4. ConclusionSnO2 thin films, with

4. Conclusion
SnO2 thin films, with high density, high purity, and good crystallinity were successfully deposited by using SnCl4 and O2 plasma by PEALD method. The GPC of PEALD-SnO2was saturated at 0.072 nm/cycle, which was almost two times higher than the reported GPC (0.04 nm/cycle) of thermal ALD. Moreover, the resulting films were free from Cl impurities, even at a low growth temperature of 150 °C. The density, crystallinity of the films, and oxygen with no stoichiometry of the films were improved with increases in the growth temperature. Due to those improvements with increasing growth temperature, PEALD-SnO2 thin films prepared at 350 °C exhibited the lowest electrical resistivity and the best corrosion resistance.
Acknowledgments
This research was supported by Basic Science Research Program through the National Research Foundation of Korea (NRF) funded by the Ministry of Education, Science and Technology (2014R1A1A2054737).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. บทสรุปฟิล์มบางของ SnO2 มีความหนาแน่นสูง ความบริสุทธิ์สูง crystallinity ดีได้สำเร็จฝาก โดย O2 และ SnCl4 พลาสมาโดยวิธี PEALD การ GPC ของ PEALD-SnO2was อิ่มตัวที่ 0.072 nm/รอบ ซึ่งสูงเกือบสองเท่ากว่า GPC รายงาน (0.04 nm/รอบ) ของความร้อน ALD. นอกจากนี้ ภาพยนตร์ได้มีอิสระจากสิ่งสกปรก Cl แม้ที่อุณหภูมิต่ำการเจริญเติบโตของ 150 องศาเซลเซียส ความหนาแน่น crystallinity ของภาพยนตร์ และออกซิเจนกับไม่ stoichiometry ภาพยนตร์ถูกปรับปรุง ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิเจริญเติบโต จากนั้นปรับปรุงกับอุณหภูมิเติบโตเพิ่มขึ้น PEALD SnO2 ฟิล์มบางที่เตรียมไว้ที่ 350 ° C จัดแสดงที่ต่ำความต้านทานไฟฟ้าและความต้านทานการกัดกร่อนดีตอบงานวิจัยนี้ได้รับการสนับสนุน โดยโปรแกรมการวิจัยวิทยาศาสตร์พื้นฐานผ่านแห่งชาติวิจัยมูลนิธิของเกาหลี (NRF) สนับสนุน โดยกระทรวงศึกษาธิการ วิทยาศาสตร์ และเทคโนโลยี (2014R1A1A2054737)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. สรุป
SnO2 ฟิล์มบางที่มีความหนาแน่นสูงที่มีความบริสุทธิ์สูงและผลึกที่ดีมีเงินที่ประสบความสำเร็จโดยใช้ SnCl4 และพลาสม่า O2 ด้วยวิธี PEALD GPC ของ PEALD-SnO2was อิ่มตัวที่ 0.072 นาโนเมตร / รอบซึ่งเป็นเกือบสองเท่าสูงกว่าที่มีการรายงาน GPC (0.04 นาโนเมตร / รอบ) ความร้อนของมรกต นอกจากนี้ภาพยนตร์ที่เกิดขึ้นเป็นอิสระจากสิ่งสกปรก Cl แม้ในอุณหภูมิที่ต่ำของการเจริญเติบโต 150 ° C ความหนาแน่น, ผลึกของภาพยนตร์และออกซิเจนที่มีปริมาณสารสัมพันธ์ของภาพยนตร์ที่ไม่ได้รับการปรับปรุงกับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิในการเจริญเติบโต เนื่องจากการปรับปรุงผู้ที่มีอุณหภูมิการเจริญเติบโตที่เพิ่มขึ้น PEALD-SnO2 ฟิล์มบางที่เตรียมไว้ที่ 350 องศาเซลเซียสแสดงต้านทานไฟฟ้าต่ำสุดและความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีที่สุด.
กิตติกรรมประกาศงานวิจัยนี้ได้รับการสนับสนุนโดยพื้นฐานวิทยาศาสตร์โครงการวิจัยผ่านมูลนิธิวิจัยแห่งชาติเกาหลี (NRF) ได้รับทุนจากกระทรวงศึกษาธิการวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี (2014R1A1A2054737)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . สรุปฟิล์มบาง SnO2 มีความหนาแน่นสูง มีความบริสุทธิ์สูง และผลึกมีเรียบร้อยแล้วฝากโดยใช้ sncl4 และพลาสมาออกซิเจนโดยวิธี peald . โดย GPC ของ peald-sno2was อิ่มตัวที่ 0.072 วงจร nm / ซึ่งเป็นเกือบ 2 เท่า สูงกว่ารายงาน GPC ( 0.04 nm / รอบ ) ความร้อน ald . นอกจากนี้ ส่งผลให้ภาพยนตร์ได้ฟรีจาก CL สิ่งสกปรกแม้ที่อุณหภูมิ 150 องศา การเจริญเติบโตต่ำ ความหนาแน่น ความเป็นผลึกของฟิล์ม และออกซิเจนที่มีปริมาณสัมพันธ์ของฟิล์มเพิ่มกับเพิ่มอุณหภูมิสูงขึ้น เนื่องจากมีการปรับปรุงที่เพิ่มอุณหภูมิในการ peald-sno2 ฟิล์มบางเตรียมไว้ที่ 350 องศา C แสดงค่าความต้านทานไฟฟ้าและความต้านทานการกัดกร่อนที่ดีกิตติกรรมประกาศการวิจัยนี้ได้รับการสนับสนุนโดยโปรแกรมการวิจัยวิทยาศาสตร์พื้นฐานผ่านมูลนิธิวิจัยแห่งชาติของเกาหลี ( NRF ) ได้รับการสนับสนุนจากกระทรวงศึกษา วิทยาศาสตร์และ เทคโนโลยี ( 2014r1a1a2054737 )