Hydrogenated microcrystalline silic

Hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) thin films were deposited on glass by magnetron sputtering at
the substrate temperature of 100 °C and the hydrogen dilution ratio of 65%. The crystallinity and microstructure
of thin films were systematically studied using Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), transmission electron
microscopy (TEM), and Fourier transforminfrared spectroscopy (FT-IR). The results showed that the μc-Si:H
thin filmwas amorphous and hydrogen-rich at the initial stage of the growth. This amorphous layer was crystallized
during further growth. The crystallinity of thin films is not almost changed with the increase of thickness
when the thickness of thin film exceeds 70 nm. Finally, the μc-Si:H thin film without amorphous incubation
layerwas obtained. The possible growth mechanismof fabricating μc-Si:H thin films without amorphous incubation
layers was also discussed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังเคราะห์ซิลิกอจุล (μc-Si:H) ฟิล์มบางได้ฝากไว้บนกระจก โดย magnetron สปัตเตอร์ที่อุณหภูมิพื้นผิว 100 ° C และอัตราการผสมไฮโดรเจน 65% ผลึกและโครงสร้างจุลภาคของฟิล์มบางเป็นระบบศึกษาใช้รามิก X-ray เลี้ยว (XRD), การส่งอิเล็กตรอนไมโครสโค (TEM), และมิก transforminfrared ฟูริเยร์ (FT-IR) ผลลัพธ์แสดงให้เห็นว่าการ μc-Si:Hfilmwas บางไป และเต็มไป ด้วยไฮโดรเจนที่ระยะแรกของการเจริญเติบโต ชั้นนี้ไปคือการตกผลึกในระหว่างการเติบโตต่อไป ผลึกของฟิล์มบางเกือบเปลี่ยนเพิ่มความหนาเมื่อความหนาของฟิล์มบางเกิน 70 nm ในที่สุด μc-Si:H ฟิล์มบางโดยไม่ต้องบ่มไปlayerwas รับ Mechanismof เจริญเติบโตได้ที่ fabricating μc-Si:H ฟิล์มบางโดยไม่ต้องบ่มไปนอกจากนี้ยังมีการกล่าวถึงชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิกอน microcrystalline ไฮโดรเจน (μc-Si: H)
ฟิล์มบางวางบนกระจกโดยแมกสปัตเตอร์ที่อุณหภูมิพื้นผิว100 องศาเซลเซียสและอัตราส่วนลดสัดส่วนไฮโดรเจน 65% ผลึกและจุลภาคของฟิล์มบางมีการศึกษาอย่างเป็นระบบโดยใช้สเปคโทรรามัน X-ray diffraction (XRD) ส่งอิเล็กตรอนกล้องจุลทรรศน์(TEM) และฟูริเยร์ transforminfrared สเปกโทรสโก (FT-IR) ผลการศึกษาพบว่าμc-Si: H filmwas บางสัณฐานและไฮโดรเจนที่อุดมไปด้วยในระยะเริ่มแรกของการเจริญเติบโต ชั้นนี้สัณฐานได้ตกผลึกในระหว่างการเจริญเติบโตต่อไป ผลึกของฟิล์มบางจะไม่เปลี่ยนแปลงเกือบจะมีการเพิ่มขึ้นของความหนาเมื่อความหนาของฟิล์มบางเกินกว่า 70 นาโนเมตร ในที่สุดμc-Si: H ฟิล์มบางอะมอร์ฟัโดยไม่ต้องบ่มlayerwas ได้ การเจริญเติบโตที่เป็นไปได้ mechanismof ผลิตμc-Si: H ฟิล์มบางอะมอร์ฟัโดยไม่ต้องบ่มชั้นนอกจากนี้ยังได้กล่าวถึง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไฮโดรเจนแบบซิลิคอน ( μ c-si : H ) ฟิล์มบางบนกระจกโดยแมกนีตรอนสปัตเตอร์ฝากเงินที่พื้นผิวอุณหภูมิ 100 องศา C และ ไฮโดรเจน ในสัดส่วน 65% ผลึกและโครงสร้างจุลภาคฟิล์มบางเป็นระบบการศึกษาโดยใช้ Raman spectroscopy , การเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ การส่งผ่านอิเล็กตรอนกล้องจุลทรรศน์ ( TEM ) และ Fourier transforminfrared สเปกโทรสโกปี ( FT-IR ) ผลการศึกษา พบว่า μ c-si : hบาง filmwas สัณฐานและไฮโดรเจนที่อุดมไปด้วยในระยะแรกของการเจริญเติบโต ชั้นนี้มีสัณฐานเป็นก้อนในระหว่างการเจริญเติบโตต่อไป ผลึกของฟิล์มบางไม่เกือบเปลี่ยนกับการเพิ่มขึ้นของความหนาเมื่อความหนาของฟิล์มบางเกิน 70 nm . ในที่สุด μ c-si : H โดยไม่ไปบ่มฟิล์มบางได้รับ layerwas . การ mechanismof การเจริญเติบโตเป็นไปได้ fabricating μ c-si : H โดยไม่ไปบ่มฟิล์มบางชั้นก็ยังกล่าวถึง