Figure 5.18 Dependence of ZnO resis

Figure 5.18 Dependence of ZnO resistivity on frequency. (Courtesy of LEVINSON, L.M., and PHILIPP, H.R.: ‘Long time polarization currents in metal oxide varistors’, J. Appl. Phys., 1976, 47, (7), pp. 3177–3181)
varied only by a factor of ten. The immediate consequence of this behaviour would be a strong frequency dependence of the resistance in a parallel R–C circuit representation. Accordingly, the equivalent parallel resistivity decreases with increasing frequency (Figure 5.18). At low frequencies, the resistivity was mainly attributed to the resistance of the intergranular layer, which is very high compared with the grains resistance. At higher frequencies, however, it was supposed that the intergranular resistance fell to the low limiting value representing the grains resistance. Apeak in loss angle accompanied by a fall in permittivity is a common dielectric behaviour but the Maxwell–Wagner model [118], which is used to explain the dielectric behaviour of inhomogeneous solids and polycrystalline semiconductors, fails to account for the decreasing parallel resistivity with increasing frequency. The highly disordered intergranular layer and the existence of interface states and electron traps are thought to be the cause of the model failure. The loss angle peak can be interpreted as being caused by electron trapping [119]. Although of great importance, the above-published data were obtained from experiments performed in order to examine the basic physics of these materials in which the samples studied were of very small size (thickness = 2 mm, diameter = 0.3–2 cm) and the voltages were very low (up to 10 V). Consequently, fewer problems were encountered in generating the voltages and measuring the physical characteristics. The dangers of extrapolating and scaling the properties of such non-linear materials are clear, since different phenomena may appear in large samples

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 5.18 พึ่งพาของ ZnO ความต้านทานความถี่ในการ (ความเลวินสัน L.M. และ ฟิลลิป H.R.: 'นานเวลาโพลาไรซ์กระแสในโลหะออกไซด์ varistors', J. ใช้กายภาพ 1976, 47, (7), นำ 3177 – 3181)
แตกต่างกัน โดยตัวคูณสิบเท่า สัจจะทันทีของพฤติกรรมนี้จะเป็นความถี่ที่เข้มแข็งพึ่งพาของความต้านทานในตัวแทนวงจร R-C ขนาน ตาม ความต้านทานขนานที่เทียบเท่าลดลงพร้อมเพิ่มความถี่ (รูป 5.18) ความถี่ต่ำ ความต้านทานที่ถูกส่วนใหญ่เป็นบันทึกความต้านทานของชั้น intergranular ซึ่งสูงมากเมื่อเทียบกับความต้านทานธัญพืช ที่สูงกว่าความถี่ อย่างไรก็ตาม มันสมควรที่ ต้านทาน intergranular ตกค่าจำกัดต่ำสุดแสดงถึงความต้านทานธัญพืช Apeak ในมุมขาดทุนมาพร้อมกับฤดูใบไม้ร่วงใน permittivity เป็นพฤติกรรมเป็นฉนวนทั่วไปแต่รูปแบบแมกซ์เวลล์วากเนอร์ [118], ซึ่งถูกใช้เพื่ออธิบายพฤติกรรมเป็นฉนวนของแข็งที่ใช้งานและคอิเล็กทรอนิกส์ ไม่บัญชีสำหรับความต้านทานขนานลดลงพร้อมเพิ่มความถี่ ชั้น intergranular disordered สูงและการดำรงอยู่ของอินเทอร์เฟซสำหรับอเมริกาและอิเล็กตรอนกับดักคิดว่า เป็น สาเหตุของความล้มเหลวในรูปแบบ คมุมขาดทุนสามารถตีความเป็นการเกิดจากอิเล็กตรอนกับดัก [119] แม้ว่าของสำคัญยิ่ง ข้อมูลประกาศข้างต้นได้รับมาจากการทดลองทำเพื่อตรวจสอบพื้นฐานฟิสิกส์ของวัสดุเหล่านี้ตัวอย่างที่ศึกษามีขนาดเล็กมาก (ความหนา = 2 มม. เส้นผ่าศูนย์กลาง = 0.3 – 2 เซนติเมตร) และแรงดันต่ำมาก (สูงถึง 10 V) ดังนั้น ปัญหาน้อยพบ ในการสร้างแรงดันวัดลักษณะทางกายภาพ อันตรายของ extrapolating และปรับคุณสมบัติของวัสดุดังกล่าวไม่ใช่เชิงเส้นชัดเจน เนื่องจากปรากฏการณ์ต่าง ๆ อาจปรากฏในตัวอย่างขนาดใหญ่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 5.18 การพึ่งพาอาศัยกันของ ZnO ความต้านทานบนความถี่ ( มารยาทของเลวินสัน L.M . , และ , ฟิลิปป์ ฝ่ายบุคคล : ' นานเกิดกระแสโลหะออกไซด์วาริสเตอร์มี ' J . แอปเปิ้ล ว. . , 1976 , 47 , ( 7 ) , pp . 3177 ( ผู้ส่ง )
แตกต่างกันเพียงโดยปัจจัยที่สิบ ผลทันทีของพฤติกรรมนี้จะแข็งแรง ความถี่การพึ่งพาของความต้านทานในขนาน R และ C วงจรการเป็นตัวแทนตาม เทียบเท่าขนานความต้านทานลดลงเมื่อความถี่เพิ่มขึ้น ( รูปที่ 5.18 ) ที่ความถี่ต่ำ โดยส่วนใหญ่เกิดจากความต้านทานของชั้น ( ซึ่งสูงมากเมื่อเทียบกับเมล็ดพันธุ์ต้านทาน ที่ความถี่สูง อย่างไรก็ตามมันสมควรที่ความต้านทานลดลงไปต่ำ ( ค่าจำกัดเป็นตัวแทนของธัญพืช ความต้านทาน ที่อยู่ในแนวตั้งในการสูญเสียมุมพร้อมอยู่ที่ป้อนเป็นฉนวนทั่วไปพฤติกรรมแต่เวล– Wagner แบบ [ 118 ] ซึ่งถูกใช้เพื่ออธิบายพฤติกรรมของไดอิเล็กตริกของของแข็งและ inhomogeneous ผลึกสารกึ่งตัวนำไม่สามารถบัญชีสำหรับการลดขนานความต้านทานที่มีความถี่เพิ่มขึ้น ความไม่เป็นระเบียบ ( ชั้นและการดำรงอยู่ของรัฐ อินเตอร์เฟซและกับดักอิเล็กตรอนจะคิดว่าเป็นสาเหตุของรูปแบบความล้มเหลว การสูญเสียมุมสูงสุดสามารถตีความเป็นเกิดจากอิเล็กตรอนดัก [ 119 ] แม้ว่าความสําคัญข้างต้นเผยแพร่ข้อมูลที่ได้จากการทดลอง เพื่อศึกษาฟิสิกส์พื้นฐานของวัสดุเหล่านี้ซึ่งในตัวอย่างมีขนาดเล็กมาก ( หนา 2 มม. ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 0.3 = , = ( 2 เซนติเมตร ) และแรงดันไฟฟ้าต่ำมาก ( ถึง 10 V ) ดังนั้น ปัญหาน้อย ที่พบในการสร้างแรงดันและวัดลักษณะทางกายภาพอันตรายของการประมาณและปรับคุณสมบัติของวัสดุที่ใช้ เช่น มีความชัดเจน เนื่องจากปรากฏการณ์ต่าง ๆที่อาจปรากฏใน
ตัวอย่างขนาดใหญ่