chemical precursors, diethylzinc and
trimethylaluminum, were mixed with the plasma just
downstream of the electrodes, and then directed onto glass
or silicon substrates heated to between 200 and 235 1C. The
precursors decomposed in the presence of the reactive gas
and formed the ZnO films. In earlier studies, this novel
plasma source has been used to grow amorphous hydrogenated
silicon [9], silicon dioxide [10], and silicon nitride
[11]. Herein, we examine the potential of atmospheric
pressure PECVD for the deposition of aluminum-doped
zinc oxide at low temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในกระดาษนี้ เรารายงานสะสมของ aluminumdoped
ฟิล์มออกไซด์ที่ใช้ความดันบรรยากาศ
พลาสมา พลาสมาถูกสร้างขึ้น โดยไหลฮีเลียม และ
ก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์หรือออกซิเจน ผ่านสองระยะห่างใกล้เคียง
หุงตเชื่อมต่อไปยังคลื่นความถี่วิทยุ (RF)
ไฟฟ้า เคมี precursors, diethylzinc และ
trimethylaluminum ถูกผสมกับพลาสมาเพียง
ปลายน้ำของหุงต และโดยตรงลงบนกระจกแล้ว
หรือพื้นผิวซิลิกอนที่อุณหภูมิระหว่าง 200 และ 235 1C. ใน
precursors แยกในต่อหน้าของก๊าซปฏิกิริยา
และฟิล์ม ZnO ในการศึกษาก่อนหน้านี้ นวนิยายนี้
ใช้พลาสม่าต้นจะเติบโตไป hydrogenated
ซิลิคอน [9], ซิลิคอนไดออกไซด์ [10], และซิลิคอน nitride
[11] นี้ เราตรวจสอบศักยภาพของบรรยากาศ
ความดัน PECVD สำหรับสะสมของอลูมิเนียม doped
สังกะสีออกไซด์ที่อุณหภูมิต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เรารายงานเกี่ยวกับการสะสมของ aluminumdoped
ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่ใช้ความดันบรรยากาศ
พลาสมา พลาสม่าถูกสร้างขึ้นโดยการไหลของฮีเลียมและ
ก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์หรือออกซิเจนผ่านสองเว้นระยะอย่างใกล้ชิด
ขั้วไฟฟ้าที่มีการเชื่อมต่อกับคลื่นความถี่วิทยุ (RF) ที่
แหล่งจ่ายไฟ สารตั้งต้นของสารเคมี Diethylzinc และ
trimethylaluminum ถูกผสมกับพลาสม่าเพียงแค่
น้ำจากขั้วไฟฟ้าและจากนั้นผู้กำกับบนกระจก
หรือพื้นผิวซิลิกอนร้อนที่ระหว่าง 200 และ 235 1C
ย่อยสลายสารตั้งต้นในการปรากฏตัวของก๊าซปฏิกิริยา
และเกิดขึ้นฟิล์มซิงค์ออกไซด์ ในการศึกษาก่อนหน้านี้นวนิยาย
ที่มาพลาสม่าที่ได้รับการใช้ในการปลูกสัณฐานเติมไฮโดรเจน
ซิลิกอน [9], ซิลิคอนไดออกไซด์ได้ [10] และซิลิกอนไนไตรด์
[11] ในที่นี้เราตรวจสอบศักยภาพของบรรยากาศ
ความดัน PECVD การสะสมของอลูมิเนียมเจือ
สังกะสีออกไซด์ที่อุณหภูมิต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้เราได้รายงานเกี่ยวกับการสะสมของสังกะสีออกไซด์ฟิล์ม aluminumdoped

ใช้พลาสมาความดันบรรยากาศ พลาสมาที่ถูกสร้างขึ้นโดยการไหลของฮีเลียมและ
คาร์บอนไดออกไซด์หรือออกซิเจน ผ่านสองอย่างใกล้ชิดระยะห่าง
ขั้วไฟฟ้าที่เชื่อมต่อกับความถี่วิทยุ ( RF )
แหล่งจ่ายไฟ สารเคมีและสารตั้งต้น diethylzinc ,
trimethylaluminum , ผสมกับพลาสมาเพียง
ขาของขั้วไฟฟ้า และกำกับลงบนแก้ว
หรือซิลิคอนพื้นผิวอุ่นระหว่าง 200 และ 235 1c
สารย่อยสลายในการปรากฏตัวของปฏิกิริยาก๊าซ
และจัดตั้งซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม ในการศึกษาก่อนหน้านี้ ซึ่งแหล่งกำเนิดพลาสมานวนิยาย
ถูกใช้ปลูกสัณฐาน hydrogenated
ซิลิคอนซิลิคอนไดออกไซด์ [ 9 ] [ 10 ] และซิลิคอนไนไตรด์
[ 11 ] ในที่นี้เราตรวจสอบศักยภาพของ pecvd ความดันบรรยากาศ
คำให้การของอลูมิเนียมสังกะสีออกไซด์เจือ

ที่อุณหภูมิต่ำ