Boron nitride thin films have been

Boron nitride thin films have been prepared by reacting B2H6 and NH3 in a plasma at 1000ºC on various substrates lying flat on a graphite susceptor in a horizontal tube reactor. Only 4 W rf power at 13.56 MHz were required. Pressures ranged from 0.3 to 0.1 Torr. Transmission and reflection electron diffraction revealed that some crystallites exist within the film. The films were smooth and transparent, and exhibited better crystalline quality than BN films obtained from the same reagents by high-temperature CVD. At a NH3:B2H6 ratio 8.1:1 nearly stoichiometric but slightly boron-rich BN was found by electron microprobe analysis. At a projected gas ratio of 7.1:1, stoichiometric BN should be obtained.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบาง nitride โบรอนได้ถูกเตรียมไว้ โดยปฏิกิริยา B2H6 และ NH3 ในพลาสมาที่ 1000ºC บนพื้นผิวต่าง ๆ ที่นอนแบน susceptor แกรไฟต์ในเครื่องปฏิกรณ์แบบท่อแนวนอน พลังงาน W rf 4 เท่าที่ 13.56 MHz ถูกต้อง ความดันอยู่ในช่วงจาก 0.3 กับธอร์ 0.1 ส่งผ่านและสะท้อนการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนเปิดเผยว่า crystallites บางอยู่ภายในภาพยนตร์ ภาพยนตร์ได้อย่างราบรื่น และโปร่งใส และรับจัดแสดงดีกว่าผลึกมีคุณภาพกว่าพันฟิล์มจาก reagents เดียวโดยอุณหภูมิสูงผิว CVD ที่ 8.1:1 มีอัตราส่วน NH3:B2H6 พันเกือบ stoichiometric แต่เล็กน้อย รวยโบรอนพบ โดยวิเคราะห์ microprobe อิเล็กตรอน ที่อัตราการคาดการณ์แก๊สของ 7.1:1 พัน stoichiometric ควรได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โบรอนไนไตรด์ฟิล์มบางได้รับการจัดทำขึ้นโดยปฏิกิริยา B2H6 และ NH3 ในพลาสม่าที่1000ºCกับพื้นผิวต่างๆนอนราบบน susceptor ไฟท์ในหลอดแนวนอนเครื่องปฏิกรณ์ เพียง 4 W กำลังไฟ RF ที่ 13.56 MHz ต้อง แรงกดดันอยู่ในช่วง 0.3-0.1 Torr การส่งและการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนสะท้อนเปิดเผยว่า crystallites บางส่วนอยู่ในภาพยนตร์เรื่องนี้ ภาพยนตร์ได้อย่างราบรื่นและโปร่งใสและจัดแสดงผลงานที่มีคุณภาพดีกว่าผลึกหนังพันล้านที่ได้รับจากสารเคมีเดียวกันโดย บริษัท ซีวีดีที่อุณหภูมิสูง ที่ NH3 อัตราส่วน B2H6 8.1: 1 เกือบทฤษฎี แต่เล็กน้อยโบรอนที่อุดมไปด้วย BN ถูกพบโดยการวิเคราะห์อิเล็กตรอน microprobe ในอัตราส่วนก๊าซที่คาดการณ์ไว้ 7.1: 1, ทฤษฎี BN ควรจะได้รับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โบรอนไนไตรด์ ฟิล์มได้ถูกเตรียมโดยปฏิกิริยา b2h6 และ nh3 ในพลาสมาที่ 1000 º C ต่างๆบนพื้นผิวนอนราบบนในเครื่องปฏิกรณ์กราไฟท์ susceptor หลอดแนวนอน เพียง 4 วัตต์พลังงาน RF ที่ 13.56 MHz ก็ต้อง แรงกดดันระหว่าง 0.3 0.1 ทอร์ การส่งและการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอน พบว่าบาง crystallites สะท้อนอยู่ภายในภาพยนตร์หนังเรียบ ร้อยและโปร่งใส และมีคุณภาพที่ดีกว่า ซึ่งผลึกภาพยนตร์ที่ได้รับจากสารเคมีที่อุณหภูมิเดียวกันด้วยวิธี CVD ที่ nh3 : b2h6 อัตราส่วน stoichiometric 8.1:1 เกือบโบรอนรวยพันล้านแต่เล็กน้อยถูกพบโดยการวิเคราะห์ไมโครโพรบอิเล็กตรอน ที่คาด 7.1:1 ก๊าซอัตราส่วน stoichiometric BN , ควรได้รับ