It can also decouple the contradict

It can also decouple the contradictory demand in bare TiO2 film between fast charge transport which desires heavy doping and less electron recombi-nation which desires light doping [2], because the light-injected electrons from the TiO2-dye interface in F-T DSCs only need to traverse a ultra thin layer of TiO2 prior to being extracted by the highly conductive FTO core via a drift-assisted transport [7] instead of diffusive transport [8] in bare TiO2 DSCs (a slow mechanism with electron escape times of 1-10 ms for  10-mm-thick TiO2 films) photoanodes.


At the same time, due to the difference of Fermi levels between FTO (approximately
4.8 eV vs Evac) and TiO2 (approximately -4.4 eV vs Evac) [2,10], electrons flowing from TiO2 to FTO layer in F-T photoanode results in band bending [11,12] of TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้มันยังสามารถ decouple ความขัดแย้งในเปลือย TiO2 ฟิล์มระหว่างขนส่งค่าธรรมเนียมอย่างรวดเร็วซึ่งปรารถนาโดปปิงค์หนักน้อยกว่าอิเล็กตรอน recombi ประเทศที่ปรารถนาแสง [2], โดปปิงค์เนื่องจากอิเล็กตรอนฉีดไฟจากอินเตอร์เฟซของ TiO2 ย้อมใน F-T DSCs ต้องข้ามชั้นบางเบาพิเศษของ TiO2 ก่อนถูกสกัดโดยหลัก FTO นำสูงผ่านการดริฟท์ช่วยขนส่ง [7] แทนขนส่ง diffusive [8] ใน DSCs TiO2 เปลือย (ช้ากลไกเวลาหนีอิเล็กตรอน ของ ms 1-10 สำหรับฟิล์มหนา 10 มม. TiO2) photoanodesในเวลาเดียวกัน เนื่องจากความแตกต่างของระดับพลังงานแฟร์มีระหว่าง FTO (ประมาณ 4.8 eV vs Evac) และ TiO2 (ประมาณ-4.4 eV vs Evac) [2,10], อิเล็กตรอนไหลจาก TiO2 FTO ชั้น F-T photoanode ผลวงดัด [11,12] ของ TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันยังสามารถดีคัปเปิล ความต้องการที่ขัดแย้งกันในฟิล์ม TiO2 เปลือยระหว่างค่าใช้จ่ายการขนส่งที่รวดเร็วและความต้องการเติมหนักน้อยกว่าประเทศที่ปรารถนาแสงอิเล็กตรอน recombi ยาสลบ [ 2 ]เพราะแสงที่ฉีดอิเล็กตรอนจาก TiO2 ย้อมอินเตอร์เฟซใน f-t dscs ต้องเข้าไป ultra บางๆ ) ก่อนที่จะถูกสกัดโดยหลัก FTO สูง Conductive ผ่านลอยช่วยขนส่ง [ 7 ] แทนที่จะกระจายการขนส่ง [ 8 ] ในเปลือย ) dscs ( กลไกช้าด้วยเวลาหนีอิเล็กตรอน 1-10 MS สำหรับ  10 มม. หนา ) ภาพยนตร์ ) photoanodes


ในเวลาเดียวกันเนื่องจากความแตกต่างของระดับ fermi ระหว่าง FTO ( ประมาณ
4.8 EV และอพยพ ) และ TiO2 ( ประมาณ - 4.4 EV และอพยพ ) [ 2,10 ] , อิเล็กตรอนไหลจาก TiO2 เพื่อ FTO ในชั้น f-t photoanode ผลลัพธ์ในการดัด [ 11,12 ] ของ TiO2 วงดนตรี