FREQUENCY TUNABLEOSCILLATORSWideban

FREQUENCY TUNABLE
OSCILLATORS
Wideband tunable oscillators are
necessary components for ECM, ESM
and test instrumentation, as well as
many communication systems. These
are characterized by the tuning bandwidth
and linearity, phase noise, settling
time and post tuning drift. The
needs for the specific characteristics
depend upon the application. Compromises
are called for in view of the
fact that all of these parameters cannot
be achieved using a single technology
or technique. In order to achieve
oscillations over a wideband the active
device needs to possess negative resistance
over the band and the frequency
tuning element needs to tune over the
band. Design techniques are then
used to satisfy oscillation conditions
over the band while optimizing one or
more desired parameters. Phase noise
being a function of the carrier frequency
and tuning bandwidth, care
should be taken while comparing frequency
tunable oscillators.
Varactor-tuned oscillators are voltage-tuned
oscillators utilizing Si or
GaAs varactors, typically a metal ntype
schottky barrier, in association
with the active device to generate signals
over a wideband. With the available
technology a little more than octave
band oscillators have been reported
up to Ku-band using multiple
varactors.10 At lower frequencies it is
more practical to achieve an octave
band. VCOs based on discrete devices
have demonstrated more than octave
bands with excellent phase noise up to
4 GHz. Silicon bipolar devices are the
devices of choice due to their lower 1/f
noise and corner frequency and are
commonly used for VCOs up to
X-band. Using a low noise silicon
bipolar transistor with a 10 GHz ft and
40 GHz fmax process and a silicon hyperabrupt
varactor diode, a narrowband
VCO was reported at 10 GHz
with phase noise of –112 dBc/Hz at
100 kHz offset.12 GaAs FET devices
offer wideband oscillations up to mmwave
frequencies with degraded phase
noise. Another technique to achieve
low noise wideband signal generation
at higher frequencies is the use of
push-push oscillators. VCOs covering
9 to 18 GHz have been demonstrated
using silicon bipolar devices.10 VCOs
exceeding octave bandwidth have
been recently developed using coupled
push-push technology. Phase
noise of –118 dBc/Hz at 100 kHz offset
was reported at 4 GHz in a 3 to 6
GHz VCO.11
Frequency settling time is another
important characteristic required in
certain military systems as well as in
test instruments. This represents the
speed and accuracy with which the os
cillator frequency can be changed. Silicon
devices once again shine in realizing
fast settling VCOs. Using silicon
bipolar transistors with silicon varactor
diodes, settling times of better than 1
µs (for the frequency to be within 1
MHz) have been demonstrated at Kuband.13
In applications requiring fast
on and off VCO switching, a technique
of quenching the negative resistance
instead of switching the bias on and off
has demonstrated switching times of
better than 1 µs.14
YIG-tuned oscillators (YTO) are
used in test and measurements as
well as in wideband military systems
requiring multi-octave bands of tuning.
YTOs are oscillators of choice
when wideband tuning, high tuning
linearity and good phase noise are simultaneously
required. These oscillators
utilize a yittrium iron garnet
(YIG) (Y3Fe5O11) spherical resonator
placed between two poles of a cylindrically
re-entrant electromagnet.
The resonant frequency of the YIG
resonator in a uniform magnetic field
is a linear function of the magnetic
field strength. YIG resonators offer a
very high Q (> 4000 at 10 GHz),
which linearly increases with frequency.
The practical usable frequency
range of YTO is between 2 and 50
GHz. While the higher frequency is
limited by the magnet saturation and
high power dissipation, the lower limit
is governed by the saturation magnetization
4πMs.
In view of the wideband nature of
these oscillators, active devices in the
negative resistance configuration
have been generally used. Using a
low noise silicon bipolar transistor
and a novel composite feedback architecture
in which double coupling
the YIG sphere as a series feedback
for higher frequencies and as a parallel
feedback for lower frequencies, a
tuning range of 2 to 22 GHz has been
achieved with a phase noise of better
than –130 dBc/Hz at 100 kHz at 10
GHz.15 At higher frequencies, using a
single GaAs FET and a single YIG
sphere frequency range coverage of
20 to 40 GHz was reported with a
phase noise of better than –100
dBc/Hz at 100 kHz at 40 GHz.16
YTOs have been commercially available
up to 50 GHz. In practice it is
becoming more common to achieve
mm-wave frequencies by using
MMIC frequency doublers with low

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความถี่ TUNABLEOSCILLATORSWideband tunable oscillators จะส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ ECM, ESMและทดสอบเครื่องมือวัด เป็นระบบการสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะ โดยแบนด์วิดท์ที่ปรับแต่งและแบบดอกไม้ ระยะเสียง ชำระเวลาและลงปรับดริฟท์ ที่ความต้องการคุณลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับโปรแกรมประยุกต์ รับเรียกว่าสำหรับในมุมมองของการความจริงที่ว่า ทั้งหมดของพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแกว่งผ่าน wideband ใช้งานอยู่อุปกรณ์ที่จำเป็นต้องมีความต้านทานเชิงลบวงและความถี่ปรับแต่งองค์ประกอบต้องปรับไปวงดนตรี เทคนิคการออกแบบอยู่แล้วใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขสั่นกว่าวงในขณะที่เพิ่มประสิทธิภาพหนึ่ง หรือเพิ่มเติมต้องพารามิเตอร์ ระยะเสียงเป็นฟังก์ชันของความถี่ในการขนส่งและปรับค่าแบนด์วิดธ์ การดูแลควรดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่tunable oscillatorsปรับ varactor oscillators จะปรับแรงดันไฟฟ้าใช้ซี oscillators หรือGaAs varactors โดยทั่วไปโลหะชนิดอุปสรรค schottky เชื่อมโยงกับอุปกรณ์ที่ใช้งานอยู่เพื่อสร้างสัญญาณกว่าแบบ wideband มีที่ว่างเทคโนโลยีได้น้อยกว่าอ็อกเทฟรายงาน oscillators วงถึงเคยูแบนด์โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำที่เป็นปฏิบัติเพิ่มเติมเพื่อให้บรรลุการอ็อกเทฟวงดนตรี VCOs ตามอุปกรณ์ที่แยกกันมีแสดงมากกว่าอ็อกเทฟวง มีเสียงระยะดีขึ้น4 GHz. ซิลิคอนไฟที่ไบโพลาร์อุปกรณ์อุปกรณ์ที่เลือกจากตัวล่าง 1/fเสียง และความถี่มุม และมีโดยทั่วไปใช้สำหรับ VCOs ถึงวง X ใช้ซิลิคอนเสียงรบกวนต่ำไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์กับฟุต 10 GHz และกระบวนการ fmax 40 GHz และ hyperabrupt ซิลิคอนไดโอด varactor, narrowband เป็นรายงาน VCO ที่ 10 GHzมีระยะเสียงของ dBc/Hz ที่ –112อุปกรณ์ GaAs FET offset.12 100 kHzมีแกว่ง wideband ถึง mmwaveความถี่ ด้วยระยะเสื่อมโทรมเสียงรบกวน เทคนิคอื่นเพื่อให้บรรลุสร้างสัญญาณ wideband เสียงรบกวนต่ำที่ความถี่สูงเป็นการใช้oscillators ผลักดันผลักดัน VCOs ครอบคลุมมีการแสดง 9-18 GHzใช้ devices.10 ไฟที่ไบโพลาร์ซิลิคอน VCOsเกินแบนด์วิดท์อ็อกเทฟได้การพัฒนาเมื่อเร็ว ๆ นี้ใช้ควบคู่ผลักดันเทคโนโลยี ขั้นตอนการเสียงของ –118 dBc/Hz ที่ออฟเซต 100 kHzรายงานที่ 4 GHz ใน 3 ถึง 6GHz VCO.11ความถี่ในการชำระเวลาอยู่ลักษณะสำคัญที่จำเป็นในบางกองทัพระบบเป็นอย่างดีในเครื่องมือทดสอบ นี้แสดงถึงการความเร็วและความแม่นยำซึ่งระบบปฏิบัติการสามารถเปลี่ยนความถี่ cillator ซิลิกอนอุปกรณ์ส่องแสงอีกครั้งในการตระหนักถึงตกตะกอน VCOs อย่างรวดเร็ว ใช้ซิลิกอนไฟที่ไบโพลาร์ transistors กับซิลิคอน varactorไดโอดได้ ชำระเวลาดีกว่า 1µs (สำหรับความถี่ที่เป็นภายใน 1MHz) ได้แสดงให้เห็นว่าที่ Kuband.13ในโปรแกรมประยุกต์ที่ต้องการได้อย่างรวดเร็วและ ปิด VCO สลับ เทคนิคของการชุบต้านทานลบแทนที่จะสลับเส้นทแยง และปิดได้สาธิตการเปลี่ยนเวลาดีกว่า µs.14 ที่ 1มีปรับ YIG oscillators (YTO)ใช้ในการทดสอบและการวัดเป็นอย่างดีในระบบทหาร widebandต้องใช้อ็อกเทฟหลายวงของการปรับแต่งYTOs มี oscillators ที่เลือกเมื่อ wideband ปรับแต่ง ปรับแต่งสูงแบบดอกไม้และระยะดีเสียงได้พร้อมกันต้องระบุ Oscillators เหล่านี้ใช้โกเมนเป็นเหล็ก yittrium(YIG) เซอร...ทรงกลม (Y3Fe5O11)อยู่ระหว่างแกนหมุนของการ cylindricallyre-entrant electromagnetความถี่ที่คงที่ของ YIGresonator ในสนามแม่เหล็กสม่ำเสมอคือฟังก์ชันเชิงเส้นของตัวแม่เหล็กความแข็งแรงของฟิลด์ มี YIG resonatorsคิวสูงมาก (> 4000 ที่ 10 GHz),เชิงเส้นที่เพิ่มขึ้นกับความถี่ความถี่ใช้งานได้จริงช่วง YTO อยู่ระหว่าง 2 และ 50GHz ในขณะที่ความถี่สูงจำกัด โดยความเข้มของแม่เหล็ก และกระจายพลังงานสูง ขีดจำกัดล่างภายใต้ควบคุม โดย magnetization เข้ม4πMsมุมมองลักษณะของ widebandเหล่านี้ oscillators อุปกรณ์ที่ใช้ในการกำหนดค่าความต้านทานเชิงลบโดยทั่วไปใช้ โดยใช้การเสียงรบกวนต่ำซิลิคอนไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์สถาปัตยกรรมนวนิยายรวมความคิดเห็นและในคลัปคู่ใดทรงกลม YIG เป็นคำติชมชุดสำหรับความถี่สูง และ เป็นคู่ขนานความคิดเห็นสำหรับความถี่ต่ำ การมีการปรับแต่งของ GHz 2-22มีระยะเสียงรบกวนของดีกว่ากว่า –130 dBc/Hz ที่ 100 kHz ที่ 10GHz.15 ที่สูงกว่าความถี่ ใช้เป็นเดี่ยว GaAs FET และ YIG เดียวทรงกลมครอบคลุมช่วงความถี่ของ20-40 GHz ได้รายงานด้วยความระยะเสียงของดีกว่า –100dBc/Hz ที่ 100 kHz ที่ 40 GHz.16YTOs มีมีในเชิงพาณิชย์ถึง 50 GHz ในทางปฏิบัติกลายเป็นสามัญมากขึ้นเพื่อให้บรรลุมม.คลื่นความถี่ โดยใช้MMIC ความถี่ doublers กับต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความถี่พริ้ง
Oscillators
Wideband oscillators
พริ้งเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับECM, ESM และเครื่องมือการทดสอบเช่นเดียวกับระบบการสื่อสารจำนวนมาก เหล่านี้มีลักษณะแบนด์วิดธ์ปรับและเชิงเส้นเสียงเฟสปักหลักเวลาและจูนโพสต์ดริฟท์ ความต้องการสำหรับลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับการประยุกต์ใช้ การประนีประนอมจะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของความจริงที่ว่าทุกพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแนบแน่นกว่า wideband ใช้งานอุปกรณ์ที่ต้องการที่จะมีความต้านทานเชิงลบมากกว่าวงดนตรีและความถี่องค์ประกอบการปรับแต่งความต้องการที่จะปรับในช่วงวง เทคนิคการออกแบบแล้วนำมาใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขการสั่นมากกว่าวงในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือพารามิเตอร์ที่ต้องการมากขึ้น เฟสเสียงเป็นหน้าที่ของความถี่ที่และแบนด์วิดธ์จูน, การดูแลจะต้องดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่oscillators พริ้ง. oscillators Varactor ปรับเป็นแรงดันปรับoscillators ใช้ศรีหรือGaAs varactors มักจะเป็นโลหะ ntype อุปสรรค Schottky ในการเชื่อมโยงกับการใช้งานอุปกรณ์ในการสร้างสัญญาณมากกว่า wideband ด้วยการที่มีเทคโนโลยีน้อยกว่าคู่oscillators วงดนตรีที่ได้รับรายงานถึงKu-band โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำมันเป็นจริงมากขึ้นเพื่อให้บรรลุแหลมวง VCOs ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ไม่ต่อเนื่องได้แสดงให้เห็นมากกว่าคู่วงดนตรีกับเสียงเฟสที่ดีเยี่ยมถึง4 GHz อุปกรณ์สองขั้วซิลิกอนเป็นอุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดของพวกเขา 1 / f เสียงและความถี่ในมุมและมีการใช้กันทั่วไปสำหรับ VCOs ถึง X-band การใช้เสียงต่ำซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ GHz 10 ฟุตและ 40 GHz กระบวนการ fmax และซิลิกอน hyperabrupt varactor ไดโอดเป็น narrowband VCO มีรายงานที่ 10 GHz กับเสียงขั้นตอนของการ -112 dBc / Hz ที่100 เฮิร์ทซ์ offset.12 อุปกรณ์ GaAs FET ให้แนบแน่น wideband ถึง mmwave ความถี่ที่มีขั้นตอนการเสื่อมโทรมเสียง อีกเทคนิคหนึ่งที่จะบรรลุเสียงต่ำ wideband รุ่นสัญญาณที่ความถี่สูงคือการใช้oscillators ผลักดันผลักดัน VCOs ครอบคลุม9-18 GHz ได้รับการแสดงให้เห็นถึงการใช้VCOs devices.10 สองขั้วซิลิกอนเกินแบนด์วิดธ์คู่ได้รับการพัฒนาเมื่อเร็วๆ นี้โดยใช้ควบคู่เทคโนโลยีการผลักดันการผลักดัน เฟสเสียง -118 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ชดเชยมีรายงานที่4 GHz ใน 3-6 GHz VCO.11 ความถี่ปักหลักเวลาเป็นอีกหนึ่งลักษณะที่สำคัญจำเป็นต้องใช้ในระบบทหารบางอย่างเช่นเดียวกับในใช้ในการทดสอบ นี้แสดงให้เห็นถึงความเร็วและความถูกต้องกับที่ระบบปฏิบัติการความถี่cillator สามารถเปลี่ยนแปลงได้ ซิลิคอนอุปกรณ์ส่องอีกครั้งในการตระหนักถึงอย่างรวดเร็วปักหลักVCOs การใช้ซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ varactor ซิลิกอนไดโอดปักหลักเวลาของดีกว่า1 ไมโครวินาที (สำหรับความถี่ที่จะได้ภายใน 1 MHz) ได้รับการแสดงให้เห็นถึง Kuband.13 ในงานที่ต้องการได้อย่างรวดเร็วและปิดสลับ VCO เทคนิคการดับความต้านทานเชิงลบแทนการเปลี่ยนอคติและปิดได้แสดงให้เห็นช่วงเวลาของการเปลี่ยนที่ดีกว่า1 μs.14 oscillators YIG แต่ง (YTO) จะถูกใช้ในการทดสอบและการวัดเป็นเดียวกับในระบบทหารwideband ต้องวงดนตรีหลายคู่ของจูน. YTOs มี oscillators ของทางเลือกเมื่อจูนสัญญาณปรับสูงเชิงเส้นและเสียงรบกวนขั้นตอนที่ดีไปพร้อมๆ กันต้อง oscillators เหล่านี้ใช้เหล็กyittrium โกเมน(YIG) (Y3Fe5O11) ไอเสียทรงกลมวางอยู่ระหว่างสองขั้วของcylindrically แม่เหล็กไฟฟ้าใหม่เข้า. ความถี่จังหวะของ YIG สะท้อนในสนามแม่เหล็กสม่ำเสมอเป็นฟังก์ชันเชิงเส้นของแม่เหล็กความแรงของสนาม resonators YIG มีคิวสูงมาก (> 4000 10 GHz) ซึ่งเป็นเส้นตรงเพิ่มขึ้นกับความถี่. ความถี่ที่ใช้งานได้ในทางปฏิบัติในช่วงของ YTO อยู่ระหว่าง 2 และ 50 GHz ในขณะที่ความถี่สูงจะถูกจำกัด โดยความอิ่มตัวของแม่เหล็กและกระจายอำนาจสูงวงเงินที่ต่ำกว่าจะเป็นไปตามการสะกดจิตอิ่มตัว4πMs. ในมุมมองของธรรมชาติ wideband ของoscillators เหล่านี้อุปกรณ์ที่ใช้งานในการกำหนดค่าความต้านทานเชิงลบที่มีการใช้โดยทั่วไป การใช้เสียงต่ำทรานซิสเตอร์สองขั้วซิลิกอนและสถาปัตยกรรมความคิดเห็นคอมโพสิตนวนิยายที่มีเพศสัมพันธ์คู่ทรงกลมYIG เป็นข้อเสนอแนะชุดความถี่ที่สูงขึ้นและเป็นขนานข้อเสนอแนะสำหรับความถี่ต่ำซึ่งเป็นช่วงปรับ2-22 GHz ได้รับการประสบความสำเร็จกับขั้นตอนเสียงที่ดีขึ้นกว่า -130 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ที่ 10 GHz.15 ที่ความถี่ที่สูงขึ้นโดยใช้FET GaAs เดียวและ YIG เดียวคุ้มครองช่วงความถี่ทรงกลมของ20 ถึง 40 GHz มีรายงานด้วยเสียงขั้นตอนของการดีกว่า-100 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ที่ 40 GHz.16 YTOs ได้รับการบริการในเชิงพาณิชย์ได้ถึง50 GHz ในทางปฏิบัติมันจะกลายเป็นเรื่องธรรมดามากขึ้นเพื่อให้บรรลุความถี่คลื่นมิลลิเมตรโดยใช้doublers MMIC ความถี่ที่มีระดับต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความถี่สัญญาณ oscillators ที่สุด


เป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ oscillators วงจร ECM ESM
, เครื่องมือวัดและทดสอบ ตลอดจน
ระบบสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะโดยปรับแบนด์วิดธ์

และเป็นเส้นตรง , เสียงเฟสตกตะกอน
เวลาและปรับแต่งดริฟ โพสต์

ลักษณะความต้องการเฉพาะเจาะจงขึ้นอยู่กับโปรแกรม การประนีประนอม
จะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของ
ข้อเท็จจริงทั้งหมดของตัวแปรเหล่านี้จะประสบความสำเร็จในการใช้เทคโนโลยีเดียว

หรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุ
การสั่นผ่านสัญญาณ อุปกรณ์ที่ใช้งานต้องมีความต้านทาน

ลบผ่านวงดนตรีและความถี่
ปรับองค์ประกอบต้องปรับมากกว่า
วงดนตรี เทคนิคการออกแบบจะใช้ตามสภาพ

สั่นกว่าวงดนตรีในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือ
เพิ่มเติมที่ต้องการค่า
เสียงเฟสเป็นฟังก์ชันของความถี่และปรับแบนด์วิดธ์

ดูแลควรเมื่อเปรียบเทียบความถี่ใน Oscillators ที่สุด
.
วาแรกเตอร์ปรับแรงดันไฟฟ้า oscillators จะติดตาม

6 oscillators ใช้ศรี หรือ varactors มักจะเป็นโลหะธรรมดา

ท์อุปสรรคในความสัมพันธ์กับอุปกรณ์ที่ใช้งานในการสร้างสัญญาณ
กว่า สัญญาณ . กับใช้ได้
เทคโนโลยีมากกว่าหวะ

วง oscillators ได้รับรายงานถึงวงดนตรี KU ใช้หลาย
varactors.10 ลดความถี่มัน
เป็นประโยชน์มากเพื่อให้ได้แถบความถี่

VCOs ตาม
อุปกรณ์ต่อเนื่องแสดงให้เห็นมากกว่าวงออกเทปเสียงที่ดีขึ้น


เฟส 4 GHz ซิลิคอน ขั้วอุปกรณ์
อุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดลง 1 / f
และมุมและความถี่เสียงที่ใช้โดยทั่วไปสำหรับ VCOs ขึ้น


กซ์ แบนด์ . ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ

10 GHz ft และ 40 GHz fmax กระบวนการซิลิคอนไดโอดวาแรกเตอร์ hyperabrupt
,
VCO แคบมีรายงานที่ 10 GHz
กับเสียงเฟสของ– 112 DBC / Hz ที่
100 kHz offset.12 นี้สามารถเสนออุปกรณ์สัญญาณความถี่การสั่นขึ้น

mmwave กับ ทรามเฟส
เสียงเทคนิคอื่นเพื่อให้บรรลุเสียงสัญญาณสัญญาณรุ่น

ต่ำที่ความถี่สูงคือการใช้
ดัน ดัน Oscillators . VCOs ครอบคลุม
9 18 GHz มีการแสดง
ใช้ซิลิคอนแบบ devices.10 VCOs
เกินแบนด์วิดธ์เสียงได้พัฒนาโดยใช้คู่

ช่วงนี้เทคโนโลยีดันดัน เสียงเฟส
ของ– 118 DBC / Hz ที่ 100 kHz ชดเชย
มีรายงานที่ 4 GHz ใน 3 ถึง 6 GHz VCO 11

.ความถี่ตัวอีก

ที่สำคัญคุณลักษณะในระบบทหารบางอย่างเช่นเดียวกับใน
ทดสอบเครื่องมือ โดย
ความเร็วและความแม่นยำที่ OS
cillator ความถี่ที่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ ซิลิคอน
อุปกรณ์อีกครั้งท้าในการตระหนักถึง
รวดเร็วจ่ายเงิน VCOs . ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ไดโอดวาแรกเตอร์

กับซิลิคอน การจ่ายเงินครั้งที่ 1
ดีกว่าµ ( สำหรับความถี่ให้อยู่ภายใน 1
MHz ) ได้แสดงที่ kuband . 13

ในงานที่ต้องเร็วและปิด VCO สลับ เทคนิคดับ

ของความต้านทานเชิงลบแทนการตั้งค่าและปิด

เปลี่ยนเวลาได้แสดงให้เห็นมากกว่า 1 µ s.14
ยิกติดตาม oscillators ( YTO ) ใช้ในการทดสอบและการวัด


ระบบสัญญาณ เป็นทหารมีหลายเสียง วงของการปรับแต่ง .
ytos oscillators มีทางเลือก
เมื่อสัญญาณปรับสูง ปรับความถี่เสียงเฟสดี

จะพร้อมกันต้อง oscillators เหล่านี้ใช้ yittrium เหล็กพลอย

( ยิก ) ( y3fe5o11 )
resonator ทรงกลมอยู่ระหว่างสองขั้วของแม่เหล็กไฟฟ้าเป็นผู้ cylindrically
.
จังหวะความถี่ของชุดในเครื่องแบบสนามแม่เหล็กยิก

เป็นฟังก์ชันเชิงเส้นของแรง
สนามแม่เหล็ก ยิก resonators เสนอ
สูงมาก Q ( > 4000 ที่ 10 GHz ) ซึ่งเป็นเส้นตรงด้วย

เพิ่มความถี่ ความถี่ใช้งานในทางปฏิบัติ
ช่วง YTO อยู่ระหว่าง 2 และ 50
GHz ในขณะที่ความถี่สูงคือ
จำกัดโดยแม่เหล็กอิ่มตัวและ
สลายพลังสูง ลดวงเงิน
ถูกควบคุม โดยจะมีความเข้มπคุณ

4ในมุมมองของธรรมชาติของ
สัญญาณ oscillators เหล่านี้ อุปกรณ์ที่ใช้งานในทางลบความต้านทานค่า

มีการใช้โดยทั่วไป . ใช้

เสียงต่ำไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนและนวนิยายสถาปัตยกรรมติชมคอมโพสิตซึ่งคู่คู่


ติชมวงยิกเป็นชุดสำหรับความถี่สูงและเป็นข้อเสนอแนะสำหรับความถี่ต่ำขนาน
,
ปรับช่วง 2 ถึง 22 GHz ได้ถูก
บรรลุกับเฟสเสียงดีกว่า
กว่า– 130 DBC / Hz ที่ 100 kHz ที่ 10
ghz.15 ที่ความถี่สูงโดยใช้
เดียวและเดียวนี้สามารถช่วงความถี่ครอบคลุมทรงกลมยิก

20 ถึง 40 GHz มีรายงานด้วย
เฟสเสียงดีกว่า– 100
DBC / Hz ที่ 100 กิโลที่ 40 GHz . 16
ytos ได้รับในเชิงพาณิชย์
ถึง 50 GHz ในทางปฏิบัติมันเป็นมากกว่าปกติเพื่อให้บรรลุ

อืม คลื่นความถี่ โดยใช้ค่าความถี่ mmic
doublers กลต่ำ